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[发明专利]使用动态锁存器提供多个偏置电压的存储器装置-CN202211034968.7在审
发明人：河合鉱一;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及使用动态锁存器提供多个偏置电压的存储器装置。存储器装置包含耦合到感测节点的感测放大器SA锁存器。动态锁存器DL连接到所述SA锁存器并且耦合到感测节点。感测线包含所述感测节点并且选择性地连接到所述SA锁存器、所述DL及位线，所述位线耦合到存储器单元串。控制逻辑耦合到所述SA锁存器及所述DL，并且使预编程验证电压将所述感测节点升压；及响应于检测到存储在SA锁存器中的高位值，使电压接通DL设置晶体管，使得将第一偏置电压或第二偏置电压存储在锁存器晶体管处。所述第一偏置电压可用于选定存储器单元的缓慢编程并且所述第二偏置电压可用于所述选定存储器单元的快速编程。
使用动态锁存器提供偏置电压存储器装置

[发明专利]具有四个数据线偏置电平的存储器装置-CN202210941589.X在审
发明人： H·T·阮;T·O·伊瓦萨基;E·E·于;D·斯里尼瓦桑;宁涉洋;L·C·米兰达;A·S·叶;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请案涉及具有四个数据线偏置电平的存储器装置。存储器装置可包含：第一锁存器，其用以存储第一数据位；第二锁存器，其用以存储第二数据位；数据线，其选择性地连接到所述第一锁存器、所述第二锁存器和串联连接的存储器单元串；以及控制器，其经配置以在选定存储器单元的编程操作期间偏置所述数据线。所述控制器可在所述第一数据位等于0且所述第二数据位等于0的情况下，将所述数据线偏置到第一电压电平；在所述第一数据位等于1且所述第二数据位等于0的情况下，将所述数据线偏置到第二电压电平；在所述第一数据位等于0且所述第二数据位等于1的情况下，将所述数据线偏置到第三电压电平；以及在所述第一数据位等于1且所述第二数据位等于1的情况下，将所述数据线偏置到第四电压电平。
具有四个数据线偏置电平存储器装置

[发明专利]在线性导电结构之间具有导电屏蔽结构的集成组合件-CN202180038271.4在审
发明人： N·考希克;蒲田佳彦;R·J·希尔;K·A·里特尔;T·O·伊瓦萨基;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有通道材料结构且具有沿着所述通道材料结构的存储器单元的组合件。所述存储器单元包含电荷存储材料。线性导电结构与所述通道材料结构垂直偏移，并与所述通道材料结构电耦合。中介区位于所述线性导电结构之间。导电屏蔽结构位于所述中介区内。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。
线性导电结构之间具有屏蔽集成组合

[发明专利]用于编程验证操作的存储器装置-CN202111577082.2在审
发明人： 蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于编程验证操作的存储器装置。存储器装置可包含：存储器单元阵列，其包含多个串联连接的存储器单元串；多个存取线；共同源极；多个数据线；多个屏蔽线；以及控制逻辑。每个存取线可连接到每个串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极。每个串联连接的存储器单元串可选择性地连接在所述共同源极与相应数据线之间。所述多个屏蔽线可与所述多个数据线交错。所述控制逻辑可经配置以实施对耦合到选定存取线的相应存储器单元的编程验证操作，所述编程验证操作包含感测每个数据线上的电压电平以确定耦合到所述选定存取线的每个相应存储器单元是否已被编程到所述相应存储器单元的目标电平。
用于编程验证操作存储器装置

[发明专利]电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构-CN202111457559.3在审
发明人：福住嘉晃;藤木润;田中秋二;吉田政史;西户雅信;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及电容式感测NAND存储器的存储器阵列结构。存储器单元阵列包含多个感测线，每个感测线具有在第二数据线和源极之间串联连接的相应多个通过门，并且具有电容耦合到其相应多个通过门的第一沟道的相应单元列结构子集，其中，对于所述多个感测线中的每个感测线，其相应单元列结构子集中的每个单元列结构连接到相应第一数据线子集中的相应第一数据线。
电容式感测 nand 存储器阵列结构

[发明专利]电容式感测NAND存储器中的存取操作-CN202111458167.9在审
发明人：福住嘉晃;藤木润;田中秋二;吉田政史;西户雅信;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及电容式感测NAND存储器中的存取操作。存储器可包含非易失性存储器单元、选择性地连接到所述非易失性存储器单元的电容、具有电容耦合到所述电容的电极的沟道的场效应晶体管，以及用于存取所述非易失性存储器单元且配置成使所述存储器进行以下操作的控制器：增加所述电容的所述电极的电压电平；响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平，以及响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。
电容式感测 nand 存储器中的存取操作

[发明专利]电容式感测NAND存储器中的感测线结构-CN202111459491.2在审
发明人：福住嘉晃;藤木润;田中秋二;吉田政史;西户雅信;蒲田佳彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及电容式感测NAND存储器中的感测线结构。存储器单元阵列可包含：数据线；源极；在所述数据线和所述源极之间串联连接的多个通过门；多个单元列结构，其各自具有与相应多个经串联连接场效应晶体管串联连接的相应多个经串联连接非易失性存储器单元，其中其相应多个经串联连接非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元的沟道和其相应多个经串联连接场效应晶体管中的每个场效应晶体管的沟道选择性地彼此连接；以及多个背侧栅极线，其各自连接到所述多个通过门中的相应通过门的所述第二控制栅极。
电容式感测 nand 存储器中的感测线结构