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[实用新型]可调节拆膜撬棍-CN202320190851.1有效
发明人：李亚鹏;田正洲;葛海鸣;包忍 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B25B33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种可调节拆膜撬棍，涉及光掩模的技术领域，其包括：横梁本体、手柄及顶针；横梁本体的一侧设有抵接面；手柄连接于横梁本体远离抵接面的一侧；抵接面上设有调节沟槽，顶针滑移连接于调节沟槽，且顶针的滑动方向平行于调节沟槽的延伸方向；顶针还连接有锁紧件，锁紧件用于锁紧顶针以限制顶针滑动。通过设置调节沟槽、顶针及锁紧件，使得在应对不同型号Pellicle的拆膜需求时，可以通过滑动顶针，使得顶针快速移动至不同型号Pellicle的定位孔处，实现顶针的快速调节，以适配不同型号的Pellicle。
调节撬棍

[发明专利]便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模-CN202211623777.4在审
发明人：田正洲;葛海鸣;包忍 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模，涉及光掩模的技术领域，其步骤如下：在光掩模表面设置标尺，标尺以光掩模表面设置的定位线为基准，标尺每格度数的量级为微米级；蒙贴光罩护膜于光掩模的表面；通过显微镜观测光罩护膜的边沿在标尺上的读数，得出光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量。通过设置标尺，利用光掩模上预先设置的标尺，对光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量进行测量，只要借助显微镜辅助即可，无需使用标注差量测基台，降低了检测光罩护膜蒙贴位移量所需成本，进而降低了光掩模的整体成本。
便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移方法

[发明专利]光掩模钝化层制造方法-CN202310195889.2在审
发明人：孙长杰;包忍;葛海鸣 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本申请提供一种光掩模钝化层制造方法，涉及光掩模的技术领域，其包括以下步骤：S1，获取晶圆结构；S2，将晶圆结构置于真空腔体中，向真空腔体中通入氧气和氯气，通过加载射频电源，产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻，蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口；S3，通过加载射频电源，产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应，使得金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层；S4，去除钝化层表面的阻挡层。通过氧离子基团和氯离子基团直接在干法蚀刻机台上，一次性完成晶圆结构的蚀刻及金属层表面钝化层的生成，进而省去了转移至Asher机台进行钝化层制作的工艺流程，摆脱了工艺流程的局限性，优化了制程，降低了工艺成本。
光掩模钝化制造方法

[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法-CN201510741988.1有效
发明人：徐飞;郭贵琦;金海涛;葛海鸣;巫轶骏;沈健;陈帅;王然 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备，尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构，包括以下步骤：向蚀刻液输送管路送入蚀刻液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水；连续输送蚀刻液，完成被蚀刻工件的蚀刻工艺；向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液；用纯水替代蚀刻液输送管路第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液。能够有效地预防蚀刻液输送管路的结晶，避免结晶物影响后续蚀刻工艺和掩膜版成品质量，节省定期清洗浪费的时间，提高蚀刻工艺的稳定性和可靠性，保持生产过程的连贯性。
一种避免蚀刻输送管路结晶方法

[发明专利]一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法-CN201210533032.9有效
发明人：严世传;葛海鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩膜在二次曝光中侧蚀宽度安全范围的确定方法，先提供包括透明基底、相移层及遮光层相移掩膜及光刻材料，于所述遮光层中形成多个不同宽度的曝光窗口，并采用预设能量的光通过各该曝光窗口对所述光刻材料依次进行第一次曝光及第二次曝光形成二次曝光图形；然后通过对所述二次曝光图形的检测确定在预设能量的光下相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围。本发明可以通过一种简便的方法确定相移掩膜在二次曝光下安全的侧蚀宽度范围，为光刻过程提供了有效的依据，可以提高成品的良率。本发明步骤简单，功效显著，适用于工业检测。
一种相移二次曝光中侧蚀宽度安全范围确定方法

[发明专利]光掩模缺陷的定位装置及定位方法-CN200910197803.X有效
发明人： 葛海鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种定位装置，包括：基座；气浮式X-Y两坐标平面移动台；光掩模放置台，设置在该移动台上，并且包括固定台和旋转台，前者固定在移动台上，旋转台与移动台可旋转地连接；固定台上设置X-Y方向反射部件和显示移动台X-Y方向的标记；旋转台上设置若干真空孔，用于吸附固定光掩模版；光掩模上设置粗、细对准标记；激光定位装置，设置在基座上，发出光照射到所述反射部件并接受反射光以测定光掩模放置台位置；光掩模激光对准装置，设置在光掩模放置台上方，寻找并对准置于光掩模放置台上的光掩模的粗对准标记和细对准标记，以测定光掩模的精确位置。
光掩模缺陷定位装置方法

[发明专利]光掩膜的铬金属膜去除方法-CN200910055834.1有效
发明人：黄金;葛海鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种光掩膜的铬金属膜去除方法，包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法包括：在铬金属膜上涂布第一光刻胶层后，进行光掩膜图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层，刻蚀铬金属膜形成光掩膜图形，去除第一光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，干法刻蚀相位偏移膜形成相位偏移光掩膜图形；在铬金属膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻胶层后，进行铬金属膜所需图形的图案化；以图案化的第二光刻胶层作为保护层，湿法刻蚀铬金属膜形成铬金属膜所需图形后，再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀残留的铬金属膜，去除光刻胶层。本发明在不耗费大量的时间和成本的前提下将光掩膜的铬金属膜去除干净。
光掩膜金属膜去除方法

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