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[发明专利]横向双扩散晶体管的电路系统及其建模方法-CN202010113199.4有效
发明人： 蒋盛烽;陆阳 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：公开一种横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法，该电路模型包括：标准BSIM4模型；以及漂移区等效电阻，所述漂移区等效电阻包括多个电阻修正项系数，用于修正漂移区电阻，其中，所述电路模型用于表征横向双扩散晶体管的饱和阈值电压和漏极电流的变化特性。该LDMOS的电路模型及其建模方法在BSIM4模型的基础上，加上了定制的漂移区等效电阻，来准确的表征LDMOS中的准饱和效应，使得该电路模型在利用BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度的同时，也能准确地表征LDMOS的各种特性，缩短电路设计周期，克服了BSIM模型无法准确表征LDMOS的特性的问题。
横向扩散晶体管电路系统及其建模方法

[发明专利]半导体器件建模方法-CN202010686667.7有效
发明人： 蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件建模方法，包括建立原生晶体管模型和寄生晶体管模型，原生晶体管模型衬底连接至寄生晶体管模型基极，并通过衬底电阻接地；原生晶体管模型的漏极和寄生晶体管的集电极均通过漏端电阻连接至半导体器件的漏端；原生晶体管模型的源极和寄生晶体管的发射极均连接至半导体器件的源端。其中，本发明的半导体器件建模方法的原生晶体管模型和寄生晶体管模型均包括碰撞电离电流公式，设置两个碰撞电离电流公式可以保障衬底电压的抬升，保障寄生晶体管模型的开启，保障对骤回现象的仿真模拟，确保ESD器件的参数获取，且模型简单、收敛性好、仿真速度快。
半导体器件建模方法

[发明专利]集成电路版图设计的物理验证方法、电子设备及存储介质-CN202210378480.X在审
发明人：范文棋;蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路版图设计的物理验证方法、电子设备及存储介质，该方法包括：将进行物理验证的规则文件适配修改成通用规则文件；构建物理验证工具的运行环境；在物理验证工具启动时检查是否存在配置文件，配置文件用于实现对规则文件中的多个选择项的配置；在检查到存在配置文件的情况下调用通用规则文件，并根据配置文件、集成电路版图设计信息和通用规则文件执行物理验证；产生验证结果文件并输出至指定位置，其中，在物理验证工具启动时若检查不到配置文件，则提示进行多个选择项的选择，以创建配置文件。本发明能够实现对后端物理验证流程的固化，避免版图工程师直接解除修改规则文件，有利于提升物理验证效率和降低出错率。
集成电路版图设计物理验证方法电子设备存储介质

[发明专利]场效应晶体管性能分析方法和布局优化方法-CN202210439987.1在审
发明人： 蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本申请公开了场效应晶体管性能分析方法和布局优化方法。该场效应晶体管性能分析方法，包括：在标准器件符号中加入多晶硅间距参数，来获得带有多晶硅间距参数信息的电路网表；以及采用场效应晶体管模型根据带有多晶硅间距参数信息的电路网表进行仿真以获得场效应晶体管的性能参数，其中，场效应晶体管性能分析方法还包括，将所述多晶硅间距参数转换成等效沟道参数。该场效应晶体管性能分析方法采用现有的场效应晶体管模型分析场效应晶体管的多晶硅间距效应，从而获得多晶硅间距对器件性能的影响，可以应用于高精度的电路设计中。
场效应晶体管性能分析方法布局优化

[发明专利]齐纳二极管及其制造方法-CN202010737847.3有效
发明人：韩广涛;蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种齐纳二极管及其制造方法，形成的齐纳二极管包括：位于衬底上的阱区；位于衬底上的第一掺杂区和分别位于该第一掺杂区两侧的第二掺杂区；分别位于第二掺杂区远离第一掺杂区的一侧的场氧区，该场氧区在靠近第二掺杂区一侧的鸟嘴区域与前述第二掺杂区邻接；以及位于场氧区上方的多晶硅层，其横向延伸覆盖在前述第二掺杂区的上方；还有分别与第一掺杂区和多晶硅层形成欧姆接触的第一电极和与衬底形成欧姆接触的第二电极。本发明通过位于场氧区上方且横向延伸覆盖在第二掺杂区上表面的多晶硅层调节第二掺杂区与第一掺杂区共同和阱区形成的PN结在第二掺杂区侧面的等电势，以稳定该PN结在各处的击穿电压。
齐纳二极管及其制造方法

[发明专利]半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统-CN202111330977.6在审
发明人： 蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的子电路模型的建模方法及计算系统，该建模方法包括：建立黑盒模型，黑盒模型包括多个接口，且多个接口中的任意相邻两个接口之间设置有二极管；将黑盒模型连接在标准BSIM4模型上，生成子电路模型；以及采用子电路模型表征半导体器件的击穿效应和/或穿通效应。本发明所构建的子电路模型不仅具有BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度，同时还包含有能够表征器件击穿效应和穿通效应的黑盒模型，能够提高半导体器件的建模速度和建模准确性。
半导体器件电路模型建模方法计算系统

[发明专利]横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法-CN202011318318.6在审
发明人： 蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法，该电路模型包括：标准BSIM4模型；串联于标准BSIM4模型上的栅端‑体端等效电容，包括多个栅端‑体端等效电容修正项系数，用于修正栅端‑体端电容；串联于标准BSIM4模型上的栅端‑漏端等效电容，包括多个栅端‑漏端等效电容修正项系数，用于修正栅端‑漏端电容，其中，该电路模型用于表征横向双扩散晶体管的电容特性。该LDMOS的电路模型及其建模方法在BSIM4模型的基础上，加上了定制的栅端‑体端等效电容和栅端‑漏端等效电容，使得该电路模型在利用BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度的同时，也能准确的表征LDMOS的电容特性，克服了BSIM模型无法准确表征LDMOS的电容特性的问题。
横向扩散晶体管电路模型及其建模方法

[发明专利]基于LVS工具的盆区检测方法-CN202010579567.4在审
发明人： 蒋盛烽 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LVS工具的盆区检测方法，包括：在所述LVS工具中添加盆区电压作为新的属性；获取芯片电路中多个目标器件的盆区电压，并将所述多个目标器件的盆区电压对应的添加至网表中；基于所述芯片电路绘制版图，并基于第一距离参数和第二距离参数定义所述版图中的多个盆区的盆区电压；将所述多个目标器件对应的放置于所述多个盆区中，并将定义的所述多个盆区的盆区电压对应的传递给所述多个目标器件；对比所述网表中每个目标器件的盆区电压与对应的盆区传递的盆区电压是否一致，并在不一致时进行报错。本发明提升了对器件盆区的检测效率和检测准确率。
基于 lvs 工具检测方法

[发明专利]金属互联层电容预测模型的建立方法及模型系统-CN202010150104.6在审
发明人： 蒋盛烽;陆阳 -专利权人：杰华特微电子（杭州）有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：公开了一种金属互联层电容预测模型的建立方法及模型系统，该金属互联层电容预测模型的建立方法包括：利用后仿真工具提取不同尺寸的金属互联层电容的容值数据，建立金属互联层电容的容值与尺寸的关系式；采用工艺器件仿真工具分别提取所述金属互联层电容的电压及温度与所述容值的关系数据，加入所述关系式中；以及将所述容值与所述尺寸、所述电压和所述温度的关系式建立为仿真模型。该模型建立方法通过采用后仿真工具建立起电容容值与尺寸的关系式，再结合工艺器件仿真工具加入电压和温度的关系数据，从而建立起电容的整体模型，该方法的建模速度大大提升，节省了电路设计周期，而且可以对小尺寸的电容进行分析，模型可靠性好。
金属互联层电容预测模型建立方法系统

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