专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法-CN201310726396.3有效
  • 贺小明 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2013-12-25 - 2017-02-15 - H01J9/00
  • 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法,其中,所述制造方法包括如下步骤提供一陶瓷基底;在所述陶瓷基底上打若干通孔,所述通孔用于容纳金属连接线;提供若干金属连接线,将所述若干金属连接线冷却到室温以下,并将冷却后的若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中;将上述镶嵌了金属连接线的陶瓷基底至于常温之中;将直流电极层置于所述陶瓷基底之上;在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。本发明制造的金属连接线,不会损坏直流电极层,在其上继续涂覆抗腐蚀层也极为稳定。
  • 等离子体处理及其静电制造方法
  • [发明专利]改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法-CN201510084011.7在审
  • 贺小明;郭世平 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2015-02-16 - 2016-10-05 - C23C16/44
  • 本发明公开了一种改善MOCVD反应工艺的部件及改善方法,改善机理是在MOCVD反应腔内的不锈钢部件主体表面涂覆一层致密的保护膜,所述保护膜成分全部为MOCVD沉积工艺过程中所需气体的元素组成,或者不会与MOCVD反应气体反应的成分。保护膜的成分包括由铝、镓、镁中的至少一种及氮、氧中的至少一种构成的化合物或者为不与MOCVD工艺中的气体反应的其他化学特性稳定的材料。所述保护膜不会在MOCVD工艺中与反应气体反应或者给MOCVD反应腔增加污染物,因而缩短MOCVD生产工艺的初始化工艺时间,提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有疏松度为零的致密组织,保护膜的厚度范围为1纳米-0.5毫米。
  • 改善mocvd反应工艺部件方法
  • [实用新型]一种电力小母线飞剪系统-CN201521068445.X有效
  • 贺小明;马凯;陈柬 - 南京科技职业学院
  • 2015-12-18 - 2016-07-06 - G09B9/00
  • 本实用新型公开了一种电力小母线飞剪系统,在电力生产领域中得到较好的应用。包括装置框架、放料、较平、随动定位剪切和卸料传送装置,其特征在于:还包括PLC以及与PLC连接的控制柜、网络模块、定位模块、AD模块、DA模块、压力传感器、光电开关、变频器和伺服驱动部分,放料柜中安装有放料卷扬机,较平部分设有引导轮和压平轮,随动定位剪设有气动剪切刃、伺服电机和丝杆滑台,卸料传送装置安装变频电机通过同步带驱动。本发明提供了一种教学实训的交流拖动控制装置和改进电力生产加工的装置,即电力小母线飞剪系统,具有使用方便等优点,使学生对电气控制技术有一个比较全面的认识与掌握,也可改进电力小母线加工工艺,提高生产效率。
  • 一种电力母线系统

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