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[实用新型]一种含量子点的LED芯片结构-CN201520978473.9有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含量子点的LED芯片结构，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，半导体上分别设置有金属电极，还包括直接覆盖在LED晶圆外的光阻层，光阻层由光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有量子点，可根据量子点所采用的材料对LED晶圆发出的光线进行调节，得到所需要的各种颜色的LED发光芯片。
一种量子 led 芯片结构

[实用新型]一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构-CN201520978391.4有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，LED晶圆外覆盖有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点,所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力优秀，使光阻层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，降低制造成本；同时由于光阻层内带有GaAs、CdHgTe、Ag₂S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线。
一种发出红外光氮化 led 芯片结构

[实用新型]一种全彩氮化镓基LED芯片结构-CN201520978537.5有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上依次设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层，光阻层内不同区域分别掺入不同颗粒度和不同种类的量子点，使LED芯片形成红光区和绿光区。本实用新型的全彩氮化镓基LED芯片，利用掺有量子点的光阻层，将氮化镓基的LED晶圆发出的蓝光分别转化成红光和绿光，配合蓝光形成全彩光；同时，由于光阻层是采用软性的光刻胶制成，可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种全彩氮化 led 芯片结构

[实用新型]一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片-CN201520978786.4有效
发明人：易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的正装LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，LED晶圆外通过光刻工艺设置有透明绝缘的光阻层。本实用新型的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种采用光刻保护层 led 发光芯片

[实用新型]一种LED发光芯片的新型倒装结构-CN201520984278.7有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层和P型半导体层上设置有暴露出N型半导体层的孔槽，孔槽内部和P型半导体层表面设置有光阻层，光阻层上设置有缺口，N型半导体层和P型半导体层通过缺口分别连接金属电极。上述LED发光芯片采用光阻层代替SiO₂钝化层，简化LED芯片的结构；光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；此外，还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种 led 发光芯片新型倒装结构

[实用新型]一种新型LED芯片的互联结构-CN201520984662.7有效
发明人：易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护，同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附，使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层，此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，使光阻层能起到保护作用；本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种新型 led 芯片联结

[实用新型]一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片-CN201520983950.0有效
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，其中半导体层上设置有金属电极，LED晶圆外设置有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有荧光粉。采用光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。
一种采用光刻保护层 led 白光芯片

[发明专利]一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构-CN201510863434.9在审
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，形成LED晶圆，LED晶圆外覆盖有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有量子点，所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种或几种。由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力优秀，使光阻层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，降低制造成本；同时由于光阻层内带有GaAs、CdHgTe、Ag₂S中的任意一种或几种量子点，量子点受到激发后，发出近红外光的光线。
一种发出红外光氮化 led 芯片结构

[发明专利]一种LED发光芯片的新型倒装结构及其制备方法-CN201510864096.0在审
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED发光芯片的新型倒装结构，包括衬底，所述衬底下表面设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层和P型半导体层上设置有暴露出N型半导体层的孔槽，孔槽内部和P型半导体层表面设置有光阻层，光阻层上设置有缺口，N型半导体层和P型半导体层通过缺口分别连接金属电极。本发明还公开了上述LED发光芯片的制备方法。上述LED发光芯片采用光阻层代替SiO₂钝化层，简化LED芯片的结构；光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；此外，还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种 led 发光芯片新型倒装结构及其制备方法

[发明专利]一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片-CN201510860112.9在审
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光刻胶作保护层的LED白光芯片，包括衬底，衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，其中半导体层上设置有金属电极，LED晶圆外设置有光阻层，光阻层由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，光刻胶内均匀混合有荧光粉。采用光刻胶制成的光阻层覆盖LED晶圆，由于光刻胶是软性材料，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，因此光阻层可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本；同时由于光阻层内带有荧光粉，可将LED晶圆发出的光线调节为白光，得到LED白光芯片。
一种采用光刻保护层 led 白光芯片

[发明专利]一种全彩氮化镓基LED芯片结构-CN201510863432.X在审
发明人：郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种全彩氮化镓基LED芯片结构，包括氮化镓基的LED晶圆，LED晶圆包括衬底，衬底上依次设置有N-GaN层、发光层和P-GaN层，LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层，光阻层内不同区域分别掺入不同颗粒度和不同种类的量子点，使LED芯片形成红光区和绿光区。本发明的全彩氮化镓基LED芯片，利用掺有量子点的光阻层，将氮化镓基的LED晶圆发出的蓝光分别转化成红光和绿光，配合蓝光形成全彩光；同时，由于光阻层是采用软性的光刻胶制成，可取代钝化层更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED发光芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种全彩氮化 led 芯片结构

[发明专利]一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片及其制作方法-CN201510869292.7在审
发明人：易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，LED晶圆外通过光刻工艺设置有透明绝缘的光阻层。本发明还提供了上述LED发光芯片制作方法。本发明的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
一种采用光刻保护层 led 发光芯片及其制作方法

[发明专利]一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法-CN201510863144.4在审
发明人：易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 -专利权人：广东德力光电有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护，同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附，使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层，此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，使光阻层能起到保护作用；本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。本发明还公开了制备上述LED芯片的互联结构的方法。
一种新型 led 芯片联结及其制作方法

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