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[发明专利]一种光刻方法-CN202111168330.8在审
发明人：颜伟年;李明;王秋华;贾瑞雯;周亨杰;赵玲娟;阚强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，其特征在于，所述方法包括：S1，将所述光刻对象的正面粘合于透明垫片的第一面，其中，该透明垫片的尺寸大于所述光刻对象的尺寸；S2，对所述透明垫片的第二面进行光刻，以形成一参考标识，该参考标识位于粘合区域之外；S3，根据所述参考标识在所述光刻对象的背面的特定区域光刻出光刻图形。其无需对晶圆进行切割，对准精度高；不仅可在无双面光刻功能的普通光刻机上实现，降低了光刻设备的成本；还不受晶圆尺寸限制；同时可在进行接触式光刻时保护芯片，降低碎片风险，提高芯片成品率。
一种光刻方法

[发明专利]一种激射波长为852nm大功率的半导体激光器-CN202110241940.X有效
发明人：李耀斌;李明;邱平平;贾瑞雯;颜伟年;阚强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01S5/02325 文献下载
摘要：本发明公开了一种激射波长为852nm大功率的半导体激光器，属于半导体激光器领域，包括底板，所述底板上端靠近中间位置开设有调节槽，所述调节槽左内侧壁靠近中间位置开设有限位滑槽，所述调节槽内部设置有外壳一，所述外壳一左侧靠近底部位置设置有限位滑块，所述外壳一右侧壁靠近底部位置等距开设有若干组齿槽，所述外壳一通过限位滑块配合限位滑槽活动设置在调节槽内部，所述底板右侧靠近中间位置贯穿开设有凹槽一，所述凹槽一内部活动设置有齿轮，所述齿轮通过齿槽与外壳一活动设置；本发明能够便于工作人员在使用该激光器时根据需要对主体的位置进行微调,增加半导体激光器的散热效果且便于更换吸收足够热量的液囊。
一种波长 852 nm 大功率半导体激光器

[发明专利]一种利用电流体动力学微液滴喷射的放射性籽源源芯的制作方法-CN201811605452.7有效
发明人：王志海;王璨;张海义;贾瑞雯 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G21G4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电流体动力学微液滴喷射的放射性籽源金属源芯的制作方法，将喷口下方放置保持电学接地的金属细丝，在喷嘴与金属细丝之间施加一定电压。电流体动力学原理使得微小液滴产生，微滴上带有电荷，受到静电力作用，微滴倾向于被接地金属细丝收集。喷射过程中金属细丝可以沿轴向旋转，和沿轴向平移。保证微液滴均匀喷射在金属细丝的表面。该方法可用于放射性治疗领域。本发明结合电流体动力学微液滴产生技术和近距离放射性治疗装置制造技术。并能有效提高放射性物质与表面吸附反应的速度，另由于产生的微液滴带电，在电场力的作用下，微液滴更加倾向于沉积到金属细丝上，防止溶液的飞溅造成的不良后果。
一种利用流体动力学微液滴喷射放射性源源制作方法