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[发明专利]制造半导体封装件的方法-CN201810779981.2有效
发明人：金相昱;金宣澈;薛珍暻;张炳旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体封装件的方法。至少一个半导体芯片安装在封装衬底上。绝缘模制层在其中形成有导电连接构件的区中形成在具有至少一个凹槽的半导体芯片的两侧处，所述凹槽在模制层内界定一个或多个突出部。中间层定位在具有导电连接构件的突出部上，所述导电连接构件在封装的上表面上的导电垫与封装衬底的下表面上的导电垫之间进行连接并提供电连接。突出部可通过在中间层的下表面与封装衬底的上表面之间界定垂直间距来将中间层定位在垂直方向上。突出部还可将中间层定位在一个或多个水平方向上及/或在将中间层连接到封装衬底期间防止实质性移动。底部填充树脂层可被注入到中间层与封装衬底之间的其余空间中。
制造半导体封装方法

[发明专利]封装的多芯片半导体装置-CN202110211890.0在审
发明人：李赫宰;李种昊;金志勳;金泰勳;朴相天;薛珍暻;李相勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。
封装芯片半导体装置