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[发明专利]一种补丁处理的方法、第一设备及存储介质-CN202010920719.2在审
发明人： 谢江帆;殷罗英 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F8/658 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种补丁处理的方法、第一设备及存储介质，能够直接修改跳转指示区域中的位置指示信息，使应用了补丁函数的第一设备只需复制一页甚至较少的几页，不会分配较多的物理页来存储，占用空间较小，极大地消除频繁地应用补丁函数引发物理页增加的缺陷，有效减少内存开销。前述的方法包括：第一设备的存储空间包括跳转指示区域，跳转指示区域包括至少两个位置指示信息，位置指示信息用于指示与其对应的函数的位置，至少两个位置指示信息包括第一指示信息，第一指示信息用于指示第一函数对应的位置；获得补丁函数，补丁函数包括第一函数的补丁，响应于补丁函数激活，更新第一指示信息的值为第一值，第一值用于指示补丁函数的位置。
一种补丁处理方法第一设备存储介质

[发明专利]一种分布式仲裁集群中动态改变集群规模的方法及装置-CN201611248514.4有效
发明人：章立刚;卢忠亚;谢江帆 -专利权人：北京华为数字技术有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本申请涉及计算机技术领域，公开了一种分布式仲裁集群中动态改变集群规模的方法及装置，用以解决在动态变更分布式仲裁集群规模的过程中出现双主、多主或无主的问题。该方法为：主节点接收改变集群规模的指令，确定所述分布式仲裁集群在改变集群规模后包括的M个节点，M为正整数，所述M个节点中包括所述主节点和(M‑1)个从节点；所述主节点将所述指令转发至(M‑1)个从节点，并接收所述(M‑1)个从节点返回的确认响应，所述确认响应用于表征同意所述改变集群规模；若在一个心跳周期内，所述主节点接收到L个从节点发送的心跳信息，则执行所述改变集群规模的操作，
一种分布式仲裁集群动态改变规模方法装置

[发明专利]一种消息转换方法和装置-CN201511031322.3有效
发明人： 谢江帆;殷罗英 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种消息转换方法和装置，获取第一组件向第二组件发送的第一消息，识别第一组件和第二组件的软件版本，第一组件的软件版本与第二组件的软件版本不同，调取与所述第一组件的软件版本相符的第一消息类型描述文件，与所述第二组件的软件版本相符的第二消息类型描述文件，以确定出消息改动信息，根据所述消息改动信息修改所述第一消息的消息类型，得到改动后的消息类型，以所述改动后的消息类型生成第二消息，由于生成第二消息的过程需要依据所述第二消息类型描述文件，故所述第二消息可以被所述第二组件识别并处理，由此可以实现不同软件版本下的组件之间能够理解互相发送的消息，使得所述系统可以在软件升级过程中保持正常工作。
一种消息转换方法装置

[发明专利]补丁处理的方法和设备以及生成补丁的方法和设备-CN201510934339.3有效
发明人：赵干;谢江帆;周淼苗;庞立祥 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G06F8/658 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种补丁处理方法。该方法包括：当执行到第一函数中的第一调用指令，跳转到第二函数；当执行到第二函数的第一条指令，跳转到补丁文件的中间代码；按照中间代码的指令，将第一函数的表地址和第一调用指令的返回地址保存到补丁文件的预留空间；当执行到中间代码中的第二调用指令，跳转到补丁文件中用于对第二函数更新的第三函数；当完成第三函数的执行，按照第二调用指令的返回地址，返回中间代码；按照中间代码的指令，从预留空间中恢复第一函数的表地址和第一调用指令的返回地址；按照第一调用指令的返回地址，返回第一函数。此外，本发明实施例中还提供了一种补丁处理的设备以及一种补丁生成的方法和设备。
补丁处理方法设备以及生成

[发明专利]更新数据的方法和相关设备-CN201410241870.8有效
发明人：殷罗英;谢江帆;张建鹏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供更新数据的方法和相关设备，包括接收控制节点发送的第一模板标识符ID和第一数据解析模板；接收用户设备发送的第一更新消息；根据该第一模板ID和该第一数据解析模板，确定保存的第一关键字的数据；根据该第一更新消息和该第一数据解析模板，确定该第一关键字的数据中的更新数据；根据保存的该第一关键字的数据和该第一关键字的数据中的更新数据，更新该第一关键字的数据。上述技术方案中，当网格节点保存的数据中的部分数据发生更新时，可以仅更新部分数据，提高了数据更新以及冗余同步的效率。
更新数据方法相关设备

[发明专利]一种收集方法及装置-CN201310695010.7有效
发明人： 谢江帆;张建华;李继忠;翟季冬 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种收集方法，包括：构建程序中每个过程的控制流图和数据流图，识别每个过程的变量访问语句，收集每个过程中的变量访问语句的程序局部性信息；构建程序的调用流图，根据所述调用流图对所述程序进行遍历，收集各个变量访问语句的访问顺序和亲和性关系。本发明实施例还公开了一种收集装置。采用本发明，可收集到程序准确的访存信息，且对程序的执行干扰较小。
一种收集方法装置

[发明专利]计算机程序中热点函数、变量的汇聚方法、装置及系统-CN201310752005.5有效
发明人： 谢江帆;李继忠;张凯敏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G06F9/45 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种计算机程序中热点函数、变量的汇聚方法、装置及系统，其中计算机程序中热点函数的汇聚方法，包括：获取待处理的源程序；模拟执行所述源程序，并在所述源程序的执行过程中收集所述源程序中每个函数的调用信息，以生成关键路径文件，所述关键路径文件包括：执行所述源程序时的一条或多条函数关键路径；其中，函数关键路径用于描述执行所述源程序时的一个或多个热点函数，以及热点函数间的调用顺序；根据所述关键路径文件将所述源程序中位于同一函数关键路径上的热点函数依照调用顺序进行编译后链接在同一代码段内。本发明实施例能够有效降低指令Cache Miss和数据Cache Miss。
计算机程序热点函数变量汇聚方法装置系统

[实用新型]一种单晶炉用热屏悬挂机构-CN201120546461.0有效
发明人：罗斌;杨帆;谢江帆;雷世俊 -专利权人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉用热屏悬挂机构，涉及一种吊装结构，包括重锤，设于重锤上的提升架，若干连接提升架与热屏的抓扣，所述抓扣通过活动扣件连接热屏，所述活动扣件由设在抓扣上的卡口和固定在热屏上的卡块组成，所述卡块为一近L形的弯折件，其弯头与卡口上的开孔配合活动固定，其特征在于：所述提升架置于所述重锤顶端平面并套接于重锤顶端轴上，所述卡块的弯折角度为一钝角。本实用新型是一种结构更加简单合理、使用寿命长的热屏悬挂机构，以提高硅单晶生长的生产效率，降低生产成本。
一种单晶炉用热屏悬挂机构

[实用新型]直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器-CN201120546469.7有效
发明人：罗斌;谢江帆;杨帆;雷世俊 -专利权人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，其包括主要由连杆、钼重锤和籽晶夹头组成的籽晶夹持器本体，所述连杆设于钼重锤的上端，籽晶夹头设于钼重锤的下端，所述籽晶夹头内设有一上下贯通且与所夹持籽晶外形对应的空腔，所述籽晶夹头上设有一横向贯穿的排气孔。本实用新型籽晶夹持器采用大小头籽晶，籽晶即可牢固地固定在籽晶夹持器中不会脱落，籽晶受力均匀、承重量大、不易断裂，能确保单晶生长过程顺利完成；降低了生产成本，提高硅单晶的生产效率，籽晶夹头上有排气孔，装籽晶时封闭在夹持器中的空气，单晶炉抽空时能够排除，消除了安全隐患。
直拉法生长单晶硅籽晶夹持

[实用新型]直拉八英寸硅单晶热场-CN201120435339.6有效
发明人：雷世俊;吴雪霆;谢江帆;杨帆;陈军 -专利权人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉八英寸硅单晶热场，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率。
直拉八英寸硅单晶热场

[发明专利]直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法-CN201110346991.5无效
发明人：雷世俊;吴雪霆;谢江帆;杨帆;陈军 -专利权人：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率；本发明所述八英寸硅单晶的生产工艺方法包括单晶炉清炉、装炉、抽真空，熔化料，熔接，自动引晶、放肩、等径生长及收尾，利用该方法提高了生产效率和产品成品率。
直拉八英寸硅单晶热场硅单晶生产工艺方法

[发明专利]18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺-CN200910312899.X有效
发明人： 谢江帆;吴雪霆;徐杰;张俊;常宏伟;陈军;陈家红;黄建平 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺，采用18英寸热屏热场和带冷却系统的上轴磁流体密封装置，结合优化的拉晶工艺参数条件，可使热场保温性能好、能耗明显降低，气体流向顺畅、利于挥发物排走、成晶稳定，延长设备使用寿命、降低生产成本；减少磁铁退磁和磁流体蒸发、避免磁流体密封漏气掉渣而影响直拉单晶生长，提高密封性能、延长使用寿命；使引晶、等径、转肩等拉晶工艺稳定，提高生产效率和成品率。
18 英寸生长太阳能级直拉硅单晶工艺

[发明专利]一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置-CN201010300218.0有效
发明人：蒋娜;邓良平;程宇;朱铭;谢江帆 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空气氛下制备直径40mm以上的高阻区熔硅单晶的加热线圈及其配套装置，其中，一种多匝线圈装置用于真空提纯，另外一种单匝线圈装置用于真空成晶，两种装置配合使用；多匝线圈装置包括上短路环、多匝加热线圈、下短路环，单匝线圈装置包括单匝平板式加热线圈；本专利针对真空环境及大直径两个技术难点，为两个线圈设计了特别的尺寸规格及外形，并增加了有效的辅助配套部件，结果显示，使用该线圈及其配套装置，可以在真空气氛下对较大直径原料进行连续提纯，并将提纯后原料拉制成大直径高阻硅单晶，其质量达到探测器级标准。
一种真空气氛制备高阻区熔硅单晶加热线圈装置

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