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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构-CN201510724668.5有效
发明人：杨玉如;江怀慈;林胜豪;黄世贤;陈建宏;吴俊元;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包含有一半导体基底、一形成于该半导体基底上且其内包含有至少一凹槽的介电结构、一形成于该凹槽内的鳍片结构、以及一形成于该鳍片结构内的差排区域。该半导体基底包含有一第一半导体材料，而该鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数不同于该第一半导体材料的一晶格常数。该差排区域的一最高部分高于该凹槽的一开口。
半导体结构

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610018287.X有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;曾嘉勋;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该第一导电型态与该第二导电型态彼此互补。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510644705.1有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;江怀慈;李皞明;林胜豪;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN200810096256.1有效
发明人：刘珀玮;蔡成宗;江文泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，此方法是在基底上先形成栅极结构。接着，进行第一掺杂及第一应变原子注入工艺。之后，形成栅极结构侧壁的间隙壁。然后，进行第二掺杂及第二应变原子注入工艺。其后，进行固态外延的回火工艺，以形成半导体化合物固相外延层结构的源极与漏极区。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN200610108025.9有效
发明人：张子云;蔡振华;刘珀玮;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，首先提供基底，基底上已形成有栅极结构。栅极结构两侧的基底中形成有数个隔离结构。于栅极结构两侧形成第一间隙壁。移除第一间隙壁两侧与隔离结构之间的部分基底，以形成凹陷。于凹陷中沉积一层源极与漏极层，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。于源极与漏极层两侧与隔离结构上形成第二间隙壁。之后，于源极与漏极层上形成一层金属硅化物层。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200620115141.9无效
发明人：蔡振华;蓝邦强;林育信;刘毅成;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底中。此外，源极与漏极层的深度大于源极与漏极延伸层的深度。源极与漏极延伸层及源极与漏极层均为应变层(strained layer)。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制作方法-CN200610084223.6有效
发明人：蓝邦强;蔡振华;林育信;蔡宗龙;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，所述方法包括：提供一基底，且在基底上形成一栅极结构，又在栅极结构周围形成一偏间隙壁，在偏间隙壁周围形成一牺牲间隙壁。再者，在栅极结构的两侧形成多个外延层，且外延层位于牺牲间隙壁的外侧，之后去除牺牲间隙壁，并在偏间隙壁外侧的基底中以及外延层中形成多个漏极/源极延伸区。由于本发明的源极/漏极延伸区在选择性外延工艺之后制作，所以选择性外延工艺的高温不会破坏源极/漏极延伸区。
金属氧化物半导体晶体管制作方法

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN200610081826.0有效
发明人：蔡振华;蓝邦强;林育信;刘毅成;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有栅极结构，之后，移除部分基底，以于栅极结构两侧的基底中形成第一凹陷。接着，于第一凹陷中沉积源极与漏极延伸层，并于栅极结构两侧形成间隙壁。然后，移除部分源极与漏极延伸层及部分基底，以于间隙壁以外的源极与漏极延伸层及部分基底中形成第二凹陷。然后，于第二凹陷中沉积源极与漏极层。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200620129453.5无效
发明人：张子云;蔡振华;刘珀玮;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，此金属氧化物半导体场效应晶体管是由基底、数个隔离结构、栅极结构、源极与漏极层及间隙壁所构成。隔离结构配置于基底中。栅极结构配置于隔离结构之间的基底上。源极与漏极层位于栅极结构两侧与隔离结构之间的基底中，且源极与漏极层的顶表面高于隔离结构的顶表面。间隙壁位于栅极结构的侧壁，以及源极与漏极层的侧壁与隔离结构上。
金属氧化物半导体场效应晶体管

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