本发明涉及一种硅基横向Pi N二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线,制备方法包括:选取GeOI衬底,并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区;在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区;刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度;在P型沟槽和N型沟槽内生成多晶GaAs层,采用离子注入形成P型有源区和N型有源区;在衬底上形成GeSn合金引线,完成具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向P i N二极管的制备。本发明通过动态控制顶层Ge中Sn的含量及引入GeSn合金引线能制备具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向Pi N二极管,以便制作高集成隐身天线。