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[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法-CN202310751770.9在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;杨林安;卢灏;邵语嫣;陈兴;吴勇;王东;陆俊;王亦飞;台运涛;何祺伟;张畅;解靖飞;龚子刚;薛荣宇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
一种氮化外延制备方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310751771.3在审
发明人：董栩婷;张畅;黄永;包军林;王亦飞;卢灏;解靖飞;常娟雄;陈财;龚子刚;万坤;邵语嫣;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种功率管栅极驱动装置及器件-CN202310585892.5在审
发明人：陈财;薛荣宇;黄永;王亦飞;解靖飞;王东;陈兴;万坤;龚子刚;韩超 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率管栅极驱动装置及器件，其中的功率管栅极驱动装置，包括：驱动模块，输出端与功率管的栅极相连接，用以输出驱动电压至功率管的栅极控制功率管的开启；感温保护模块，包括温度感应电路和过温保护电路，温度感应电路用于感应功率管的运行温度并输出对应的感应电压，过温保护电路用于比较感应电压和预设基准电压，并在感应电压低于预设基准电压时输出保护电压。本发明中的驱动装置，能够实时监测功率管的温度，及时发现过热，防止功率管过热造成功率管所在的整个电路系统被破坏。
一种功率管栅极驱动装置器件

[发明专利]一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法-CN202310422945.1在审
发明人：常娟雄;王一;杨林安;黄永;卢灏;陈兴;吴勇;王东;韩超;陈财;龚子刚;万坤;董栩婷;邵语嫣;陆俊;薛荣宇;何祺伟;解靖飞;王亦飞;张畅 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
一种氮化外延生长方法制备

[发明专利]一种半导体器件的温度测量方法-CN202310141937.X在审
发明人：万坤;解靖飞;黄永;薛军帅;陈兴;王东;吴勇;龚子刚;艾月;韩超;李园;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的温度测量方法，包括如下步骤：将荧光温敏材料与分散剂混合形成涂布溶液，并将涂布溶液涂敷于待检测器件的有源表面上；给待检测器件施加预设偏压，并获取荧光温敏材料在预设偏压下的荧光强度；根据荧光强度和荧光温敏材料的温敏荧光特性曲线得到待检测器件的有源表面温度；根据有源表面温度得到待检测器件内的空间电荷区处的温度。本发明中的方法，使用范围较广且温度检测精度较高。
一种半导体器件温度测量方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211436315.1在审
发明人：陈财;台运涛;黄永;杨旭豪;王霄;邱慧嫣;王亦飞;解靖飞;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中的器件包括：衬底以及设置于衬底上电子气结构层，电子气结构层包括沟道层和势垒层；电子气结构层具有晶体管区域、二极管区域和连通区域；晶体管区域和二极管区域之间形成有绝缘层，绝缘层刻断晶体管区域和二极管区域之间的二维电子气；欧姆电极，设置于连通区域的势垒层上；栅电极和源电极，均设置于晶体管区域的势垒层上，且源电极位于晶体管区域的远离连通区域的端部；阳电极，设置于二极管区域的势垒层上，且位于二极管区域的远离连通区域的端部；连接电极，设置于源电极和阳电极上，并与源电极以及阳电极电连接。本发明中的器件，实现了晶体管和二极管的集成，且可靠性较高，成本较低。
一种半导体器件及其制备方法