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[发明专利]用于自动泊车的方法和装置-CN202211702361.1在审
发明人： 许耀华 -专利权人：纵目科技(上海)股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B60W30/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于自动泊车的方法和装置。一种用于自动泊车的方法，包括：接收自动泊车指令；获取车辆的泊车信息；根据所述泊车信息来确定所述车辆的车辆状态信息；以及根据所述车辆状态信息和所述车辆的当前操作状态，使所述车辆进入对应的操作状态，其中所述操作状态包括正在泊车状态，并且所述正在泊车状态包括原路返回子状态。
用于自动泊车方法装置

[实用新型]适用于纳米材料检测用傅里叶红外光谱仪-CN202220674697.0有效
发明人： 许耀华 -专利权人：中科百测（天津）检测技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了适用于纳米材料检测用傅里叶红外光谱仪，包括设备主体以及居中固定安装于设备主体顶端一侧的扫描台，所述扫描台的顶端居中固定设置有样本承装机构，所述设备主体顶端的中心开设有安装槽，且安装槽内固定设置有配合样本承装机构的样本检测机构，所述样本承装机构包括安装板，所述安装板顶端的中心开设有圆孔，且圆孔内转动设置有转轴，所述转轴固定连接于扫描台，所述安装板的外缘面上构造有连接件，且连接件远离安装板的一端固定连接有环状板。该适用于纳米材料检测用傅里叶红外光谱仪，可实现对于多个样本的快速更换，省时省力，给工作人员带来了便利，还便于拆卸，操作简单、快捷，便于工作人员进行维护。
适用于纳米材料检测用傅里叶红外光谱仪

[实用新型]一种兼备DSC与TGA测量技术的同步热分析仪-CN202220673712.X有效
发明人： 许耀华 -专利权人：中科百测（天津）检测技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种兼备DSC与TGA测量技术的同步热分析仪，包括支撑台，还包括扫描仪和分析仪，所述支撑台的顶部安装有并排设置的扫描仪和分析仪，所述扫描仪和分析仪之间连接有导管，所述扫描仪的顶部连接有降温筒，所述降温筒的顶部连接有加热筒，所述支撑台的侧壁安装有降温水箱，所述支撑台的侧壁构造有斜槽，且斜槽内嵌套安装有显示屏，所述降温筒的内周构造有螺旋槽，且螺旋槽内安装有螺旋降温管，所述螺旋降温管的内周安装有散热翅片，所述散热翅片的底部连接有冷凝水排出管。能够保证同步热分析仪的使用效率，提高同步热分析仪的日检测量，避免降温时凝结的冷凝水影响后续的检测，利于保证检测精度。
一种兼备 dsc tga 测量技术同步分析

[发明专利]一种协作空间通信方法及装置-CN202110138176.3有效
发明人：胡昌桂;杨承东;刘涛;王玉;邹海平;王翊;欧梦添;许耀华;黄林生;刘为俊;冯伟;李华 -专利权人：中铁第四勘察设计院集团有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04L67/101 文献下载
摘要：本申请公开了一种协作空间通信方法及装置，所述方法包括：基于终端设备的位置分布将服务器集划分为至少一个服务器组，所述服务器组包括至少一个移动边缘计算服务器，根据历史请求信息的传输延时确定所述移动边缘计算服务器所对应的存储层，基于所述服务器集的分组结果和所述移动边缘计算服务器所对应的存储层，确定用于处理所接收到的信息请求的移动边缘计算服务器。通过本申请实施例，能够降低网络中信息的传输延时。
一种协作空间通信方法装置

[实用新型]半导体材料的化学机械减薄抛光装置-CN202221913102.9有效
发明人： 许耀华 -专利权人：北京中科百测检测技术有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及抛光装置的技术领域，特别是涉及半导体材料的化学机械减薄抛光装置，其便于固定抛光垫，提高工作效率，增强实用性；包括抛光机本体和固定机构，固定机构安装在抛光机本体上；固定机构包括两组支板、两组顶板、两组压杆、两组限位环和两组弹簧，抛光机本体包括抛光机构、转动机构和底座，抛光机构和转动机构均安装在底座顶部，两组支板分别固定安装在转动机构左端和右端，两组顶板分别固定安装在两组支板内端，两组顶板顶部分别设置有第一通孔，两组压杆分别与两组第一通孔滑动连接，两组限位环分别固定安装在两组压杆底部，两组限位环顶部与两组支板底部分别通过两组弹簧连接。
半导体材料化学机械抛光装置

[发明专利]一种智能泊车系统的曲率连续泊车路径规划装置和方法-CN202010896788.4有效
发明人：陈康舒;余恒;郭朝科;张功甜;牟剑秋;许耀华 -专利权人：纵目科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B60W60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种智能泊车系统的曲率连续泊车路径规划装置，包括：传感器组件和信号处理组件；所述传感器组件，设置在车辆周身，用于采集所述车辆本身位姿信息及所述车辆周边的环境信息；所述信号处理组件，根据不同所述传感器组件提供的所述车辆周边的环境信息，从中确定空泊车位，并确定所述空泊车位与所述车辆的当前位姿间的曲率连续的泊车路径规划。曲率连续的路径有利于车辆跟踪时，减小离心力的变化，增加了车辆的舒适性和稳定性，曲率无突变，无需停车转向。
一种智能泊车系统曲率连续路径规划装置方法

[实用新型]一种适用于催化剂表面结构检测的物理吸附分析仪-CN202220840379.7有效
发明人： 许耀华 -专利权人：中科百测（天津）检测技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01N7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及催化剂检测的技术领域，特别是涉及一种适用于催化剂表面结构检测的物理吸附分析仪，其通过设置此设备，可以智能检测滑板在检测桶内滑动的变化值，从而提高其检测精度；包括工作台、四组支腿、检测桶、料桶、滑板和智能检测装置，四组支腿安装在工作台底端，检测桶安装在工作台顶端左侧，检测桶底端连通设置有安装头，料桶可安装在安装头上，滑板在检测桶内滑动，工作台上设置有智能检测装置，智能检测装置与滑板连接，智能检测装置包括键盘、电脑、连杆、顶板、触头、感应条、进气阀和进气管，键盘放置在工作台顶端，感应条与电脑电连接，进气管输出端穿过检测桶右端下部与检测桶连通，进气阀安装在进气管上。
一种适用于催化剂表面结构检测物理吸附分析

[实用新型]用于低温及多种气氛条件检测的傅里叶变换红外光谱仪-CN202220840378.2有效
发明人： 许耀华 -专利权人：中科百测（天津）检测技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及红外光谱仪的技术领域，特别是涉及一种用于低温及多种气氛条件检测的傅里叶变换红外光谱仪，其通过设置此设备，可以通过变换样品放置框内样品的位置来对其不同位置进行多次检测，提高其检测准确性；包括红外光谱仪、接线盒、控制面板、合页、盖板、样品放置框和调节装置，接线盒安装在红外光谱仪后端，接线盒与电源连接，控制面板安装在红外光谱仪顶端，控制面板与红外光谱仪电连接，调节装置包括横约束架、横螺杆、第一滑块、第一螺环、纵约束架、纵螺杆、第二滑块、第二螺环和两组手轮，第二螺环安装在第二滑块中部，第二螺环与纵螺杆螺纹连接，样品放置框安装在第二滑块底端，两组手轮分别安装在横螺杆右端和纵螺杆前端。
用于低温多种气氛条件检测傅里叶变换红外光谱仪

[发明专利]一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片-CN202211359632.8在审
发明人： 许耀华;林泽远;柏娜;王翊;叶瑞;张朋帅 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片，所述低压差线性稳压器包括：低电压基准电压源电路；误差放大电路，所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端；双环反馈电路，包括抗辐照电路，所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端；以及功率调节电路，所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端，所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端。通过本发明公开的一种低压差线性稳压器，提高了低压差线性稳压器的抗辐照能力和电路响应速度。
一种低压线性稳压器电压电源管理芯片

[发明专利]一种18T抗辐照SRAM存储单元电路-CN202211023666.X在审
发明人： 许耀华;周月亮;柏娜;王翊;李赟菲;陈子涵 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。
一种 18 辐照 sram 存储单元电路

[发明专利]一种集成电路版图设计教学辅助系统-CN202211028641.9在审
发明人：柏娜;屈睿峥;王翊;许耀华;林泽远;董任钦 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路版图设计教学辅助系统，包括：电路图设计单元，版图设计单元及错误检查单元，所述电路图设计单元被配置为根据电路图创建指令创建电路原理图，并将生成的所述电路原理图发送给所述版图设计单元；所述版图设计单元被配置为根据接收到的所述电路原理图在版图设计界面生成初始版图，并根据版图设计指令来对所述初始版图进行版图设计，以生成集成电路版图；所述错误检查单元被配置为对版图设计过程中的版图对象进行实时的错误检查，并将检查到的错误信息反馈给使用者。本发明，通过对版图设计过程中的版图对象进行实时的错误检查并反馈，方便使用者查看和修改错误，减少错误率，提高使用者的学习效率，减少学习周期。
一种集成电路版图设计教学辅助系统

[发明专利]一种抗侧信号攻击存储单元-CN202211010294.7在审
发明人：柏娜;马君武;许耀华;王翊;吕纪明;陈小杰 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路，在写操作电路写入数据后，利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性，提高了存储单元抗功耗攻击的能力。
一种信号攻击存储单元

[发明专利]一种轻微动作扰动场景下基于DTW距离KNN的区域内人员入侵探测方法-CN202211046082.4在审
发明人：蒋芳;李睿;杨雅情;许耀华;王翊;胡艳军 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H04B17/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种轻微动作扰动场景下基于DTW距离KNN的区域内人员入侵探测方法，与现有技术相比解决了难以在轻微扰动环境下进行人员入侵探测的缺陷。本发明包括以下步骤：探测区域内wifi数据的收集；数据预处理；构建训练数据集、验证数据集与测试数据集；CSI时域特征的提取；区域内人员入侵的探测；测试数据集分类结果的获得。本发明通过提取不同人员状态下无线信号状态信息之间的幅值差作为CSI的时域特征，能更好的区分在轻微动作扰动场景下不同人员状态的探测区域内无线信号的信道状态。
一种轻微动作扰动场景基于 dtw 距离 knn 区域内人员入侵探测方法

[发明专利]一种抗辐照存储单元-CN202211023668.9在审
发明人：柏娜;陈子涵;许耀华;王翊;吕纪明;周月亮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照存储单元，其由10个一类MOS晶体管、8个二类MOS晶体管和4个存储节点构成，10个一类MOS晶体管依次定义为P1～P10，8个二类MOS晶体管依次定义为N1～N8，4个存储节点依次为第一存储节点Q、第二存储节点QB、第一冗余节点S0及第二冗余节点S1。本发明的抗辐照存储单元的第一冗余节点S0和第二冗余节点S1均只由PMOS晶体管包围，在不同存储状态下，总有1个节点处于极性加固状态，可以有效避免发生数据翻转；同时节点数据的稳定保证了剩余节点可以在发生翻转后通过电路反馈恢复至初始状态，从而使得电路抗SEU的能力得到了提高。
一种辐照存储单元

[发明专利]存储单元、差分存储单元及非易失性存储器-CN202211028643.8在审
发明人： 许耀华;陈小杰;王翊;柏娜;高东升;杨帅 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开一种存储单元、差分存储单元及非易失性存储器，该存储单元包括控制晶体管，作为电容器件，所述控制晶体管的阱作为控制端口；第一读取晶体管，第一读取晶体管的源极与阱相连作为读取端口；第二读取晶体管，第二读取晶体管的阱和源极与地电压相连；及选择晶体管，选择晶体管的栅极作为选择端口，选择晶体管的源极作为信号输出端口，选择晶体管的阱与地电压相连，第一读取管的漏极、第二读取管的漏极及选择管的源极相连；控制晶体管的栅极、第一读取晶体管的栅极和第二读取晶体管的栅极互相连接形成浮栅。本发明的存储单元编程和擦除操利用FN隧穿效应，具有功耗低、存储密度高，面积小，擦写忍耐性及数据保持性强，以及读取速度快的特点。
存储单元非易失性存储器