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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图-CN202320227265.X有效
发明人： 薛华瑞;董建新;布凡;钟添宾 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例中提供了一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，本申请通过每隔一个栅极多晶硅区通过一栅极多晶硅引出区引出栅极，通过本申请版图设计能够降低几乎50％的栅极电容及栅极电荷，有效降低开关损耗，而中高压的沟道电阻占比不足10％，导通阻抗增加约13％，有效优化品质因数FOM值。
一种高压屏蔽栅极功率 mosfet 版图

[发明专利]屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法-CN202011056835.0有效
发明人：李秀然;刘宇;薛华瑞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成第一氧化层和第二氧化层，并得到第二沟槽，其中：第一氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；在第二沟槽内形成屏蔽栅；在屏蔽栅上形成第三氧化层，其中：第三氧化层的致密度大于第二氧化层的致密度；部分刻蚀第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层使得所述第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的厚度均降低，剩余的第二氧化层和第三氧化层的表面形貌与屏蔽栅的表面形貌相同，以使得剩余的第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层形成的组合的厚度较为均匀，进而改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。
屏蔽沟槽器件工艺方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法-CN202110672190.1在审
发明人：惠亚妮;李秀然;薛华瑞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供一具有外延层的衬底，外延层中形成有若干沟槽，沟槽的侧壁与衬底的表面的角度为87°～93°；执行湿氧氧化工艺形成至少部分第一介质层，覆盖沟槽的内壁；于沟槽中形成屏蔽栅；形成第二介质层及第一栅氧层；形成第二栅氧层，第二栅氧层覆盖第一栅氧层的内壁，且其底部拐角的形状为圆弧形；以及，于沟槽中形成栅极。利用湿氧氧化工艺形成第一介质层，解决了垂直沟槽难以填充的问题，并利用垂直沟槽改善电场分布，提高击穿电压，利用第二栅氧层覆盖第一栅氧层的底部拐角，增大该处的栅氧厚度，改善栅源间漏电，减少损耗，并降低外延层的体电阻及降低其厚度，以降低导通电阻。
屏蔽沟槽功率器件制造方法

[发明专利]改善屏蔽栅表面粗糙的方法-CN202011056946.1在审
发明人：李秀然;邬镝;薛华瑞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善屏蔽栅表面粗糙的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成图形化的硬掩膜；以图形化的硬掩膜为掩模，刻蚀所述衬底形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成栅介质层，并得到第二沟槽；向所述第二沟槽内填充多晶硅，并覆盖所述栅介质层和剩余的所述硬掩膜；执行研磨工艺，并研磨停止在所述硬掩膜的表面，以平整化所述多晶硅的表面；第一次干法刻蚀所述多晶硅，并去除所述第二沟槽上方的多晶硅；第二次干法刻蚀第一次干法刻蚀后的多晶硅形成屏蔽栅，所述屏蔽栅表面平整。可以改善形成的屏蔽栅的表面粗糙的问题，从而增加屏蔽栅和控制栅之间形成的介质层的工艺窗口，改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。
改善屏蔽表面粗糙方法

[发明专利]一种基于AuNPs/Cu‑MOF标记的PCT电化学免疫传感器的制备方法及应用-CN201610934717.2在审
发明人：花小霞;周长利;薛华瑞 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速、灵敏检测原降钙素抗原的电化学免疫传感器的制备领域，特别是涉及一种基于AuNPs/Cu‑MOF标记的PCT电化学免疫传感器的制备方法及应用。AuNFs比表面积大、导电性好、且具有好的生物相容性，作为基底材料，可以捕获大量的一抗，同时可以促进电子传递；AuNPs/Cu‑MOF标记二抗，可以提供灵敏的电化学信号，根据AuNPs/Cu‑MOF电化学信号强度变化与抗原的浓度关系，实现原降钙素抗原的快速、灵敏检测。
一种基于 aunps cu mof 标记 pct 电化学免疫传感器制备方法应用

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