专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]聚硅烷的制造方法-CN97180726.4有效
  • 西田亮一;川崎真一;村瀬裕明 - 大阪瓦斯株式会社
  • 1997-12-26 - 2002-10-09 - C08G77/60
  • 一种聚硅烷的制造方法是通过使由通式(1)所表示的二卤代硅烷在非质子性溶剂中Li盐及金属卤化物共存下与Mg或者Mg合金作用,(式中,m为1-3;R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基;m=1时2个R、在m=2时4个R、在m=3时6个R可分别为同一种或者为二种以上不同的;X为卤素原子)形成由通式(2)所表示的聚硅烷,(式中,R与上述相同,n为2-1000)。
  • 硅烷制造方法
  • [发明专利]空穴迁移材料-CN97195222.1无效
  • 西田亮一;川崎真一;村濑裕明;藤木刚 - 大阪瓦斯株式会社
  • 1997-06-06 - 1999-06-30 - G03G5/07
  • 一种空穴迁移材料具有下式(1)或式(2)所代表的结构,并在成膜性和空穴迁移性方面是优异的。式(1)中R1是氢原子和烷基,R1可以是相同的或者其中至少两个可能彼此是不同的,n在10—20000之间。式(2)中R1是氢原子和烷基,R2和R3是氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基、和硅烷基,R1、R2和R3可以是相同的,或者其中至少两个是彼此不同的,1是一个正数,m是零或是一个正数,1+m=10—20000之间。
  • 空穴迁移材料

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