专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种LED芯片-CN202320647681.5有效
  • 林志伟;李敏华;何剑;陈凯轩;卓祥景;蔡建九 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-10-27 - H01L33/10
  • 本实用新型提供了一种LED芯片,通过将衬底设置具有多个凸起,所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面;其中,所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小;沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率,则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形;所述第一方向垂直于所述衬底,并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状,使得光在所述凸起形成更全面的反射方向,从而扩大了LED芯片的发光角度;如此,在后续显屏组装时可简化背光设计,尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
  • 一种led芯片
  • [实用新型]一种Mini-LED芯片-CN202321107219.2有效
  • 林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本实用新型提供一种Mini‑LED芯片,该Mini‑LED芯片包括:透明衬底,透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,第二表面为出光面;以及反射层,其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面,并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置;结合绝缘层,其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面,绝缘层包括DBR反射结构层,既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路,又有反射效果使芯片为单面出光,且只从第二表面出光,解决芯片侧壁漏光的问题,进而提高Mini‑LED芯片的出光效率,避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
  • 一种miniled芯片
  • [实用新型]一种Micro-LED显示装置-CN202320536800.X有效
  • 林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-03-20 - 2023-09-22 - H01L33/50
  • 本实用新型提供一种Micro‑LED显示装置,该Micro‑LED显示装置包括:驱动电路单元,设置在驱动电路单元上的若干像素单元,每个像素单元均包括:发光单元,发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构,三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构,通过荧光粉激发获得白光,经过红、绿、蓝三基色滤光片后,结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧,可增加出光面的发光面积,且第四电极通过分割道与透明导电层连接,可明显增大电流扩展和增强电导热能力,进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
  • 一种microled显示装置
  • [发明专利]一种Mini-LED芯片及其制作方法-CN202310520108.2在审
  • 林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-12 - H01L33/38
  • 本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法,其中Mini‑LED芯片包括:透明衬底,透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,第二表面为出光面;以及反射层,其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面,并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置;结合绝缘层,其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面,绝缘层包括DBR反射结构层,既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路,又有反射效果使芯片为单面出光,且只从第二表面出光,解决芯片侧壁漏光的问题,进而提高Mini‑LED芯片的出光效率,避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
  • 一种miniled芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种LED外延结构-CN202310538780.4在审
  • 林志伟;陈凯轩;蔡建九;何剑;李敏华 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-08-22 - H01L33/02
  • 本发明提供了一种LED外延结构,所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层,且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地,在所述N型半导体层中,靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层,靠近所述有源层一侧的N型半导体子层为N型半导体顶层,其余的N型半导体子层为N型半导体中间层;则,至少一N型半导体中间层的N型掺杂浓度低于所述N型半导体底层和/或N型半导体顶层的N型掺杂浓度。使得所述N型半导体层的N型N型掺杂浓度呈高低高的阶梯式分布结构,该结构能够对高压静电起到缓冲的作用,降低了高压静电的破坏力,提升ESD性能,同时避免因有源层的N型掺杂降低而影响ESD性能。
  • 一种led外延结构
  • [发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310317675.8在审
  • 林志伟;李敏华;何剑;陈凯轩;卓祥景;蔡建九 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-05-30 - H01L33/20
  • 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法,通过将衬底设置具有多个凸起,所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面;其中,所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小;沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率,则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形;所述第一方向垂直于所述衬底,并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状,使得光在所述凸起形成更全面的反射方向,从而扩大了LED芯片的发光角度;如此,在后续显屏组装时可简化背光设计,尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
  • 一种led芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种Micro-LED显示装置及其制作方法-CN202310266498.5在审
  • 林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-03-20 - 2023-05-12 - H01L33/50
  • 本发明提供一种Micro‑LED显示装置及其制作方法,其中Micro‑LED显示装置包括:驱动电路单元,设置在驱动电路单元上的若干像素单元,每个像素单元均包括:发光单元,发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构,三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构,通过荧光粉激发获得白光,经过红、绿、蓝三基色滤光片后,结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极,可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧,可增加出光面的发光面积,且第四电极通过分割道与透明导电层连接,可明显增大电流扩展和增强电导热能力,进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
  • 一种microled显示装置及其制作方法
  • [实用新型]一种集成式RGB Mini-LED芯片-CN202222560992.6有效
  • 林志伟;陈凯轩;蔡建九;柯志杰;刘英策;艾国齐 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-05-05 - H01L33/38
  • 本实用新型提供一种集成式RGB Mini‑LED芯片,集成式RGB Mini‑LED芯片包括:在同一水平面上,呈阵列分布的RGB发光单元,阵列分布的RGB发光单元由双色LED芯片和单色LED芯片交替排列构成,相邻RGB发光单元之间互相绝缘,且其中一种同性电极相邻,使得相邻的RGB发光单元的同性电极形成较大的电极打线点,既可避免单个电极焊点太小造成漏焊等不良;又可以使一个电极打线点同时覆盖四个芯片的同性电极,减少三次打线工艺,有效减少工艺流程及成本;还可有效减小单个电极的面积,增加发光面积,避免小尺寸芯片的出光面积被过多的阻挡,进而提高RGB Mini‑LED芯片的出光效率。
  • 一种集成rgbminiled芯片
  • [发明专利]一种mini-LED芯片及其制作方法-CN202011094769.6有效
  • 林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2020-10-14 - 2023-03-14 - H01L25/075
  • 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法,通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜,其中,所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁;在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层;所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面,并延伸至所述隔离层的表面;所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面;同时,第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接;第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计,避免电极挡光,使LED芯片的发光面积增大;同时,通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极,有利于电极打线时的精准对位控制。
  • 一种miniled芯片及其制作方法
  • [实用新型]一种多色LED芯片-CN202222440257.1有效
  • 林志伟;崔恒平;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩;蔡建九 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2022-09-15 - 2023-01-20 - H01L33/14
  • 本实用新型提供了一种多色LED芯片,在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层;其中,所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层;且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小,以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此,从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小,并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层,有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效,同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
  • 一种多色led芯片
  • [实用新型]一种外延结构、LED芯片-CN202220608754.5有效
  • 林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡建九 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-01-03 - H01L33/20
  • 本实用新型提供了一种外延结构、LED芯片,其中外延结构包括:图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层;混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层,凸起结构为易腐蚀性材料,且相邻凸起结构的底部相互紧挨,形成底部相连的凸起结构,部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠,再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积,可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法,高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
  • 一种外延结构led芯片

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