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[发明专利]存储器控制方法及其系统-CN201510540007.7有效
发明人：罗珮文;石修铨;陈纪纲;蒯定明;吴诚文 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：存储器控制方法及其系统。该存储器系统包括存储器装置及存储器控制器。存储器装置包含电性连接的多个存储器内部电路与一存储器阵列。存储器阵列包括一特定存储器区块。存储器控制器包括分析模块以及切换模块。分析模块分析对应至特定存储器区块的多个存储器控制指令的状态以产生控制参数。切换模块根据控制参数、特定存储器区块的目前操作模式、及特定存储器区块的操作状态决定是否发出包含第一切换指令及第二切换指令的切换指令。当存储器装置接收到第一切换指令时，特定存储器区块与至少部分的存储器内部电路由正常电压操作模式切换至低电压操作模式。
存储器区块存储器装置指令存储器内部电路存储器控制器存储器阵列分析模块控制参数存储器控制指令低电压操作模式操作模式切换存储器控制存储器系统系统存储器操作模式操作状态电性连接正常电压分析

[发明专利]半导体元件堆叠结构-CN201210111141.1有效
发明人： 蒯定明;周永发;龙巧玲;钱睿宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本揭露公开一种半导体元件堆叠结构，其包括多个半导体元件及至少一加固结构。半导体元件相互堆叠，其中至少一半导体元件具有至少一穿硅孔。各至少一加固结构围绕相应的至少一穿硅孔，并且电性隔绝于半导体元件。至少一加固结构包括多个加固件及至少一连结件。加固件位于半导体元件之间，其中加固件在平面上的垂直投影围出封闭区域，且至少一穿硅孔在平面上的投影位于封闭区域内。连结件位于加固件在平面上的垂直投影的重叠区域内，用以连接加固件，而构成至少一加固结构。
半导体元件堆叠结构

[发明专利]芯片的修补方法与芯片堆栈结构-CN200910146036.X有效
发明人：周永发;蒯定明 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用芯片堆栈结构的芯片的修补方法，提供第一芯片、第二芯片，验证第一与第二芯片的功能，以获得第一与第二验证结果。若第一验证结果显示第一芯片的第一电路区块为不良，则使第一电路区块失能。若第一验证结果显示第一芯片的第二电路区块为良好，且第二验证结果显示第二芯片的第三电路区块为良好，则使第三电路区块电性连接至信号路径以替代第一电路区块提供第一功能。本发明可使多个不良芯片合并为一良好产品，进而减少废弃芯片的数量。通过硬线式切换器的各种不同配置方式的穿透硅通孔而形成各种不同的信号与电源传递模式，可在不改变导电凸块及芯片表面线路的配置方式的情况下，用于信号与电源传递路径的变换。
芯片修补方法堆栈结构

[发明专利]芯片的布局结构与方法-CN200910135330.0有效
发明人：周永发;蒯定明 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种芯片布局结构与方法。芯片布局结构包括第1导电通孔、第2导电通孔、芯片，以及八个接点。第1导电通孔与第2导电通孔贯穿于芯片。第1导电通孔包括第1接点与第2接点，而第2导电通孔包括第3接点与第4接点。第5接点与第3接点导通。第6接点与第2接点导通。第7接点与第1接点导通。第8接点与第4接点导通。在芯片的垂直方向上，第1接点与第2接点部分或全部重叠，第3接点与第4接点部分或全部重叠，第6接点与第5接点部分或全部重叠，第8接点与第7接点部分或全部重叠。
芯片布局结构方法

[发明专利]分栅闪存的低功率读取参考电路-CN200510127902.2无效
发明人：张孟凡;潘显裕;蒯定明;周永发 -专利权人：积丞科技股份有限公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种分栅闪存的低功率读取参考电路，包括有至少一对第一参考存储单元及第二参考存储单元，用来提供读取参考电流的分栅闪存的正规存储单元，其中第一参考存储单元的第一浮置栅极与第二参考存储单元的第二浮置栅极连接于逻辑电路的输出端，逻辑电路可接收至少一外部状态信号，来判定分栅闪存是否预备进入读取模式，而使第一浮置栅极与该第二浮置栅极位于一开启状态及一关闭状态进行变换，而开启第一参考存储单元及第二参考存储单元使其提供参考电流。
闪存功率读取参考电路