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[发明专利]半导体装置-CN202210896190.4在审
发明人：梶原瑛祐;新留彩;藏口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供可得到稳定的特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1～第3电极、第1、第2半导体区域和第1构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N，0≤x11。第2半导体区域包含Alx2Ga1‑x2N，x1x2≤1。第1构件包含第1、第2区域。第2区域在第1区域和第2电极的第1电极区域之间。第2区域一部分在第2半导体区域的第2半导体部分和第2电极的一部分之间。第2区域包含从由Ti、Al、Ga、Ni、Nb、Mo、Ta、Hf、V和Au构成的群选择的至少一种第1元素。第1区域不包含第1元素。或者，第1区域中的第1元素的浓度低于第2区域中的第1元素的浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210104231.1在审
发明人：新留彩;梶原瑛祐;藏口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置。能够使特性稳定化。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1导电部件以及绝缘部件。第3电极的第1方向上的位置处于第1电极的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。绝缘部件包括第1氮化物区域以及第2氮化物区域。第1氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第1比低于第2氮化物区域中的硅的浓度相对氮的浓度的第2比。第1氮化物区域包括第1氮化物端部。第1氮化物端部与第2半导体区域相接，在第1方向上与第2氮化物区域对置。第1氮化物端部的第1方向上的位置处于第1导电端部的第1方向上的位置与第2电极的第1方向上的位置之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110946289.6在审
发明人：梶原瑛祐;大野浩志;加藤大望;向井章;藏口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x11)。第2半导体区域包含Alx2Ga1‑x2N(x1x2≤1)。第1绝缘构件包含硅和铝中的至少任一个以及氧。第2绝缘构件包含硅以及氮。第2绝缘构件包含第1绝缘区域以及第2绝缘区域。第2绝缘区域具有比第1绝缘区域中的第1氮浓度更高的第2氮浓度、比第1绝缘区域中的第1氢浓度更低的第2氢浓度以及比第1绝缘区域中的第1密度更高的第2密度中的至少任一个。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810160330.5有效
发明人：彦坂年辉;木村重哉;布上真也;藏口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010122193.3在审
发明人：向井章;藏口雅彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x11)。第2半导体区域包含Alx2Ga1‑x2N(0x21、x1x2)。第3半导体区域包含Alx3Ga1‑x3N(0x3≤1、x1x3)。第1半导体区域的第6部分区域包括与第2半导体区域的第1半导体部分相向的第1面、和与第3半导体区域的第1半导体膜部相向的第2面。所述第2面的至少一部分与所述第1面之间的第1角度小于90度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310737010.9无效
发明人： 藏口雅彦;吉冈启;汤元美树;斋藤尚史;大麻浩平;杉山亨 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体元件-CN200610115100.4无效
发明人：斋藤渉;小野村正明;田中明;橘浩一;藏口雅彦;野田隆夫;新田智洋;吉冈启 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-08-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。
氮化物半导体元件