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[发明专利]半导体存储装置及方法-CN202210811455.6在审
发明人：村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;新屋敷悠介;藤松基彦;佐野京佑;柴田昇 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够不损害数据的可靠性，尽可能地削减需要预先保持在存储控制器的数据的量的半导体存储装置及方法。实施方式的半导体存储装置的电路以在2N个区间中最低电压侧的第1区间内，形成2个第1分布的方式，设定多个存储单元的阈值电压。之后，电路以依每2个为单位分开形成2(1+M)个第2分布的方式，设定多个存储单元的阈值电压。之后，电路将2N个第3分布设定在2N个区间。
半导体存储装置方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110101661.3在审
发明人：村山昭之;杉前纪久子;西山胜哉;藤松基彦;柴田昇 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种可靠性较高的半导体存储装置。本发明的实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器串，包含第1存储单元；第2存储器串，包含第2存储单元；第1位线，连接于第1存储器串；及第2位线，连接于第2存储器串。在第1编程动作中，向第1位线及第2位线供给第1位线电压。在第2编程动作中，向第1位线及第2位线供给大于第1位线电压的第2位线电压或大于第2位线电压的第3位线电压。在第3编程动作中，向第1位线供给第2位线电压，向第2位线供给第3位线电压。在第4编程动作中，向第1位线供给第3位线电压，向第2位线供给第2位线电压。
半导体存储装置

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201210097760.X有效
发明人： 西山胜哉;相川尚德;甲斐正;永濑俊彦;上田公二;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200910127673.2有效
发明人：北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|2×a1/2-a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁性存储器-CN200810215231.9有效
发明人：永瀬俊彦;吉川将寿;北川英二;西山胜哉;大坊忠臣;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L1₀构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
磁阻元件以及磁性存储器

[发明专利]磁阻元件以及磁存储器-CN200810215232.3无效
发明人：永瀬俊彦;西山胜哉;甲斐正;中山昌彦;长嶺真;天野实;吉川将寿;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A-1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。
磁阻元件以及磁存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200710141632.X有效
发明人：北川英二;永濑俊彦;吉川将寿;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器以及磁头-CN200310118331.7无效
发明人：齐藤好昭;西山胜哉;高桥茂树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-11-21 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：提供能获得功耗小、热稳定性好的磁阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁阻效应元件具有：隧道阻挡层；夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层；以及磁化自由层，该磁化自由层有：夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层；在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层；以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。
磁阻效应元件磁存储器以及磁头

[发明专利]磁存储装置-CN02151651.0无效
发明人：天野実;岸達也;与田博明;斉藤好昭;高桥茂树;上田知正;西山胜哉;浅尾吉昭;岩田佳久 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-12-27 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。
存储装置

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