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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁性膜成膜装置及磁性膜成膜方法-CN201780003366.6有效
发明人：小林洋介;岩井治宪;藤长徹志;井堀敦仁;谷典明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：成膜装置具备：靶材(31)，包含磁性材料；搬送部(14)，支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R)，配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域；以及第一磁场形成部(20)，相对于配置区域(R)位于靶材(31)的相反侧，对配置区域(R)在靶材(31)所在的一侧形成平行于摇动方向(Ds)的水平磁场(HM)，并在摇动方向(Ds)的至少配置区域(R)的一端与另一端之间沿着摇动方向(Ds)使水平磁场(HM)摇动，摇动方向(Ds)是沿着基板(S)的一个方向。
磁性膜成膜装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN201680004832.8有效
发明人：藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪;岩田贤二;佐藤良直 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：基板处理装置，具备：阳极单元(17)，包含第一板(23)和第二板(24)。第一板(23)包含多个第一贯穿孔(23a)，通过使气体穿过第一贯穿孔流动，从而使气体往第一板(23)的面方向扩散。第二板(24)包含比第一贯穿孔(23a)大的多个第二贯穿孔(24a)。第二板(24)使穿过第一贯穿孔(23a)的气体穿过多个第二贯穿孔(24a)，从而在第二板(24)与阴极载台之间流动。第二贯穿孔(24a)具有使各第二贯穿孔的内部的等离子发光强度高于在第二板(24)与阴极载台之间产生的等离子的发光强度的形状。
处理装置

[发明专利]触摸面板、触摸面板的制造方法以及光学薄膜-CN201580022405.8有效
发明人：原田学;柳坪秀典;井堀敦仁;铃木寿弘;松本昌弘;谷典明;久保昌司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的触摸面板具有：触摸面板基板；盖基板，重叠于所述触摸面板而设置；以及连接部，包括从所述盖基板侧向所述触摸面板基板侧层压而成的散射层，并在所述触摸面板基板与所述盖基板之间设置于除了显示区域之外的区域。
触摸面板制造方法以及光学薄膜

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201580038502.6有效
发明人：藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。
处理装置以及方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201280077793.6有效
发明人：吉田隆;松本昌宏;谷典明;池田进;久保昌司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层。成膜装置能够实施该成膜方法。
方法装置

[发明专利]基板处理装置-CN201580038441.3在审
发明人：藤长徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;岩井治宪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：基板处理装置(10)具备溅射装置(70)。溅射装置具备溅射腔室；两个靶材(72)，其设于溅射腔室内，用于通过溅射在基板(15)的两个成膜面(15a、15b)上形成薄膜；以及搬送机构，其沿设于溅射腔室内的搬送路(32)搬送基板。两个靶材中的一个在搬送方向的前级上以与基板的两个成膜面中的一个相对的方式配置在搬送路的一侧。两个靶材中的另一个在搬送方向的后级上以与基板的两个成膜面中的另一个相对的方式配置在搬送路的另一侧。
处理装置

[发明专利]成膜方法-CN201380023865.3有效
发明人：吉田隆;松本昌弘;谷典明;池田进;久保昌司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2013-04-04 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：一种成膜方法，所述成膜方法在基板形成由含氟树脂构成的有机层，具有：蒸镀膜形成工序，形成所述有机层作为蒸镀膜；膜厚测定工序，测定所述蒸镀膜的膜厚；以及判断工序，根据所述膜厚的测定结果，判断用于反馈的参数，以便修改所述蒸镀膜形成工序的条件。
方法

[发明专利]部件的制造方法及部件-CN201280022991.2有效
发明人：中牟田雄;松本昌弘;稻垣贵之;平松大典;谷典明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的部件的制造方法，其至少依次具备如下工序：工序A1，使用一侧的面由镍形成的基板，在所述一侧的面上通过溅射法形成以锡为主成分的合金膜；工序A3，在所述合金膜上，载置至少与所述合金膜的接触部位由铜和被镍包覆的铝中的任一个构成的部件；和工序A4，为了分别接合所述基板与所述合金膜之间以及所述合金膜与所述部件之间，实施热处理，在所述工序A1中，在减压气氛的空间内，对置阴极电极和阳极电极，在所述基板的所述一侧的面上形成所述合金膜时，向所述阴极电极施加DC电压，其中，所述阴极电极设有以锡为主成分的合金靶，所述设有所述基板。
部件制造方法

[发明专利]溅射用靶-CN201110083662.6无效
发明人：高桥明久;浮岛祯之;太田淳;谷典明;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法中，将以ZnO为主成分、添加有Al2O3和TiO2的靶(11)在真空氛围中进行溅射，在基板(21)表面上形成透明导电膜后，对该透明导电膜在250℃～400℃的温度下进行加热进行退火处理。得到的透明导电膜通过以ZnO为主成分、添加了Al和Ti，电阻率降低。通过本发明成膜的透明导电膜适于FDP等的透明电极。
溅射

[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置-CN201010535877.2无效
发明人：高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
布线形成方法晶体管以及电子装置

[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法-CN201010298454.3有效
发明人： 谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
光掩模坯光掩模以及制造方法

[发明专利]触摸面板、触摸面板的制造方法-CN200880120863.5有效
发明人：高桥明久;石桥晓;谷典明;浮岛祯之;高泽悟;中村久三;山本治彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及触摸面板以及触摸面板的制造方法。本发明提供一种耐久性高的触摸面板。在显示装置(10)和挠性面板(20)中的一方或两方的电极层(上部电极层(27)、下部电极层(30))的表面，呈岛状形成保护体(32)，透明导电膜(31)表面在保护体(32)之间露出。由于保护体(32)从透明导电膜(31)的表面较高地突出，所以，按压挠性面板(20)，上部电极层(27)和下部电极层(30)接触时，施加在透明导电膜(31)上的负荷被保护体(32)减轻，透明导电膜(31)不会破损。
触摸面板制造方法

[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置-CN200780040499.7有效
发明人：高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
布线形成方法晶体管以及电子装置

[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管及电子装置-CN200780040402.2有效
发明人：高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。
布线形成方法晶体管电子装置

[发明专利]导电膜形成方法、薄膜晶体管、带有薄膜晶体管的面板以及薄膜晶体管的制造方法-CN200780031894.9无效
发明人：高泽悟;武井应树;高桥明久;浮岛祯之;谷典明;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：成膜粘合性高、比电阻低的导电膜。将以铜作为主要成分的靶在导入有氮化气体的真空氛围气体中进行溅射，形成以铜作为主要成分、含有Ti等添加金属的导电膜(25)。该导电膜(25)与硅层(23)或基板(22)的粘合性高，不易从基板(22)上剥离。而且，由于比电阻低、对于透明导电膜的接触电阻也低，即使用于电极膜时，其电学特性也不会变差。通过本发明成膜的导电膜特别适合用于TFT或半导体元件的电极用屏障膜。
导电形成方法薄膜晶体管带有面板以及制造

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