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[发明专利]交流发光装置-CN201210291556.1有效
发明人： 许进恭 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种交流发光装置，包含多个发光单元，位于基板上。每个发光单元包含第一发光次单元、第二发光次单元及隧穿结层。其中隧穿结层位于第一发光次单元及第二发光次单元之间，用以电性耦合第一发光次单元及第二发光次单元。至少一个导电层电性连接这些发光单元，使得同一发光单元的第一发光次单元及第二发光次单元依交流电源正、负半周期电压的驱动而轮流发光。
交流发光装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201210251100.2有效
发明人：谢炎璋;许进恭;刘恒;李君超;施雅萱;陈嘉南 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一型掺杂层、第二型掺杂层及电性耦合于第一型掺杂层与第二型掺杂层之间的内部电性连接层。在一实施例中，使用四族元素前驱物(group IV based precursor)与氮基前驱物(nitrogen based precursor)以形成内部电性连接层。在另一实施例中，使用含碳材料作为掺杂源以形成内部电性连接层，且内部电性连接层中碳元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。在又一实施例中，内部电性连接层的形成温度小于第一型掺杂层的形成温度及第二型掺杂层的形成温度。
半导体装置形成方法

[发明专利]发光二极管装置-CN201210370912.9有效
发明人： 许进恭;赖韦志 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种发光二极管装置，包括至少一发光二极管单元。每一发光二极管单元包括第一发光二极管、第二发光二极管及IV族氮化物结构。IV族氮化物结构作为隧穿结位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。IV族氮化物结构富含IV族元素，并且包括至少一IV族氮化物层，以及位于IV族氮化物层内的多个IV族纳米颗粒。
发光二极管装置

[发明专利]半导体发光装置-CN201310049777.2有效
发明人：邵世丰;刘恒;许进恭 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：种半导体发光装置，包含：电路板，具有布线层和固晶区；至少一个正端点，设置于所述布线层上；至少一个负端点，设置于所述布线层上；至少一个功能端点，设置于所述布线层上；以及至少一个半导体发光晶片，设置于所述固晶区内，并与所述正端点、所述负端点或所述功能端点电性耦合，以形成各种排列配置。
半导体发光装置

[发明专利]半导体装置-CN201210251355.9有效
发明人：谢炎璋;许进恭;刘恒;李君超;施雅萱;陈嘉南 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包含p型掺杂层、n型掺杂层及内部电性连接层，其电性耦合于p型掺杂层与n型掺杂层之间。在一个实施例中，内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且四族元素与氮元素的原子数占上述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。在另一个实施例中，内部电性连接层包含碳元素，其掺杂浓度大于1017原子/立方厘米。在又一个实施例中，内部电性连接层的形成温度小于p型掺杂层的形成温度及n型掺杂层的形成温度。
半导体装置

[发明专利]堆栈半导体装置及其制造方法-CN201210230507.7有效
发明人： 许进恭;赖韦志 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种堆栈半导体装置及其制造方法。提供一第一半导体单元，其具有不是极化平面的第一表面。在第一表面上形成至少一凹坑，该凹坑具有第二表面，且第二表面的延伸方向与第一表面的延伸方向具有一夹角。在第二表面上形成一极化增强的隧穿结层，并且在隧穿结层上形成第二半导体单元。
堆栈半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管装置及其制造方法-CN201210140315.7有效
发明人：卢怡安;许进恭;施雅萱 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管装置，包含至少一发光二极管单元，其具有一基板，一位于基板上的电性耦合层，位于电性耦合层上的并接型磊晶结构，及位于电性耦合层与并接型磊晶结构之间的中间层。在另一实施例中，并接型磊晶结构位于导电层上，电性耦合层位于并接型磊晶结构上，且中间层位于并接型磊晶结构与电性耦合层之间。
发光二极管装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管装置-CN201210129452.0无效
发明人：刘恒;许进恭 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管装置，包含至少一堆栈发光二极管单元，其由多个磊晶结构通过穿隧接面所堆栈形成。根据实施例的特征之一，对于某一给定的预设输入功率，堆栈的多个磊晶结构使得堆栈发光二极管单元的操作电流密度降低而趋近量子效率峰值。根据实施例的另一特征，对于某一给定的预设输入功率，堆栈发光二极管单元操作于量子效率峰值的20％降幅以内所对应的电流密度区间。
发光二极管装置

[发明专利]发光二极管装置-CN201210045763.9无效
发明人： 许进恭;张志原;刘恒;赖韦志 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种发光二极管装置，包含第一发光二极管、第二发光二极管及超晶格结构以迭加第一发光二极管与第二发光二极管。超晶格结构具有一吸收光谱，第一发光二极管的第一主动层具有一第一发射光谱，第二发光二极管的第二主动层具有一第二发射光谱。吸收光谱位于第一发射光谱与第二发射光谱两者之中至少一者的相对短波长侧。
发光二极管装置

[发明专利]光电转换元件-CN200810145853.9无效
发明人： 许进恭;颜良吉;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种光电转换元件，其包含依序堆叠的一太阳能磊晶层、一结合层与一发光二极管磊晶层，其中该结合层设有可让光线通过的多个孔洞，据而让该太阳能磊晶层可吸收环境光线而产生电能，并可通过一外部二次电池加以储存，以在没有环境光线的时候，通过该外部二次电池供给电能驱动该发光二极管磊晶层产生光线，据此其设置于户外时，不需考虑电源供应的问题，而可作为广告牌、交通号志、警示灯等使用。
光电转换元件

[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构-CN200410033728.0有效
发明人：许世昌;许进恭 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆晶式发光二极管封装结构，包含一萧特基二极管群、一发光二极管及多个凸块，其中萧特基二极管群包含多个萧特基二极管，且这些萧特基二极管用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块配置于一萧特基二极管与发光二极管之间，使得萧特基二极管群与发光二极管反向并联，而此发光二极管以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极管上。此覆晶式发光二极管封装结构可有效防止静电破坏，并可提高光取出效率，而且萧特基二极管的子基座为硅材质，其散热性良好，故可增加本覆晶式发光二极管封装结构的寿命。
覆晶式发光二极管封装结构

[发明专利]发光二极管结构-CN200410029460.3有效
发明人： 许进恭;赖韦志;温子稷;蔡吉明 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种发光二极管结构，该结构包括一半导体层、一第一电极及一第二电极，其中半导体层至少包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层及一发光层，发光层位于第一型掺杂半导体层部分区域上，第二型掺杂半导体层位于发光层上，且第一电极是位在发光层分布区域以外的第一型掺杂半导体层上，以及第二电极位在第二型掺杂半导体层上。此外发光层包括多数不同量子井结构(多重量子井结构或单一量子井结构)，此多数不同量子井结构相互交错。本发明因采用具有多数不同量子井结构，且彼此交错配置，故载子在经过这些不同量子井结构作用后可发出多种不同波长的光线，且各种波长光线在混光后可得到较低色温白光，其演色性及色温可调整性十分优异。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管的焊球制造工艺-CN200410006915.X有效
发明人：许世昌;许进恭 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的焊球制造工艺，首先提供一发光二极管芯片，而发光二极管芯片具有多个电极，接着放置一模板在发光二极管芯片上，模板具有多个开口，对应暴露这些电极，并以印刷的方式，在这些电极上形成多个焊料块。最后掀离模板，并回焊这些焊料块。其中，利用印刷来形成焊料块的方式，其具有快速且低成本的特点，且焊料块的成分以及厚度均可控制得宜，有助于提升后续的发光二极管芯片封装的可靠度。
发光二极管制造工艺

[发明专利]发光二极管-CN200410006918.3无效
发明人：许生杰;古锦福;洪文庆;许进恭;许世昌 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极以及透明保护层。其中，半导体层是位于基材，其例如由一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层所构成。透明导电层配置于半导体层上。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极透过透明导电层与第二型掺杂半导体层电性连接。本发明的透明保护层除了可增加组件亮度外，并可隔绝湿气保护组件，以提升组件寿命。
发光二极管

[发明专利]白光发光二极管-CN200410004849.2无效
发明人：许世昌;许进恭;吴瑞孔;陈泰佑;黄昭龙;郑朝元 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种白光发光二极管，至少包括一激发光源及一荧光粉，其中激发光源可发出波长介于250nm至490nm间之一光线，而荧光粉则配置于激发光源周围，以接收激发光源所发出的光线。此外，荧光粉的材质是选自(Tb_3－x－yCe_xRe_y)Al₅O₁₂，(Me_1－x－yEu_xRe_y)₃SiO₅，YBO₃∶Ce³⁺，YBO₃∶Tb³⁺，SrGa₂O₄∶Eu²⁺，SrAl₂O₄∶Eu²⁺，(Ba，Sr)MgAl₁₀O₁₇∶Eu²⁺，Mn²⁺，Y₂O₃∶Eu³⁺，Y₂O₃∶Bi³⁺，(Y，Gd)₂O₃∶Eu³⁺，(Y，Gd)₂O₃∶Bi³⁺，Y₂O₂S∶Eu³⁺，Y₂O₂S∶Bi³⁺，(Me_1－xEu_x)ReS，6MgO，As₂O₅∶Mn，Mg₃SiO₄∶Mn，BaMgAl₁₀O₁₇∶Eu²⁺，及(Ca，Sr，Ba)₅(PO₄)₃Cl∶Eu²⁺，Gd³⁺.所组成的族群其中之一。此白光发光二极管具有较高的发光效率及较佳的演色性。
白光发光二极管

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