“蔡孟伦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]感测元件-CN201810842578.X有效
发明人：高库诺;高昆维;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开一种感测元件，其包含半导体结构、基板、第一电极、第二电极、以及加热器。感测区域位于半导体结构的上侧。基板位于半导体结构的底侧。第一电极和第二电极设置在半导体结构的上侧。加热器设置在半导体结构上并与感测区域分开一小于100μm的距离。
元件

[发明专利]车载镜头的自动校正方法以及车载镜头装置-CN202011097853.3有效
发明人： 蔡孟伦 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明提出一种车载镜头的自动校正方法以及车载镜头装置。自动校正方法包括以下步骤：通过所述车载镜头以及当前外部参数矩阵取得车道影像，并且辨识在所述车道影像中的两个车道线；将所述车道影像转换为俯视车道影像，并且取得所述两个车道线在所述俯视车道影像中的两个投影车道线；依据所述两个投影车道线来计算对应于所述当前外部参数矩阵的多个校正参数矩阵；以及依据所述多个校正参数矩阵来校正所述当前外部参数矩阵。由此，可适用于车辆为静止或行进中的情境来自动进行车载镜头的外部参数矩阵的校正。
车载镜头自动校正方法以及装置

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201310309950.8有效
发明人：颜胜宏;蔡孟伦;蔡清富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光元件及其制造方法。该发光元件，至少包含：第一电性半导体层；第二电性半导体层；以及有源层，位于该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间，且该有源层包括由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构，其中该多个势垒层分别包含至少一个次势垒层。上述的元件可增加空穴和电子结合的机率，提高发光效率。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201310246815.3有效
发明人：徐大正;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光元件，包含一外延结构，该外延结构包含：发光层；第一导电型局限层，位于该发光层上；第二导电型局限层，位于该发光层下，其中该第一导电型局限层的厚度不等于该第二导电型局限层的厚度，该发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化，其中最大光强度位于发光层以外的区域。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200910260838.3有效
发明人：颜胜宏;蔡孟伦;蔡清富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含n型束缚层；p型束缚层；以及有源层，位于n型束缚层与p型束缚层之间，有源层是由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构。于势垒层掺杂p型杂质以增加空穴数目，其中越靠近n型束缚层的势垒层掺杂浓度越低，越靠近p型束缚层的势垒层掺杂浓度越高，以形成具渐变式掺杂浓度的势垒层结构。上述的元件可增加空穴和电子结合的几率，提高发光效率。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200810144583.X有效
发明人：吕琪玮;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一具有隧穿层结构及电流散布层的发光元件。此发光元件具有一导电基板，此基板之上有一粘结层；粘结层之上有一外延层结构，其包括一第一导电性半导体层，一有源层及一第二导电性半导体层；外延层结构之上有一隧穿层结构，其包括一第一掺杂浓度的第一导电性半导体层及一第二掺杂浓度的第二导电性半导体层；隧穿层结构之上有一电流散布层。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810129294.2有效
发明人：徐大正;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种发光元件，至少包含一发光层、一第一导电型局限层以及一第二导电型局限层，其中第一导电型局限层与第二导电型局限的厚度不同，使发光元件中沿外延生长方向的光强度分布曲线的峰值区域与发光层在空间上不相互重叠。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN200810129748.6无效
发明人：谢明勋;徐大正;彭韦智;李亚儒;吕琪玮;杨雅兰;苏英阳;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明关于一种发光元件，该发光元件包含基板；发光叠层，形成于该基板上；以及透光粘结层，形成于该发光元件的内部或出光表面上，该透光粘结层内含光学结构，其中该光学结构的折射率相异于该透光粘结层的折射率。
发光元件

[发明专利]发光二极管装置及发光芯片-CN200610108788.3有效
发明人：谢明勋;徐大正;吕志强;王健源;陈彦文;李亚儒;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管装置及发光芯片。该发光二极管装置包含一封装基座、一芯片载体形成于该封装基座上、一发光芯片形成于该芯片载体上、一反射杯形成于该封装基座上并环绕该发光芯片及该芯片载体、及一透明封装材料，用以封装该发光芯片。
发光二极管装置发光芯片

1
共 9 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top