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[发明专利]一种基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法-CN201910833248.9有效
发明人： 贺训军;姚远;田玲;杨玉强;杨文龙;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N60/00 文献下载
摘要：基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法，它涉及微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺复杂、调控方法复杂、功能单一和应用范围窄的问题。器件：包括带有二氧化硅层的低掺杂高阻硅衬底，周期性排列的单元结构，以及与周期性排列的单元结构并列且总厚度相同的第一金属栅电极和第二金属栅电极。方法：硅片预处理；制备图形化石墨烯；制备图形化金属；制备电极；制备聚酰亚胺层；制备图形化石墨烯和图形化金属。本发明器件结构及工艺简单，应用条件简便、所需能量低，易于控制，工作模式可自由切换。本发明应用于微电子技术和太赫兹超材料功能器件领域。
一种基于选择性静电掺杂石墨动态调控赫兹偶极子材料器件及其制备方法

[发明专利]一种双带可灵活选择性调控的石墨烯-金属槽超材料太赫兹慢光器件-CN201910835471.7有效
发明人： 贺训军;王越;田玲;杨文龙;杨玉强;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件，涉及电磁与电磁波技术领域。本发明的目的是要解决现有的可调谐太赫兹EIT超材料慢光器件单工作频带，可调谐范围窄、结构和制备工艺复杂、激励方式所需外部设备繁琐、功能单一、可靠性低、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。硅衬底层上设置有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设置有周期性排列的图形化两石墨烯带结构，石墨烯带结构上设置有周期性排列的图形化金属槽结构，两石墨烯结构分别与第一金属电极Pad 1和第二金属电极Pad 2连接。本发明可获得一种双带可灵活选择性调控的石墨烯‑金属槽超材料太赫兹慢光器件。
一种双带可灵活选择性调控石墨金属材料赫兹器件

[发明专利]一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法-CN201910832612.X有效
发明人： 贺训军;田玲;姚远;杨玉强;杨文龙;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：一种基于MEMS平面结构重构的环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法，它涉及一种工作模式可切换的太赫兹超材料转换器及其制备方法。本发明的目的是要解决平面太赫兹超材料环偶谐振调谐深度小，激励方式所需外部设备复杂、活性材料可选范围窄以及线性属性小的问题。它包括基体硅衬底、梳齿型静电驱动结构、固定金属结构阵列、可动金属结构阵列和悬浮硅框架。方法：一、沉积二氧化硅层；二、锚结构的光刻胶掩膜图形化；三、锚结构形成；四、结构层键合与减薄；五、金属结构单元图形化；六、光刻胶掩膜图形化；七、刻蚀硅和释放MEMS结构。本发明主要用于制备环偶与电偶可切换的太赫兹超材料转换器。
一种基于 mems 平面结构电偶可切换赫兹材料转换器及其制备方法

[发明专利]基于光选择性调控金属-二维有机无机杂化钙钛矿的太赫兹环偶超材料器件及其制备方法-CN201910833267.1有效
发明人： 贺训军;金宇航;姚远;杨玉强;杨文龙;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法，它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。器件：包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。方法：高阻硅上涂光刻胶，前烘、曝光、显影和定影；淀积金属；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火；淀积Parylene，形成掩膜结构；涂钙钛矿溶液；退火。本发明应用条件简便、工作模式可自由切换，工艺简单、成本低。本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
基于选择性调控金属二维有机无机杂化钙钛矿赫兹环偶超材料器件及其制备方法

[发明专利]一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法-CN201811398430.8有效
发明人：王姝;杨文龙;姜久兴;赵波;张光宇;贺训军 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法，属于光化学能转换、光催化降解领域。本发明要解决在过氧化氢诱导的强氧化性光芬顿反应中，对硫化物的腐蚀可能加剧的技术问题。本发明方法：一、将α‑Fe
硫化物异质结材料芬顿反应光化学光催化降解超声震荡腐蚀制备过氧化氢诱导无水乙醇洗涤混合溶液中纳米颗粒强氧化性取沉淀物离子水转换水解水中保温洗涤离子

[发明专利]一种BNT基压电陶瓷及其制备方法-CN201810494537.6有效
发明人：吴丰民;林炜鹏;王军军;贺训军;张春晓 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种BNT基压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。本发明针对目前二元体系BNT‑BT陶瓷高压电性能较低以及漏电流高的问题，提供了一种BNT基压电陶瓷,所述BNT基压电陶瓷的组成为0.93Bi_0.5Na_0.5TiO₃‑0.07BaTiO₃:(0.1％‑0.5％MoO₃)，是以Bi₂O₃、Na₂CO₃、BaCO₃、TiO₂为原料，经预混球磨、烧结后掺杂MoO₃，经二次球磨、烧结后，并镀上银电极制备获得的。本发明适用于具有较高压电性能和低漏电流的压电陶瓷的生产。
压电陶瓷制备高压电烧结漏电流二次球磨二元体系银电极球磨预混掺杂陶瓷生产

[发明专利]一种基于低电压驱动液晶材料的可调谐太赫兹超材料滤波器及其制备方法-CN201610363500.0有效
发明人： 贺训军;石爽;杨兴宇;李少鹏;吴丰民;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种基于低电压驱动液晶材料的可调谐太赫兹超材料滤波器及制备方法。要解决现有的太赫兹超材料滤波器的工作波长固定，工作带宽有限，应用范围窄，结构及制备工艺复杂，可靠性低的问题。本发明滤波器为多层平板结构，包括玻璃衬底层、第一金属结构层、绝缘层、金属种子层、第二金属结构层、液晶材料和玻璃盖板；制备方法：一、制备金属结构层；二、制备绝缘层；三、制备金属种子层；四、制备电镀用模具结构；五、制备周期性缝隙金属结构；六、填充液晶材料，盖玻璃盖板。本发明滤波器所需的电压减小、结构简单，调谐范围宽，响应时间快，极化不敏感，化学稳定性好。本发明方法适用于制备低电压驱动液晶材料的可调谐太赫兹超材料滤波器。
一种基于电压驱动液晶材料调谐赫兹滤波器及其制备方法

[发明专利]一种可调谐的太赫兹石墨烯超材料吸收器-CN201711071629.5在审
发明人： 贺训军;姚远;杨玉强;杨文龙;吴丰民;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种可调谐的太赫兹石墨烯超材料吸收器，包括叠合在一起的四层结构图形化的石墨烯超材料顶层、介质中间层、金属底层以及衬底；在所述的衬底上设置金属底层，在所述金属底层上设置介质中间层，在所述介质中间层上设置图形化的石墨烯超材料顶层。本发明采用石墨烯代替传统的金属结构构建太赫兹超材料吸收器，通过静电掺杂调谐两石墨烯圆盘的费米能，从而控制两石墨烯圆盘的谐振特性以及圆盘之间的近场耦合特性，实现对吸收器的吸收强度、带宽和频率灵活控制。
一种调谐赫兹石墨材料吸收

[发明专利]一种基于级联结构超材料的超宽带吸收器-CN201510163240.8有效
发明人： 贺训军;颜世桃;张秦飞;张景云;吴丰民;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G12B17/02 文献下载
摘要：一种基于级联结构超材料的超宽带吸收器。本发明涉及一种超宽带吸收器。本发明是为解决现有超宽带吸收器吸收率低、入射角度小且吸收波长范围窄无法跨越多个波段吸收的问题，本发明采用器件物理尺寸与电磁波相互作用以及介质材料与电磁波相互作用两种方式共同作用，导致不同尺寸单元之间耦合叠加，以及同一单元不同介电常数之间耦合叠加，实现了超材料吸收器对电磁波超宽带吸收，吸收率超过92％的吸收波长范围为284～1524nm，包括部分紫外波，全部可见光和部分近红外波，并且在40°倾斜角入射条件下，吸收率仍能达到90％以上。本发明可应用于太阳能电池吸收、热发射器和光电设备领域。
一种基于级联结构材料宽带吸收

[实用新型]基于柔性衬底太赫兹石墨烯谐振器-CN201520121897.3有效
发明人： 贺训军;刘静;徐荣超;勾金雷;樊旭尧;于东旭 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：基于柔性衬底太赫兹石墨烯谐振器，它涉及太赫兹石墨烯超材料。本实用新型现有的利用刚性衬底材料制备的太赫兹超材料，由于其不能弯曲成所需要的形状致使实际应用收到极大限制的问题。它包括衬底、柔性衬底、石墨烯谐振器，衬底上依次设置有柔性衬底和石墨烯谐振器层。本实用新型将石墨烯谐振器做在聚酰亚胺上，当光刻实验结束以后，可以将聚酰亚胺连同谐振器一起从硅片上剥离，做成柔性衬底的太赫兹超材料。与传统的刚性衬底相比，具有可弯曲等优点。谐振器所选用的材料是单层石墨烯，石墨烯除了导电、导热性能非常好，电阻率极低，电子迁移速率很快等优点外，其电导率可以通过外加电压有效地控制，这样就能非常方便地控制谐振产生的频率。
基于柔性衬底赫兹石墨谐振器

[发明专利]一种基于铁电晶体相变特性的温控装置及温控方法-CN201410765392.0有效
发明人：吴丰民;张景云;陈春天;贺训军;杨彬;高敏;姜久兴;孙恩伟;曹文武 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G05D23/27 文献下载
摘要：一种基于铁电晶体相变特性的温控装置及温控方法，属于智能温控设备领域。解决了现有温控装置精确度差的问题。本发明对所采用的铁电晶体进行电极制备和极化操作，并将极化后的铁电晶体放入温度变化环境内并绘制铁电晶体的介电常数-温度曲线；将铁电晶体的介电常数-温度曲线存入计算机内，将所采用的铁电晶体置于待温控的装置内，采用激光器向铁电晶体发射光束，采用光电探测器采集经过铁电晶体的光强信号，将接收的光强信号转换为电信号后发送至计算机，计算机根据铁电晶体的介电常数-温度曲线获得当前待温控的装置内的温度信息；计算机根据温度信息向控温装置发送温控信号，实现基于铁电晶体相变特性的温度控制。本发明适用于控制温度使用。
一种基于电晶体相变特性温控装置方法

[发明专利]双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法-CN201210232866.6有效
发明人：王玥;王东兴;王长昊;梅金硕;田晓华;刘倩;贺训军 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法。目前国内外研究的ZnO薄膜晶体管主要采用顶栅与底栅场效应结构。一种双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管，其组成包括：底衬板（1），所述的底衬板上面连接源极Ag薄膜层（2），所述的源极Ag薄膜层上面连接导电沟道ZnO薄膜层（3），所述的导电沟道ZnO薄膜层上面连接栅极半绝缘Al薄膜层（4），所述的栅极半绝缘Al薄膜层上面连接所述的导电沟道ZnO薄膜层，所述的导电沟道ZnO薄膜上层上面连接所述的漏极Ag薄膜层（5）。本发明用于有源矩阵有机发光显示器的驱动单元、高密度集成电路以及其他电子电路等领域中。
双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管制作方法

[实用新型]基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器-CN201120410530.5有效
发明人： 贺训军;王玥;齐迹;梅金硕;王建民;殷景华;桂太龙 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层，所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成，主谐振结构为十字交叉结构的偶极子，在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构，所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构，在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构，所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子，所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构。
基于结构极化敏感赫兹材料吸收

[实用新型]磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器-CN201120410538.1有效
发明人： 贺训军;王玥;齐迹;梅金硕;王建民;桂太龙;殷景华 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器，属于电磁器件领域，本实用新型为解决现有的可调超材料吸收器存在带宽窄、结构复杂、精度不高、不能集成以及制备成本高的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层、电子开口谐振环层和悬臂梁，衬底上依次设置有下金属地板层、绝缘介质层和电子开口谐振环层，电子开口谐振环层上的左端开口连接条、中间开口连接条和右端开口连接条的中部为断开的开口部位；开口部位上分别设置有一个悬臂梁；悬臂梁包括支撑件、下层微梁、上层微梁和敏感材料层，下层微梁的上表面依次设置有上层微梁、敏感材料层，下层微梁和上层微梁表面尺寸相同，敏感材料层表面尺寸为上层微梁表面尺寸的一半。
微机系统可调微波材料吸收

[发明专利]矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器-CN200810064370.6无效
发明人：吴群;傅佳辉;孟繁义;杨国辉;靳炉魁;唐恺;贺训军 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：矩形桥式共面波导结构的毫米波微机电系统移相器，它涉及微机电系统移相器。它解决了现有MEMS移相器存在单桥相移量小、相位精度低的问题。本发明的金属槽形矩形桥(8)覆盖在n个金属桥(5)的上方，金属槽形矩形桥(8)的桥壁下端固定在共面波导(1)上的两根地线(4)上，金属槽形矩形桥(8)顶部的桥梁与共面波导(1)平行。本发明的金属槽形矩形桥覆盖了MEMS金属桥及跨接了两侧的地线，使得电磁波的传输被限制在矩形桥以内，因而降低移相器的辐射损耗，由于信号线和地线之间的耦合度增大，表面电流得到分散，进而降低了传导损耗，减少了相邻器件间的电磁干扰，有效地减小了附加的波导桥尺寸。
矩形桥式共面波导结构毫米波微机系统移相器

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