“董攀飞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电子级柠檬酸的多级纯化方法-CN202211318373.4有效
发明人：王荣;贺兆波;叶瑞;张庭;彭俊杰;欧阳克银;章玲;吴文静;李琴;吴昊;董攀飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07C51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级柠檬酸的多级纯化方法，将柠檬酸原液通过树脂柱得到初级柠檬酸纯化液；将初级柠檬酸纯化液减压浓缩得到柠檬酸初级浓缩液；将柠檬酸初级浓缩液采用梯度降温的方式得到柠檬酸晶体的悬浮液；柠檬酸悬浮液离心洗涤得到一级柠檬酸晶体；一级柠檬酸晶体配成一级柠檬酸纯化液；将柠檬酸一级浓缩液采用梯度降温的方式结晶纯化得到柠檬酸晶体的悬浮液；重复上述操作两次。通过树脂耦合多级结晶的方式，可产量化的将金属含量较高的工业级柠檬酸纯化为高纯的电子级柠檬酸。
一种电子柠檬酸多级纯化方法

[发明专利]一种锆铪分离萃取剂及其应用以及锆铪分离方法-CN202111259875.X有效
发明人：吴明;徐志高;董攀飞;何正艳;瞿军 -专利权人：中南民族大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆铪分离萃取剂及其应用以及锆铪分离方法，属于化学物质分离技术领域。该铪分离萃取剂的成分中包括离子液体萃取剂，离子液体萃取剂具有结构的化合物，其中，A选自氮、磷、砷、锑和铋中的任意一种；Bn‑选自无机酸根离子、有机酸根离子和氢氧根离子中的任意一种；X1至X4彼此独立地选自取代或未取代的直链烷基、取代或未取代的支链烷基以及取代或未取代的芳基中的任意一种。上述锆铪分离萃取剂对铪具有较高的萃取能力，可大大减少萃取剂用量和萃取分离级数。采用上述萃取剂进行锆铪分离的方法具有对原料的处理量大、效率高的特点，且能够同时分别制得核级锆和核级铪，产品纯度高。
一种分离萃取及其应用以及方法

[发明专利]一种氧化硅高选择性蚀刻液-CN202211572581.7在审
发明人：武昊冉;张庭;贺兆波;李金航;许真;董攀飞;李誉;王巍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化硅高选择性蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：1‑6%的氢氟酸、10‑30%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为有机胺类化合物与含磷酸基的化合物的混合物，有机胺类化合物优选长碳链有机胺。通过活性剂的复配使用，可以更加高效地抑制金属层地蚀刻，蚀刻选择比可以高于20；同时该蚀刻液可以快速浸润到氧化硅深孔结构中，将深孔中的氧化硅蚀刻完全，满足工艺的要求。
一种氧化选择性蚀刻

[发明专利]一种高选择性且低泡的蚀刻液-CN202211573449.8在审
发明人：许真;张庭;贺兆波;李金航;武昊冉;李誉;董攀飞;叶瑞;罗海燕;刘春丽 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种防止侵蚀铝的缓冲氧化物蚀刻液-CN202211675960.9在审
发明人：李金航;张庭;贺兆波;武昊冉;许真;李誉;董攀飞;陈小超;刘春丽;邓爱华;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止侵蚀铝的缓冲氧化物蚀刻液，该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机溶剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于氧化层薄膜的蚀刻和清洗，并且可以防止对铝层的侵蚀。其中添加剂在改蚀刻液中具有较高的溶解度且容易分散，同时在铝膜表面能够形成稳定的保护效果；有机溶剂在HF体系中具有良好的溶解性，同时可以促进添加剂在蚀刻液中的溶解，避免低温下形成析出造成表面残留，同时一定的黏度提升可以改善铝膜表面的平整度，使表面粗糙度更低。本发明所述的蚀刻液大大提升了氧化层对铝层的蚀刻选择比，可满足PCB电路板引线构建中的蚀刻选择比要求。
一种防止侵蚀缓冲氧化物蚀刻

[发明专利]一种用于分离锆铪的协同萃取剂及方法-CN202011446095.1有效
发明人：吴明;徐志高;徐斐;董攀飞;何正艳;瞿军;李巧蕾 -专利权人：中南民族大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C22B3/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分离锆铪的协同萃取剂及方法，属于化学物质分离技术领域。该协同萃取剂包括碱性胺类萃取剂、中性含磷萃取剂和稀释剂，其能够在碱性胺类萃取剂和中性含磷萃取剂用量较少的条件下有效地将锆铪进行分离。用包括上述的协同萃取剂的分离试剂对待分离的锆铪混合物进行分离，能够取得较高的铪萃取率和铪锆分离系数，分离效率高。
一种用于分离协同萃取方法