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[实用新型]直拉单晶炉热场用多匝复合式埚帮-CN201020127612.4有效
发明人：李定武;梁永生;周晓渊 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉热场用多匝复合式埚帮，包括直筒部分、圆弧部分及底部，直筒部分由环形直匝形成，直筒部分下方的圆弧部分由环形弧匝形成，底部为盘状底匝，直匝、弧匝及底匝之间依次采用止口连接。本实用新型直拉单晶炉热场用多匝复合式埚帮，采用多匝式结构，当熔硅凝固发生膨胀时，各匝之间自然松开，使得轴向的膨胀力能够被充分化解，膨胀力分解到各匝，部分受力大的匝会率先被损坏，从而释放了膨胀力。更换损坏的匝，从而降低了总的使用成本。
直拉单晶炉热场用多匝复合式埚帮

[实用新型]硅料破碎分选装置-CN201020301927.6有效
发明人：李淑丽;赵可武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： B02C23/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅料破碎分选装置，包括原料破碎区域、物料传送区域和硅料分选区域，其中，原料破碎区域设置有破碎台，物料传送区域设置有传送带，在原料破碎区域和物料传送区域四周设置有防护挡板A和防护挡板C，在原料破碎区域和物料传送区域的上方设置有排风装置和顶部防护挡板，硅料分选区域设置有分选装置。本实用新型装置能同时进行破碎工艺和分选工艺，能对大量硅料进行安全、快速加工处理，整个装置结构简单、制作成本低，容易操作、使用安全、美观耐用灵活、对硅料无二次污染、提高作业效率、提高硅料加工成品率、提升生产产能。
破碎分选装置

[实用新型]一种生长硅单晶的节能热场结构-CN200920245199.9有效
发明人：李定武;梁永生 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长硅单晶的节能热场结构，在炉膛内腔，由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层，上保温盖中连接有热屏，在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层，该保温层与上保温筒对应开有通气孔；过渡盘、主保温筒、下保温筒的外侧设置有保温层，上述保温层与炉膛内壁之间保持有间隙，炉膛上设置有氩气排气口；在炉底盘上依次设置有一层保温层和护底压片，穿过保温层、炉底盘、护底压片设置有石墨电极和石墨托杆，石墨电极上安装有加热器，在石墨托杆上依次安装有隔热体、石墨埚托、石墨埚帮及石英坩埚。本实用新型的热场结构合理，热能利用率显著提高，生产成本降低。
一种生长硅单晶节能结构

[发明专利]太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料及其制备方法-CN201010114326.9有效
发明人：张群社 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料，按照每立方厘米单晶硅材料中的原子个数，由以下组分组成：镓：1.0×1014-1.0×1018atoms/cm3，铟：5.0×1012-5.0×1016atoms/cm3，其余为单晶硅。本发明太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：按照常规方法进行拆炉，清理干净炉膛；装炉；按照常规方法对单晶炉内进行抽真空和检漏；压力化与熔料；稳定化；引晶；放肩；转肩；等径生长；收尾与冷却；停炉。本发明太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料，转换效率高，且光衰率很低，单晶硅中氧含量低、且在单晶硅棒的径向分布均匀，本发明制备方法有效控制硅熔体的热对流，生长了高质量太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料。
太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料及其制备方法

[发明专利]一种直拉单晶隔热装料方法及其装置-CN201010301244.5有效
发明人：周锐 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶隔热装料方法，该方法按照以下步骤具体实施：1)单晶炉拆炉后，将主室炉筒、主保温筒和石墨加热器等炉体及热场石墨器件上的挥发物打扫干净；2)在主保温筒上端面安放隔热大盖；3)将石墨坩埚及石英坩埚依次放置于石墨托杆上，开始装入单晶原料；4)装料完毕后，在石英坩埚上盖上护料盖；5)再将隔热大盖取出，去掉护料盖，即可合炉抽空加热，开始下一炉次的单晶拉制。本发明还公开了一种隔热装料装置，其中的隔热大盖选用固态石墨毡、硅酸铝陶瓷纤维制品、硅酸钙制品或石墨制品。本发明的方法及其装置，通过增加隔热大盖的设置，阻隔热场挥发气流，在不冷却热场情况下实现装料过程；有效防止掉料事故发生。
一种直拉单晶隔热装料方法及其装置

[发明专利]一种增加直拉硅单晶装料量的方法及装置-CN200910310766.9无效
发明人：梁永生;周晓渊;李定武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加直拉硅单晶装料量的方法，利用热屏中间的晶体生长空间装料，即在坩埚内装满多晶原料后，将装料筒放入热屏中，在装料筒的下段外表面设置有若干固定脚，固定脚支撑在热屏上，装料筒处于热屏中的最低位，在装料筒内继续装入多晶原料，直至装料筒内装满多晶原料后，将装料筒上的吊臂与重锤夹头连接，实现装料筒的升降。装料筒的截面为逐级向上缩小的塔形形状，并且上下通透，其外表面最大直径小于单晶炉主副炉室之间喉口的直径。本发明还公开了一种上述方法使用的装置，本发明的方法及装置，充分利用热屏中间的晶体生长空间装料，通过该装置增加了实际的装料量，提高了生产效率。
一种增加直拉硅单晶装料方法装置

[发明专利]用于生长硅单晶的节能热场-CN200910218910.6无效
发明人：李定武;梁永生 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生长硅单晶的节能热场，在炉膛内腔，由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层，上保温盖中连接有热屏，在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层，该保温层与上保温筒对应开有通气孔；过渡盘、主保温筒、下保温筒的外侧设置有保温层，上述保温层与炉膛内壁之间保持有间隙，炉膛上设置有氩气排气口；在炉底盘上依次设置有一层保温层和护底压片，穿过保温层、炉底盘、护底压片设置有石墨电极和石墨托杆，石墨电极上安装有加热器，在石墨托杆上依次安装有隔热体、石墨埚托、石墨埚帮及石英坩埚。本发明的热场结构合理，热能利用率显著提高，生产成本降低。
用于生长硅单晶节能

[发明专利]直拉单晶的补料方法及补料装置-CN200910309466.9有效
发明人：李定武;梁永生;张健 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶的补料方法，采用棒状原料作为补料材料，将棒状原料夹持在补料器中，合炉后在熔料过程中操纵重锤夹头下降，使棒状原料下降至石英坩埚的上方进行预热，当石英坩埚中的原料熔化完后，操纵重锤夹头继续下降，使得棒状原料下降至熔硅中进行熔化，完成补料。本发明还公开了上述补料方法采用的装置，包括穿孔式补料器或卡环式补料器两种形式，所述穿孔式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与横杆连接；所述卡环式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与卡环连接。本发明的补料方法及装置能够实现棒状原料的补料，降低了生产成本。
直拉单晶方法装置

[实用新型]一种直拉单晶炉热场用石墨电极-CN200920303966.7有效
发明人：李定武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉热场用石墨电极，在直筒型石墨电极与石墨加热器连接的一端设置一个同轴的凸台，所述凸台的外径与石墨电极的外径之差大于2mm。本实用新型的石墨电极通过对原有结构进行改进，增加一“蘑菇头”状的凸台结构，起到增加石墨电极与加热器接触面积的目的，从而降低打火几率，提高加热器使用寿命。
一种直拉单晶炉热场用石墨电极

[发明专利]直拉单晶炉热场用石墨埚帮-CN200910302897.2无效
发明人：李定武;梁永生 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉热场用石墨埚帮，包括埚托及放置在埚托上围成锅状的侧板，侧板由构成锅沿的直立部分和构成锅底的倾斜部分组成，其中的侧板由等分的2～6瓣组成，每瓣构成锅底的倾斜部分的下边沿设置成圆弧形缺口，侧板的各瓣的圆弧形缺口同心围成一圆口，并且该圆口与埚托同轴，圆口内设置有一上小下大的圆锥台形的底板，圆口的形状设置与底板的形状相适应。本发明的石墨埚帮适应了石英坩埚的加热变形以及发生墩埚事故时的膨胀变形，有效地提高了对石英坩埚的支撑能力，提高了石墨埚帮的使用寿命，降低了制作和使用成本。
直拉单晶炉热场用石墨

[实用新型]简易立式集尘柜-CN200820228543.9有效
发明人：胥大鹏 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简易立式集尘柜，在箱体中设置有一漏斗，漏斗的上开口与箱体的内壁密封连接，漏斗的上开口水平设置有一层隔离网，在隔离网上平铺有滤布，漏斗的下开口与轴流风机的抽风口连接，在箱体的工作侧开有工作窗口，工作窗口的下沿设置有工作台，工作台的平面高于漏斗上滤布的铺设平面。本实用新型的简易立式集尘柜利用电动轴流风机工作时产生的负压，将打磨产生的粉尘集中吸走，并用过滤棉材料的滤布将粉尘进行搜集，整个装置结构简单小型化、制造成本低、噪音低、操作安全、易维护、减少粉尘排放节省能源。
简易立式集尘

[实用新型]一种用于硅片存储和运输的包装容器-CN200820222102.8有效
发明人：胥大鹏 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;西安隆基硅技术有限公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于硅片存储和运输的包装容器，包括两个上下扣合的结构一致的长方形箱体；所述每个箱体内，在箱体的中间位置设置成一个凹平面，在该凹平面上至少开有两个以上的卡槽，箱体的内周边、沿凹平面的周边设置有凸棱和凹边，凸棱和凹边的俯视投影对称；两个箱体上下扣合时，上箱体的凸棱和凹边与下箱体的凹边和凸棱分别对应嵌合，同时上下两个箱体的各个卡槽相对应；凸棱高出凹平面的高度与凹边低于凹平面的高度一致；卡槽的卡槽底面为弧形或者平底形状。本实用新型的包装容器，产品防护效果好，其内部空间结构设置合理，取放、清点和运输都很方便，可适合3英寸到12英寸硅片的存储与运输。
一种用于硅片存储运输包装容器

[实用新型]一种直拉硅单晶生长的热场结构-CN200820028427.2有效
发明人：李振国;李定武 -专利权人：西安隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;西安隆基硅技术有限公司
申请日： 2008-03-03 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉硅单晶生长的热场结构，包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器，炉体侧壁下部设置有通孔，该通孔与抽气管道连通，抽气管道与机械泵相连接，炉体的顶部与氩气输送装置相连通，炉体的底部设置有炉底盘，炉底盘的上面自下而上依次安装有下保温罩、主保温罩和副保温罩，保温罩外侧均包裹有保温材料，保温材料与炉体的内侧壁之间留有空隙，副保温罩的侧壁设置有排气孔，该排气孔将热场内部和保温材料与炉体的内侧壁之间的空隙连通。避免了“掉渣”现象的发生，提高成品率，并可防止大量挥发物进入抽气管道和机械泵，减轻对机械泵的磨损，延长使用寿命，节约清洗抽气管道和机械泵的时间，提高生产效率。
一种直拉硅单晶生长结构

[发明专利]用于多晶体“碳头料”硅碳分离的腐蚀液及其制备方法-CN200810017582.9有效
发明人：李振国;赵可武 -专利权人：西安隆基硅材料有限公司;西安隆基硅技术有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2008-03-03 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶体“碳头料”硅碳分离的腐蚀液及其制备方法，按质量百分比由以下组分混合组成：电子级浓硫酸85％～97％、二氧化锰1％～5％，双氧水1％～5％，氢氟酸1％～5％，各组分的总量为100％。按质量百分比分别取二氧化锰1％～5％、双氧水1％～5％、氢氟酸1％～5％和电子级浓硫酸85％～97％，上述各组分的总量为100％；将取得的二氧化锰、双氧水和氢氟酸混合并充分搅拌，形成混合液；将得到的混合液少量多次加入浓硫酸中，充分搅拌，即得。可将“碳头料”中的碳从多晶硅上彻底分离，得到高纯度的多晶硅材料，缓解硅原料的紧缺状况。
用于多晶体碳头料分离腐蚀及其制备方法

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