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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111019509.7在审
发明人：林盈志;张峰溢;蔡尚元;王仁里 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，方法包括：提供一中间体，在相邻栅极堆叠体之间的间隔区域所对应的层间介质层的上方形成阻挡结构，根据阻挡结构蚀刻层间介质层，以形成暴露栅极堆叠体的接触开口并去除阻挡结构，在接触开口内填充材料以形成接触单元；因为阻挡结构的存在可以避免相邻两个接触单元出现连通情况；进一步地，阻挡结构是由掩模层蚀刻形成，形成过程的横向尺寸可以灵活调整，上光刻层的开口尺寸可以接近该方向上相邻栅极及其间隔区域的宽度，相比与现有技术的方案，可以扩大光刻层开口尺寸，降低光刻难度，并且，借由阻挡结构的保护作用，可以准确定位在栅极堆叠体上方形成接触开口，提高接触单元与栅极堆叠体的负载面积。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件-CN202110461644.0在审
发明人：苏廷锜;张峰溢;蔡尚元 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有源结构和栅极结构，所述栅极结构包括用于被移除的牺牲栅极结构和移除后剩余的预留栅极结构；在预定区域处，移除所述牺牲栅极结构以形成对应的栅极开口；在形成所述栅极开口之后，在所述衬底上方以及所述栅极开口内沉积抵接所述预留栅极结构的侧壁的阻挡层和/或层间介质层；以及在形成有所述阻挡层和/或所述层间介质层的栅极开口中形成栅极间隔件。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110470109.1在审
发明人：张峰溢;苏廷锜;蔡尚元;林盈志 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底上方形成有源结构和栅极结构；蚀刻阻挡层，形成于两个所述栅极结构之间；所述蚀刻阻挡层与所述有源结构间隔开以形成扩充空间，所述扩充空间内填充有接触结构。所述制备方法中通过在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成伪介质层，然后通过蚀刻将其去除后，可在蚀刻阻挡层和有源结构之间形成可供接触结构延展进入的扩充空间，从而扩大有源结构与接触结构的抵接面积，减少接触电阻。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制作方法和半导体器件-CN202110408086.1在审
发明人： 蔡尚元;林盈志;罗威扬 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一器件中间体，所述器件中间体包括：衬底、形成在所述衬底中的有源结构、形成在衬底上方的栅极结构以及形成在相邻两个栅极结构之间的第一介质层；其中，所述栅极结构包括伪栅极和抵接所述伪栅极两侧的栅极侧墙，所述栅极侧墙包括：伪侧墙和抵接所述伪侧墙两侧的预设第一侧墙，所述伪侧墙的上表面高于所述预设第一侧墙的上表面；移除所述伪侧墙，以形成第一开口并暴露预设第一侧墙的内壁；在所述预设第一侧墙和所述第一开口上方形成侧墙盖帽，以覆盖所述第一开口形成空气间隔层，其中所述侧墙盖帽、所述伪栅极和所述第一介质层三者的上表面在同一水平面。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010771089.7在审
发明人：张峰溢;林盈志;蔡尚元;苏廷锜 -专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及插设在衬底上的栅极；栅极侧壁覆盖有间隔层，间隔层位于衬底上方的部分覆盖有第一接触蚀刻终止层；栅极顶面上蚀刻形成有第一凹槽，第一凹槽中填充形成有SAC头部；衬底位于栅极之间的部分覆盖有第二接触蚀刻终止层；第二接触蚀刻终止层上覆盖有第一层间介电层；第一层间介电层顶面上并在第一接触蚀刻终止层侧壁上形成有SAC副间隔体；半导体结构还包括接触部件；该接触部件与衬底相接触，完全覆盖SAC副间隔体顶面，并覆盖SAC头部顶面的部分或全部。本发明的半导体结构及其制造方法设计新颖，实用性强。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成开口的方法-CN201110160266.9有效
发明人：张峰溢;林义博;廖俊雄;蔡尚元;冯郅文;吕水烟;徐庆斌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明优选披露一种形成开口的方法。该方法包括首先形成含碳的硬掩模于半导体基底表面，然后利用不含氧原子的气体对该硬掩模进行蚀刻工艺，以于该硬掩模中形成第一开口。
形成开口方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件的制作方法-CN201110057040.6有效
发明人：廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;吕水烟;周珮玉;陈信琦;廖俊雄;蔡尚元;杨建伦;蔡腾群;林俊贤 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种制作具有金属栅极的半导体元件的方法。首先提供基底。基底包括第一导电型晶体管、第二导电型晶体管。第一导电型晶体管包括第一牺牲栅极，第二导电型晶体管包括第二牺牲栅极。接着移除第一牺牲栅极，以形成第一沟槽，并于第一沟槽内形成第一金属层以及第一物质层。平坦化第一金属层以及第一物质层。接着移除第二牺牲栅极，以形成第二沟槽，并于第二沟槽内形成第二金属层以及第二物质层。最后，平坦化第二金属层以及第二物质层。
具有金属栅极半导体元件制作方法

[发明专利]修整光致抗蚀剂图案的方法-CN201010105786.5无效
发明人：林盈志;周珮玉;廖俊雄;冯郅文;张峰溢;蔡尚元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明公开一种于修整光致抗蚀剂图案的方法，以氮气做为蚀刻气体，并且以适当的蚀刻速率修整光致抗蚀剂图案，其方法如下：首先提供一待蚀刻材料层覆有一图案化光致抗蚀剂层，然后进行一削除光致抗蚀剂制作工艺，以氮气修整图案化光致抗蚀剂层的边缘，最后，以修整后的图案化光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻待蚀刻材料层。
修整光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]利用遥控飞艇施放引绳的方法-CN200410021960.2无效
发明人：杨家昌;沈光陞;赵新波;李海涛;刘彤;胡凤春;李春;邵益华;黎明辉;蔡尚元;陈力;刘来友;杨宏;张超;夏奎 -专利权人：云南省送变电工程公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： B64D1/00 文献下载
摘要：利用遥控飞艇施放引绳的方法，其方法步骤是首先将一级引绳(1)的绳头施放到第一基塔位(3)的塔顶；然后由遥控飞艇(2)带着一级引绳沿架线线路飞行，将一级引绳施放到沿线的塔位塔顶，飞过最后一基塔位(4)上空后，地面遥控人员将艇载的遥控脱绳器(5)打开，将飞艇上的绳头抛下，完成一段线路的一级引绳施放。本发明的方法与现有的人力施放导引绳技术相比，不仅解决了电力架线施工中特殊地理环境跨越的技术难题，还大大节约了施工成本，本发明的方法易于操作、施放落点比较准确、经济、简便、安全可靠。
利用遥控飞艇施放方法

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