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[发明专利]绝缘衬底上硅与III-V族器件的单片异质集成结构及制备方法-CN202210443355.2在审
发明人： 蔡泉福;严鹏;陈哲;余松波;吴蒙 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘衬底上硅与III‑V族器件的单片异质集成结构及其制备方法，所述制备方法可以采用基于Si的绝缘衬底进行异质集成，Si衬底具有价格和成本优势；利用自硅膜侧面横向生长GaN层，通过减少生长基底与GaN层的接触面积，可以减少由GaN外延层与基底之间晶格失配和热失配所致的应力累积，由此降低产生穿透位错的概率，有利于获得高质量的外延层。基于所述制备方法所得的绝缘衬底上硅与III‑V族器件的单片异质集成结构可以制备共源共栅级联型GaN基器件，有利于器件的小型化和发挥GaN共源共栅器件在功率增益和稳定性方面的优势。
绝缘衬底 iii 器件单片集成结构制备方法

[发明专利]石墨烯器件与GaN器件异质集成结构及制备方法-CN202110269233.1有效
发明人： 蔡泉福;魏婷婷;左亚丽;朱伟超;马飞 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，可以在GaN基单片上同时集成P型石墨烯器件和N型GaN器件，以替代传统的Si‑CMOS；插入在AlGaN势垒层和第二Al2O3层之间的第二石墨烯层可提高GaN器件的散热，同时可降低欧姆接触电阻，总体提升GaN器件性能；第一Al2O3层作为石墨烯器件的隔离埋氧层，第二Al2O3层则作为石墨烯器件与GaN器件的栅氧介质层，且所述第一Al2O3层及第二Al2O3层可直接作为石墨烯器件与GaN器件的隔离侧墙，以减少制备工艺，降低成本，提高器件质量。
石墨器件 gan 集成结构制备方法

[发明专利]GaN器件及制备方法-CN202110111967.7有效
发明人：邹鹏辉;王文博;周康;蔡泉福;郑礼锭 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN器件及其制备方法，制备包括：提供半导体衬底，制备GaN沟道层，制备势垒层，势垒层包括至少一层AlxGa1‑xN层，多层AlxGa1‑xN层中，自下而上各层材料层对应的Al组分逐渐增大，刻蚀势垒层形成第一凹槽和第二凹槽，制备源极欧姆电极、漏极欧姆电极，制备栅帽结构和场板。本发明可以基于形成的第二凹槽提高器件的耐压，同时减小寄生电容，从而改善器件频率性能。另外，本发明通过势垒层的设计以及势垒辅助结构，可以提高器件的线性度，可靠性较高，使得器件综合性能提升，本发明耐压的提升通过栅‑漏凹槽一步工艺完成，还可以有效控制器件的阈值电压，形成更好的源、漏欧姆接触。
gan 器件制备方法

[发明专利]基于双沟道栅的GaN器件及其制备方法-CN202010840348.7有效
发明人：马飞;邹鹏辉;郑礼锭;蔡泉福 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明提供一种基于双沟道栅的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成外延结构，形成源极电极及漏极电极，刻蚀部分外延结构的势垒层和外延帽层，得到交替排布的凹槽结构和凸出结构，形成栅介质层及栅极层。本发明在GaN沟道层上形成交替排布的第一器件和第二器件，可以是交替排布的MOS器件结构和HEMT器件结构，从而可以基于二者提高整体GaN器件的线性度。本发明栅氧采用BeO，同时增强极化效应及散热，源极电极及漏极电极的材料采用TixAly层，通过不含金的Ti‑Al合金薄膜实现直接接触的欧姆接触，有利于保持高导电性2DEG，有助于获得较低的接触电阻和较平坦的接触界面，同时与Si工艺兼容。
基于沟道 gan 器件及其制备方法

[发明专利]集成型GaN器件及其制备方法-CN202010840368.4有效
发明人：马飞;邹鹏辉;郑礼锭;蔡泉福 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明提供一种集成型GaN器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体外延结构上制备不同器件的源漏电极，制备器件隔离结构，刻蚀外延帽层和势垒层，制备显露GaN沟道层的栅极开口，外延帽层及势垒层采用不同工艺去除，制备栅介质层及栅极结构，得到不同器件，再制备互连电极结构，实现器件互连。本发明在同一半导体外延衬底上有效集成了第一器件和第二器件，为电路设计提供多种可行性设计，减少了寄生及成本。通过工艺设计，除栅极开口的刻蚀外，其他步骤都同时进行，不增加工艺难度，在提升器件整体性能的同时节约了后道封装成本。对于形成栅极开口过程中的外延帽层及势垒层的刻蚀，可以更好的控制刻蚀精度，避免传统刻蚀对材料造成的破坏。
集成 gan 器件及其制备方法

[实用新型]一种可旋转调节LED灯管堵头-CN201420673704.0有效
发明人：邱凯达;陈伟凌;蔡泉福;方朝彬;宋晓辉;邓艳;丁琪 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F21V21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可旋转调节LED灯管堵头，该灯管堵头包括堵头前盖、堵头后盖及旋转调节部件，而所述旋转调节部件包括固定件及旋转定位件，固定件，其上具有定位轴，该定位轴依次穿过旋转定位件及堵头后盖中央的通孔，并卡置于堵头后盖内侧形成一体式联动结构，将旋转定位件扣设于堵头后盖与固定件之间且形成对旋转定位件的限位结构。本实用新型提供的可旋转灯管堵头，堵头后盖与旋转调节部件连接为一体，并与堵头前盖形成全角旋转调节结构，实现灯管与堵头前盖后可旋转多个角度，并利用定位槽组的档位控制不同的定位角，结构简单且调节方便可靠。
一种旋转调节 led 灯管