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[发明专利]一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795473.4在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310780439.X在审
发明人：侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
一种氮化物半导体蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310760835.6在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：49％的氢氟酸2‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合功能剂0.1‑10份；去离子水10‑60份。复合功能剂是由醚类化合物和胺类化合物复配得到。本发明还公开了该蚀刻液的制备方法以及使用方法。本发明的复合功能剂中胺类化合物具有胺基特性，可与氟离子发生反应，从而更好地分散在体系中；酚醚中的羟基和醚键，可与水分子形成氢键，使得蚀刻液体系中各组分分子结合更紧密，溶液更稳定。本发明的蚀刻液具有低表面张力、高铺展性能的优势，因其组分的高分散性能，避免了制备工艺因长时间搅拌带来的蚀刻液有效组分挥发的问题，可以广泛应用于二氧化硅薄膜蚀刻领域。
一种润湿缓冲氧化物蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途-CN202211725425.X有效
发明人：武文东;侯军;赵晓莹;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途，本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：酸2.0‑10.0份；多卤素有机物1.0‑5.0份；2‑氟‑6‑吡啶甲酰氯1.0‑15.0份；表面活性剂0.001‑5.0份；有机溶剂5.0‑30.0份；水10.0‑40.0份。本发明还公开了高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液的制备方法及其在蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层领域的用途。本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液能对金属硅化物进行保护，选择性蚀刻氧化硅层，提高蚀刻均一性。
一种选择性蚀刻表面氧化制备方法用途

[发明专利]一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液及其制备方法-CN202310761188.0在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：49％的氢氟酸5‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合改性剂0.5‑10份；润湿流平剂0.1‑1份；去离子水20‑60份。复合改性剂是阴阳离子表面活性剂的复配物；润湿流平剂为氟改性有机硅聚合物。同时本发明提供了利用上述蚀刻液对二氧化硅结构片进行蚀刻的方法。本发明采用复合改性剂不仅可以提高表面活性，降低表面张力，还可以提高各组分在基材表面的吸附量，表面吸附层分子排列更加紧密。复合改性剂和润湿流平剂一方面可以使溶液体系表面张力降低；另一方面可以使蚀刻角度减小，孔结构可控。同时氟的引入可显著降低蚀刻液的表面张力，提高对基材的润湿性，整体复合了流平、润湿和消泡功能。
一种用于纳米尺寸氧化蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795462.6在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[实用新型]复合板拼接装置-CN202321374804.9有效
发明人：王凯;王思勤;赵晓莹;张璐璐;李任静 -专利权人：山东泰信钢结构建筑科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： E04D3/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合板拼接装置，属于复合板拼接技术领域。包括用于复合板拼合处的上盖板，上盖板下端面设有伸入到复合板拼合处的固定板，固定板下端设有锁紧板，固定板一端设有用于推动锁紧板的锁紧件；固定板下端均匀分布有用于锁紧的斜板，锁紧板上开设锁紧孔，锁紧孔套装在斜板上。本实用新型提供一种复合板拼接装置，内部固定，防止产生锈点，避免长时间时生锈造成漏水；另外在于减少屋面上部人员的工作时长，直接从内部进行安装即可，安全系数高。
复合板拼接装置

[发明专利]一种氮化硅掩膜层蚀刻液、制备方法、用途和蚀刻方法-CN202211690589.3在审
发明人：武文东;侯军;赵晓莹 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液、制备方法、用途和使用其的蚀刻方法，所述蚀刻液包含磷酸、氟化物、二咪唑类化合物、多元醇醚和高纯水。所述蚀刻液通过多个特定组分的选择、协同和相互促进作用，从而可取得优异的氮化硅掩膜层蚀刻效果，极大地提高了制程效率和降低了工艺成本，尤其是可以显著改善产品良率，对于氮化硅掩膜层的蚀刻处理改进具有重大意义。
一种氮化硅掩膜层蚀刻制备方法用途

[发明专利]蚀刻液组合物、蚀刻液及其制备方法-CN202211689609.5在审
发明人：武文东;侯军;赵晓莹;曲延琦;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物、蚀刻液及其制备方法。蚀刻液组合物包括混合酸剂、含氟化合物、不饱和烃化合物、表面活性剂以及溶剂；其中，所述混合酸剂包含有氢氟酸；所述不饱和烃化合物为含有氨基、酰胺基或亚氨基中的至少一种的不饱和烃化合物；所述表面活性剂包含有磷酸酯类表面活性剂。本发明的蚀刻液组合物在用于去除晶圆表面氧化层时速度快，选择性高，均一性优异。并且，本发明的蚀刻液组合物对后续的清洗工艺无特殊要求，仅需纯水冲洗即可清除残留，操作工艺简单。
蚀刻组合及其制备方法

[发明专利]一种基于随机森林回归的农田氮淋失预测方法-CN202211543071.7在审
发明人：孟凡乔;赵晓莹;殷实磊;杨轩;许秀春 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及氮淋失预测技术领域，具体涉及一种基于随机森林回归的农田氮淋失预测方法，包括获取样本数据，对研究变量进行预处理；对预处理后的相关变量执行土壤分层、取对数、数据标准化的操作；建立氮淋失的随机森林回归模型，根据多指标值评估模型效果和性能；利用随机森林回归模型的学习结果预测氮淋失量。本发明同现有技术相比，基于多因素进行拟合，更加符合实际情况，实现了精度高、简单、有效的农田氮淋失预测效果。
一种基于随机森林回归农田氮淋失预测方法

[发明专利]煤矿综掘面粉尘、瓦斯和风流参数化仿真模拟方法-CN201911303633.9有效
发明人：龚晓燕;边天;吴悦;薛河;魏引尚;吴群英;王建文;童丹丹;樊江江;刘辉;冯雄;宋涛;陈菲;赵晓莹;段宇花 -专利权人：西安科技大学;陕煤集团神木柠条塔矿业有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了煤矿综掘面粉尘、瓦斯和风流参数化仿真模拟方法，包括如下步骤：步骤一、显示第一界面；步骤二、显示对应的第二界面；步骤三、接收用户输入的参数；步骤四、通过ANSYS Workbench DM模块构建综掘巷道几何模型；步骤五、建立综掘面粉尘场、风流场或瓦斯场有限元模型；步骤六、初步确定了出风口各参数取值范围；步骤七、分析得到出风口最佳风流调控的参数值；步骤八、将步骤七中的分析结果存储在所述存储路径指定的文件中。本发明该软件能够进行动态粉尘源下的综掘面出风口调控参数变化的粉尘浓度分布分析，利用Python语言对仿真计算流程进行封装，实现参数的可编写化，能够有效提高工作效率。
煤矿综掘面粉尘瓦斯风流参数仿真模拟方法

[实用新型]一种甘蔗浓缩糖浆搅拌装置-CN202121339653.4有效
发明人：韦剑锋;韦冬萍;胡桂娟;廖文琴;何茹珍;赵晓莹;张灵;陈凯帆;周梦娇;刘欢雨 -专利权人：柳州工学院
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型属于食品加工设备技术领域，具体涉及一种甘蔗浓缩糖浆搅拌装置，包括电机和控制面板，还包括两个升降支架和一个搅拌机构；搅拌机构包括顶板、主轴、第一搅拌轴、横板、内齿圈以及两组辅助搅拌组，两个升降支架对称设于顶板下端，电机的输出轴转动贯穿顶板并与主轴传动连接，第一搅拌轴与主轴下侧连接，横板固定设于主轴上侧，内齿圈固定设于顶板下端；辅助搅拌组包括副轴、从动齿轮和第二搅拌轴，副轴与横板转动连接，副轴转动贯穿横板上端并与从动齿轮连接，第二搅拌轴与副轴下侧连接，本装置能够方便有效地对红糖浆进行搅拌加工，更加满足于红糖的生产需要。
一种甘蔗浓缩糖浆搅拌装置

[实用新型]一种甘蔗高效切割装置-CN202120116368.X有效
发明人：韦剑锋;韦冬萍;罗小芬;胡桂娟;刘欢雨;周梦娇;闫可;陈海铭;沈欣悦;黄翔;赖锦榕;赵晓莹 -专利权人：柳州工学院
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： A01D45/10 文献下载
摘要：本实用新型属于农业机械技术领域，具体涉及一种甘蔗高效切割装置，包括车底盘，车底盘设有移动轮，车底盘设有箱体，箱体设有蓄电组件，箱体对称设有支撑座，支撑座连接有转筒，转筒两端均连接有滑杆，转筒两端均设有条形定位槽，滑杆设有定位滑块，滑杆设有主动斜齿，箱体设有滑腔，滑腔连接有调节滑块，调节滑块连接有转杆，转杆设有传动斜齿，箱体设有通槽，转杆设有锯片，调节滑块设有回位弹簧，箱体设有第一电机，第一电机与转筒之间设有传动组件，箱体设有第二电机，第二电机输出轴连接有螺杆，螺杆装配有螺纹套筒，螺纹套筒与箱体之间设有限位件，螺纹套筒设有第一铰接座，滑杆连接有环套，环套设有第二铰接座，第二铰接座铰接有连杆。
一种甘蔗高效切割装置

[发明专利]一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构及介质波导滤波器-CN201911167507.5有效
发明人： 赵晓莹;杨柏桓 -专利权人：江苏希奥飞尔微电子科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，包括两个介质谐振器，两个介质谐振器之间连接处设置有耦合结构，该耦合结构包括：一设置在连接处并将两个介质谐振器连接起来的耦合窗，和设置在耦合窗中心部位的小孔或窄缝，以及设置在一个方砖形的介质谐振器的上表面或者下表面上的第一耦合槽和设置在另一个方砖形的介质谐振器的下表面或者上表面上的第二耦合槽，第一耦合槽和第二耦合槽通过耦合窗中心部位的小孔或窄缝连通。本发明还公开了具有上述负耦合结构的介质波导滤波器。本发明具有如下特点：1)耦合量可大可小，可以实现弱的负耦合，适合小耦合量的应用场景。2)在滤波器通带一下频段无寄生谐波产生。
一种应用于介质波导滤波器中的耦合结构

[发明专利]煤矿综掘面风流场PLC式智能调控装置-CN201811373862.3有效
发明人：龚晓燕;刘壮壮;贾聪聪;侯翼杰;崔坚;唐伟;崔小强;韩郑;赵晓莹 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： E21F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种煤矿综掘面风流场PLC式智能调控装置，包括直线位移机构、出风风筒、转动机构、开合机构和PLC控制箱，出风风筒设置在直线位移机构下方，转动机构安装在直线位移机构与出风风筒之间，出风风筒包括风筒出风口和风筒框架，风筒出风口后端与风筒框架前端连接，开合机构设置在出风风筒上，PLC控制箱外接出去；风筒出风口包括多个外叶片和多个内叶片，外叶片和内叶片的后端均与风筒框架的前端铰接，外叶片和内叶片的前端经第一弹力绳串接，外叶片和内叶片的后端经第二弹力绳串接。本发明解决了采用不断提高局部通风机功率和加大风筒直径易造成循环风、工作区域局部风速过高、工作条件劣化的问题，可合理控制巷道内风流场。
煤矿综掘面风流 plc 智能调控装置

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