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[发明专利]具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜及其制备方法-CN201711478200.8有效
发明人：赵高凌;谢君樑;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，以六氯化钨和草酸为原料配置前驱体溶液，再经溶剂热反应制备得到；所述的前驱体溶液中，六氯化钨的浓度为1～15g/L。本发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，通过引入草酸作为结构调整剂，在低W源浓度下提高氧化钨电致变色薄膜在导电基底上的附着量，有效提高光谱调节范围，增加原料利用率。该制备方法简单，成本低廉，安全可靠。
电致变色薄膜制备氧化钨高光谱草酸前驱体溶液六氯化钨结构调整剂溶剂热反应原料利用率光谱调节原料配置导电基附着量引入

[发明专利]一种具有微米级束带状结构的三氧化钨及其制备方法和应用-CN201810902404.8有效
发明人：赵高凌;曾安平;谢君樑;卢王威;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有微米级束带状结构的三氧化钨及其制备方法，通过将甲硫氨酸溶于盐酸溶液，得到甲硫氨酸溶液；再与钨酸盐溶液混合得到前驱体溶液，进行水热反应。制备得到的具有微米级束带状结构的三氧化钨具有多级结构，由纳米棒束在与[001]方向垂直的方向上的表面相互附着，再继续沿[001]方向定向生长最终组装得到；所述具有微米级束带状结构的三氧化钨长度为1～2μm，纳米棒束长度为400～600nm。本发明提供了一种具有微米级束带状结构的三氧化钨，为首次发现的新形貌，该独特形貌的三氧化钨具有优异的吸附性能，可应用于废水处理领域。
三氧化钨带状结构微米级形貌纳米棒制备制备方法和应用废水处理领域甲硫氨酸溶液前驱体溶液钨酸盐溶液定向生长多级结构方向垂直甲硫氨酸水热反应吸附性能盐酸溶液附着组装应用发现

[发明专利]无外接电源的电致变色器件及其制备方法和实现快速褪色的方法-CN201710414393.4有效
发明人：赵高凌;谢君樑;卢王威;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种无外接电源的电致变色器件，包括：按顺序布置的第一衬底、电致变色薄膜层、离子导电层和第二衬底；以及，工作时浸入所述离子导电层，且与所述电致变色薄膜层电连接的可插拔电极；所述的离子导电层的材料包括H₂SO₄液态电解质；所述的可插拔电极为Ca合金电极。本发明提供了一种无外接电源的电致变色器件，无需外加电源即可实现电致变色，大大简化了器件的结构。
外接电源变色器件及其制备方法实现快速褪色

[发明专利]一种基于Al3+离子的全固态电致变色器件及其制备方法-CN201710359326.7有效
发明人：赵高凌;谢君樑;卢王威;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G02F1/1514 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al³⁺离子的全固态电致变色器件，由上至下依次为第一透明导电层、电致变色薄膜层、离子导电层和第二透明导电层，所述的离子导电层为Al³⁺离子固态电解质。本发明提供了一种基于Al³⁺离子的全固态电致变色器件及其制备方法，制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，制备得到的全固态电致变色器件响应速度快，电致变色层微观结构及厚度可控，易于推广。
一种基于 al3 离子固态变色器件及其制备方法

[发明专利]具有高光谱调节范围的钨基氧化物电致变色薄膜及其制备方法-CN201710952885.9有效
发明人：赵高凌;谢君樑;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高光谱调节范围的钨基氧化物电致变色薄膜的制备方法，以六氯化钨和柠檬酸为原料配置前驱体溶液，再经溶剂热反应制备得到；所述的前驱体溶液中，六氯化钨的浓度为1～10g/L。本发明公开了一种具有高光谱调节范围的钨基氧化物电致变色薄膜的制备方法，通过添加柠檬酸，以低浓度的W源制备出与高浓度W源性能相近的W₁₈O₄₉电致变色薄膜，实现了原料的高效利用，避免浪费，从而降低了生产成本。
具有光谱调节范围氧化物变色薄膜及其制备方法

[发明专利]一种多级结构WO₃及其制备方法-CN201710189012.7有效
发明人：赵高凌;谢君樑;龚海明;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级结构WO3，由直径为20～80nm纳米针状的一级结构组装形成直径为3～8μm花盘状的二级结构。该产品形貌规整，结构可控。本发明还公开了该多级结构WO3的制备方法，以钨酸钠为原料，以甲硫氨酸为结构调整剂，经水热反应制备得到。该制备工艺简单、可控。
一种多级结构 wo3 及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯/四氧化三锰复合材料及其制备方法-CN201510852694.6在审
发明人：李宏;龙羽婷;谢君樑 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/四氧化三锰复合材料及其制备方法。一种石墨烯/四氧化三锰复合材料，其特征在于，它是以石墨粉、浓硫酸、硝酸钠、高锰酸钾、四水乙酸锰为基质材料，采用改进Hummers’法制备氧化石墨烯，采用溶剂热法进一步制备得到石墨烯/四氧化三锰复合材料；其步骤为：1-2g石墨粉与20-40mL浓硫酸混合，加入100-200mg硝酸钠搅拌后，水浴加入1-3g高锰酸钾，将浓度为4.00-5.00mg/mL的氧化石墨烯分散液分散于乙醇-水混合溶剂中，氧化石墨烯与四水乙酸锰质量比为1:1-1:30，其后在160℃-200℃条件下反应8-12小时。本方法操作简单，成本低，对设备无特殊要求，可应用于超级电容器、电池、汽车、军用设施等领域。
一种石墨氧化复合材料及其制备方法

[发明专利]一种稳定石墨烯胶体分散液的制备方法-CN201410184134.3有效
发明人：李宏;陈希元;谢君樑;黄进;刘子睿 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定的石墨烯胶体分散液的制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。它是通过改进的Hummer’s法制备氧化石墨烯，还原后使用分散剂处理，可获得稳定的石墨烯胶体分散液，其浓度为0.21～0.25mg/mL，其中含有14～25wt％的单层石墨烯。该石墨烯胶体分散液具有丁达尔效应，其zeta电位为-41～-33mV，石墨烯的平均粒径为250～400nm。该方法简单易行，反应过程容易控制，对设备无特殊要求，成本较低，易于推广，可广泛应用于纳米电子学、传感器、纳米复合物、电池、超级电容器以及储氢材料等领域。
一种稳定石墨胶体分散制备方法

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