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[发明专利]按键触发节能控制方法、存储介质、控制装置及其终端-CN201811160568.4有效
发明人：蔡景鸿;萧建铭;余斌 -专利权人：深圳市致行科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：本发明公开了一种按键触发节能控制方法、存储介质、控制装置及其终端；解决了现有的长按键保护机制仍然电能损耗较大，其技术方案要点是，获取当前按键触发信息；主控芯片根据预置按键信息与当前按键触发信息进行比较以判断是否为按键误触发状态；若当前状态为按键误触发状态，主控芯片控制内建计时器启动以发送定时信号信息后进入强制休眠状态；内建计时器根据定时信号信息以间断性唤醒主控芯片，主控芯片判断是否仍然处于按键误触发状态，若当前状态仍然为按键误触发状态，主控芯片进入强制休眠状态并等待下次被唤醒；若当前状态并非是按键误触发状态，主控芯片复位并关闭内建计时器；本发明能够尽可能降低电能损耗，延长使用周期。
按键触发节能控制方法存储介质装置及其终端

[发明专利]实时时钟集成电路及其电子装置-CN200710096632.2无效
发明人：陈泓竹;萧建铭 -专利权人：联詠科技股份有限公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：一种实时时钟集成电路及其电子装置。本发明所提供的实时时钟集成电路仅利用一个低功率振荡器供应实时计数器所需的计时基准时钟，并藉由查表的方式来进行低功率振荡器产生频率漂移的计时基准时钟的补偿，如此不但可以同时达到降低实时时钟集成电路整体的消耗功率、制作成本及设计复杂度，且更可以让实时时钟集成电路进行计时运作的时间拉长。
实时时钟集成电路及其电子装置

[发明专利]具有自行对准金属硅化物组成单元的掩模式只读存储器的制造方法-CN01109540.7无效
发明人： 萧建铭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种高密度掩模式只读存储器组件以及利用自行对准金属硅化物工艺来制造高密度掩模式只读存储器组件的方法。此方法系包括埋入式位线N+、可形成非可编程存储单元的厚氧化层、已去除厚氧化层而可形成可编程存储单元的薄栅极氧化层、作为字线的多晶硅栅极结构以及沉积的单一金属硅化层。因为只需沉积一层金属硅化物，而简化了工艺。在上述的只读存储器组件中的字线与部分埋入式位线上形成有硅化金属层，而此硅化金属层可降低位线与字线之间的电阻，因而可加快上述只读存储器组件的存储单元的操作速率。
具有自行对准金属硅组成单元模式只读存储器制造方法

[发明专利]制造高密度掩膜型只读存储器的方法-CN01116635.5无效
发明人： 萧建铭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-17 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种制造高密度掩膜型只读存储器组件的方法，此方法包括：在一半导体基座上形成一厚氧化物层，移除一部份分的所述厚氧化物层，离子植入掺质来形成埋入位线，图案化来形成编码开口，在此编码开口内形成一栅氧化物，以及形成构成所述掩膜型只读存储器字线的数个导电栅结构。它是利用一厚栅氧化物来形成非可编程单元，并且可容易地被集成至标准互补金属氧化物半导体制程中。
制造高密度掩膜型只读存储器方法