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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210830982.1在审
发明人：金泽力斗;辻大毅;清水公志郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式提供抑制单元阵列下沉的半导体装置及其制造方法。该装置具备积层体，积层体包含在第1方向相互隔开而积层的多个导电层，具有排列在与第1方向交叉的第2方向的第1、2区域。绝缘部在第1、2区域中在第1、2方向延伸，将多个导电层在与第1、2方向交叉的第3方向分断。多个第1柱状部在第1区域中在第1方向延伸，包含第1半导体层，在多个导电层与第1半导体层的交叉部分形成存储单元。多个第2柱状部在第2区域中在第1方向延伸，包含绝缘体。第3柱状部在第2区域中，在第1方向延伸，包含第2半导体层。触点在第2区域中，设置在多个导电层中的1个导电层，在第1方向延伸。多个第2柱状部沿绝缘部配置在绝缘部的第3方向的两侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201810262379.1有效
发明人：福住嘉晃;荒井伸也;辻大毅;青地英明;田中启安 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置和其制造方法-CN202010798522.6在审
发明人： 辻大毅 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高生产率以及性能的半导体存储装置和其制造方法。实施方式的半导体存储装置具有：硅系单晶基板；控制电路，包括沟道方向成为与硅系单晶基板的[010]方向以及[100]方向不同的方向的晶体管；电路侧布线层，与控制电路电连接；第一连接端子，与电路侧布线层连接；多个存储单元，被三维地配置；存储侧布线层，与存储单元电连接；以及第二连接端子，与存储侧布线层和第一连接端子连接。
半导体存储装置制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201510064937.X有效
发明人：福住嘉晃;荒井伸也;辻大毅;青地英明;田中启安 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。
半导体存储装置及其制造方法

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