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[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法-CN201310226626.X有效
发明人：许嘉哲;黃家琦;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供一种有源矩阵有机发光二极管组件，包括衬底和位于所述衬底上的多个像素，每个像素至少包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述有机发光二极管，所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、覆盖所述半导体层的栅绝缘层、及位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述半导体层包括第一导电类型的源区和漏区，以及所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区。由此，可改善AMOLED组件的漏电流，避免因漏电流过大造成组件操作不稳定甚至失效。
薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法

[发明专利]一种LTPS产品中制造缓冲层的方法-CN201310145646.4有效
发明人：李原欣;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在LTPS产品中制造缓冲层的方法，具体步骤包括对基板进行加热，基板内部的碱金属离子被扩散至玻璃层表面；对基板进行酸洗，基板表面的碱金属离子被去除；在被加热和酸洗后的玻璃层上制造缓冲层，缓冲层为SiOx层。基于采用一层缓冲层的设计，该方案能够大大提升产能，节省气体，并且避免多层结构所产生的交叉污染，提升元件特性。
一种 ltps 产品制造缓冲方法

[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法-CN201310251908.5有效
发明人：许嘉哲;黄家琦;陈韦廷;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法。一种薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的半导体层，包括源区、漏区和沟道区；覆盖所述半导体层的第一栅绝缘层；位于所述第一栅绝缘层上的第二栅绝缘层底脚，所述第二栅绝缘层底脚的宽度小于所述第一栅绝缘层的宽度；位于所述第二栅绝缘层底脚上的栅电极，其中，所述第一栅绝缘层的位于所述半导体层上的部分具有平坦上表面。
薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管组件制造方法

[发明专利]制造IGZO层和TFT的方法-CN201310281940.8有效
发明人：黄家琦;许民庆;蔡学明;左文霞 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造IGZO层和TFT的方法，包括(1)沉积IGZO层，并在所述IGZO层上形成表面氧保护层；(2)对IGZO层进行光致抗蚀剂涂布，并对所述光致抗蚀剂进行曝光和显影处理，以形成光致抗蚀剂图案；以及(3)对IGZO层进行蚀刻，之后进行去光致抗蚀剂处理。本发明的制造IGZO层和TFT的方法通过形成氧保护层，有效地阻挡H原子对IGZO层的影响，避免H原子将IGZO层由半导体转变为导体，从而提高IGZO层和TFT的稳定性，降低由于器件长时间连续使用而产生的阈值电压负向偏压。
制造 igzo tft 方法

[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法-CN201310251969.1有效
发明人：许嘉哲;黄家琦;陈韦廷;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、有源矩阵有机发光二极管组件及制造方法。一种薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括源区、漏区、沟道区、与所述沟道区相邻的第一轻掺杂漏极区、与所述第一轻掺杂漏极区相邻的第二轻掺杂漏极区，其中，所述第二轻掺杂漏极区的掺杂浓度低于所述第一轻掺杂漏极区的掺杂浓度。
薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管组件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底结构及其制造方法-CN201410172743.7在审
发明人：黄家琦;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管阵列衬底结构及其制造方法。薄膜晶体管阵列衬底结构包括基板、遮光层和低氢含量层。遮光层包括形成于基板上的氮化硅层和形成于氮化硅层上的遮光层非晶硅。低氢含量层包括形成于遮光层非晶硅上的氧化硅层和形成于氧化硅层上的低氢含量层多晶硅。本发明中遮光层的膜层数目和低氢含量层的膜层数目相同。因此，薄膜晶体管阵列衬底结构中制作遮光层的时间与制作低氢含量层大致相同，由此平衡了遮光层和低氢含量层的产能，进而使得薄膜晶体管阵列衬底结构的整体产能大幅提升；同时降低了制程过程中的一些风险。
薄膜晶体管阵列衬底结构及其制造方法

[发明专利]制造栅极绝缘层的方法-CN201410050579.2在审
发明人：黄家琦;许民庆;罗易腾;李原欣 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造栅极绝缘层的方法，包括：采用化学气相沉积法，在栅极上依次沉积氮化硅层和氧化硅层，得到所述氮化硅层和所述氧化硅层顺次层叠的栅极绝缘层，其中所述栅极为Cu栅极。采用本发明的方法制造栅极绝缘层，可有效保护Cu栅极和有源半导体层，沉积形成的氮化硅层可有效隔离氧，防止Cu被氧化，而沉积形成的氧化硅层可有效隔离氢，防止有源半导体层被还原，此外该氮化硅/氧化硅层叠结构的栅极绝缘层可有效阻挡玻璃基板内的碱金属离子，增强抗静电释放能力并降低漏电流，提高等效电容。
制造栅极绝缘方法

[发明专利]制备多晶硅层的方法-CN201310264674.8在审
发明人：叶昱均;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多晶硅层的方法，通过分批多次沉积非晶硅薄膜，并在每次沉积工艺后均进行准分子镭射工艺，不仅能够将非晶硅薄膜完全转化为多晶硅薄膜，并且能够控制多晶硅薄膜的均匀性，若干多晶硅薄膜依次层叠形成一多晶硅层，从而获得均匀性较好的多晶硅层，在提高产品性能的同时，还有效避免了显示器件中色差问题的发生，进而大幅提高了产品的良率。
制备多晶方法

[发明专利]溅镀设备及溅镀方法-CN201310133001.9在审
发明人： 许民庆;储培鸣 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅镀设备及溅镀方法，溅镀设备包括：腔体；旋转靶材机构，设置在所述腔体中部，所述旋转靶材机构的相反两侧能够设置第一靶材和第二靶材；所述旋转靶材机构包括旋转轴，并能够绕着所述旋转轴旋转；以及密封机构，设置在所述旋转靶材机构的两侧，用于与所述旋转靶材机构和所述腔体耦合以将所述腔体隔离成两个密封的腔室，所述两个腔室用于在其中分别设置第一基板和第二基板，其中所述旋转靶材机构包括相对设置的第一靶材固定件和第二靶材固定件，用于固定所述第一靶材和第二靶材。本发明的溅镀设备和溅镀方法具有旋转靶材机构，因此能够在同一腔体中同时溅镀两种镀膜，实现了连续溅镀，提高溅镀效率。
设备方法

[实用新型]多晶硅制备装置-CN201320300140.1有效
发明人：叶昱均;许民庆 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔，还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔；上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围，且均与该缓冲腔连接；所述缓冲腔内设置有一机械手臂，该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆；所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内，所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起，能够节省工艺步骤和占地空间。
多晶制备装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201210196552.5无效
发明人： 许民庆;张芳芳;李宏远;于艳玲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。此方法为在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层与掺杂半导体层，然后用等离子体氮化处理，使其在掺杂半导体层的表面形成Si-N弱键结，接着沉积第二金属层，并蚀刻形成源极、漏极并曝露出源极和漏极之间的半导体层。由于在第二金属层沉积之前，掺杂半导体层上已经形成Si-N弱键结，这种方法避免了第二金属层与掺杂半导体层中的硅原子形成键结，并因此减小了接触阻抗同时防止蚀刻速率变慢造成蚀刻残留。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210102931.3有效
发明人： 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象。
薄膜晶体管

[发明专利]液晶显示面板阵列基板及其制造方法-CN201210103318.3有效
发明人： 许民庆;高翔 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种液晶显示面板阵列基板的金属布线及其制作方法，包括如下步骤，首先连续沉积多层金属膜，然后蚀刻该金属膜形成金属布线，使其具有倾斜侧边包含有一曝露面，接着采用氢气的等离子体处理该金属布线的倾斜侧边，然后再采用氮气的等离子体处理该倾斜侧边，在金属布线的曝露面形成氮化铝的薄膜。
液晶显示面板阵列及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人： 许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种液晶显示面板阵列基板的制作方法-CN201110453765.7有效
发明人： 许民庆;杨妮;庄塗城;余鸿志 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种提升液晶显示面板阵列基板穿透率的制作方法，包括如下步骤，首先提供一基板，依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极、源极和漏极于该基板上，再形成第一钝化层覆盖该源极、漏极、半导体层和该栅极绝缘层，接着再形成第二钝化层覆盖第一钝化层，最后再形成第二透明电极于该第二钝化层上，其中第一钝化层的沉积功率小于5500瓦，第二钝化层的沉积功率大于5000瓦。
一种液晶显示面板阵列制作方法

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