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[发明专利]发光二极管-CN201910386672.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN202010832795.8在审
发明人：黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202010097226.3在审
发明人：黄逸儒;郭佑祯;许圣宗;沈志铭;李耀唐;庄东霖;黄琮训;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层通过第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN202010313803.8在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201610256143.8有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光元件-CN201911295322.2在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201911296398.7在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201911295478.0在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201610088344.1有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光二极管-CN201910765017.9在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
布拉格反射发光二极管第二型半导体层第一型半导体层发光层发光波长峰值波长反射率第二电极第一电极发光效率反射波长波长涵盖

[发明专利]发光二极管-CN201610089111.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201710930691.9在审
发明人：黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089450.1在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，接合于承载基板上。发光二极管芯片包括半导体磊晶结构以及至少一电极垫结构。半导体磊晶结构电性连接至承载基板。电极垫结构包括共晶层、阻挡层以及延展层。共晶层适于共晶接合于承载基板上。阻挡层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，以阻挡共晶层材料于共晶接合时扩散。延展层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，且延展层可具有至少一金属材料堆栈形成。延展层减少在共晶接合的过程中因基板随着加热的过程热胀冷缩而对发光二极管芯片产生的应力，避免电极垫结构产生裂缝，而维持发光二极管芯片的质量。
发光二极管芯片

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