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[发明专利]半导体装置-CN201180012685.6有效
发明人： 菅原良孝 -专利权人： 菅原良孝;富士电机株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。复合开关装置(1)由设置在SiC基板的MOSFET区域(2)的MOSFET以及设置在SiC基板的IGBT区域(3a、3b)的IGBT构成。MOSFET以及IGBT的栅极电极(17a、17b、27a、27b)彼此连接、源极电极(15)和发射极电极(25a、25b)连接、漏极电极(20)和集电极电极(20)连接。在MOSFET以及IGBT设置有共用的n缓冲层(8)。在SiC基板的第1主面侧设置有MOSFET的表面元件构造(2_0)、IGBT的表面元件构造(3a_0、3b_0)。在SiC基板的第2主面侧设置有凹部(7a、7b)以及凸部(6a、6b)。MOSFET设置在SiC基板的与凸部(6b)对应的位置。IGBT设置在SiC基板的与凹部(7a、7b)对应的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201180008847.9有效
发明人： 菅原良孝 -专利权人： 菅原良孝;富士电机株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在宽禁带半导体复合二极管中，在n-漂移层(2)上外延生长p+阳极层(3a、3b)，呈台面状加工而设置一个以上的pn结。在台面底部与pn主结(5a、5b)隔开地设置肖特基结(7a、7b)。由此，能够降低形成时在两结所产生的缺陷、因引线键合的应力而在肖特基结(7a、7b)产生的缺陷及其影响。在两结间，按照与两结接触的方式设置比p+阳极层(3a、3b)浓度的低的p综合电场缓和层(13)。由此，能够抑制缺陷的产生，实现高耐压。另外，在两结的最外周部，配置肖特基结(7a、7b)，通过与其连结而设置p综合电场缓和层(13)，在不有损于高耐压的基础上，高效地排出pn结(5a、5b)下残存的累积载流子，进而降低反向恢复时间、反向恢复电流。
半导体装置

[发明专利]含硅化合物、固化性组合物及固化物-CN200880012200.1有效
发明人：末吉孝;日渡谦一郎;谢名堂正;东海林义和;斋藤诚一;菅原良孝 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2008-04-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C08G77/50 文献下载
摘要：本发明的含硅化合物由右述通式(1)表示。本发明的固化性组合物含有上述通式(1)中的Z为氢原子的该含硅化合物、Z为C_2-4的链烯基或炔基的该含硅化合物、以及硅氢化反应催化剂，该组合物的处理性以及固化性优良，所得到的固化物的耐热性以及柔软性优良。(式中，R^a～R^g为C_1-12的饱和脂肪族烃基或C_6-12的芳香族烃基(其中，R^e和R^f不同时为C_1-12的饱和脂肪族烃基)；Y为C_2-4的亚烷基，Z为氢原子或C_2-4的链烯基或炔基，K为2～7的数，T为1～7的数，P为0～3的数；M和N为N∶M＝1∶1～1∶100且所有的M与所有的N的合计为15以上的数且是使质均分子量为3000～100万的数。)
化合物固化组合

[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置-CN200810092129.4无效
发明人： 菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。
半导体装置制造方法使用电力变换

[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置-CN200710181725.5无效
发明人： 菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。
半导体装置制造方法使用电力变换

[发明专利]高耐热电力用静态设备-CN200680003248.7无效
发明人： 菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：电力用静态设备的至少一个构成要素被合成高分子化合物A覆盖。合成高分子化合物A由多个第三有机硅聚合物相连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物相连接而成的。第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构。第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构。第三有机硅聚合物由第一有机硅聚合物和第二有机硅聚合物通过硅氧烷键连接而构成，并且具有2万～80万的分子量。合成高分子化合物A通过加成反应生成的共价键将多个第三有机硅聚合物连接而构成，具有三维立体结构。
耐热电力静态设备

[发明专利]高耐热合成高分子化合物以及高耐电压半导体装置-CN200680003237.9无效
发明人： 菅原良孝;东海林义和 -专利权人：关西电力株式会社;株式会社艾迪科
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C08G77/44 文献下载
摘要：用合成高分子化合物覆盖宽隙半导体元件的外面。该合成高分子化合物具有三维立体结构，由通过加成反应生成的共价键将第三有机硅聚合物多个连接而构成，所述第三有机硅聚合物是至少一种第一有机硅聚合物和至少一种第二有机硅聚合物通过硅氧烷键(Si－O－Si键)连接而成的，并且，第一有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的交联结构，第二有机硅聚合物具有通过硅氧烷键形成的线状连接结构。该合成高分子化合物中优选混合有热传导性高的绝缘性陶瓷微粒。
耐热合成高分子化合物以及电压半导体装置

[发明专利]用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法-CN200580033930.6无效
发明人：冈田真一;菅原良孝;浅野胜则;高山大辅;东海林义和;谢名堂正;末吉孝;日渡谦一郎 -专利权人：关西电力株式会社;株式会社艾迪科
申请日： 2005-10-05 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：在将密封用树脂涂敷在封装或者衬底上所安装的耐高压半导体芯片上，并使其固化时，在芯片电极或者芯片通过引线等布线所连接的电极端子的至少一个和与该电极端子之间需要绝缘耐压的另一个电极之间，一边施加高电压一边使树脂固化。密封用树脂使用合成高分子化合物，该化合物将具有由硅氧烷产生的交链结构的有机硅聚合物A和具有由硅氧烷(Si－O－Si键合体)产生的线状链接结构的有机硅聚合物B交替地通过硅氧烷键合而被线状地链接，从而构成有机硅聚合物C，并以共价键进行三维链接。由此，即使在安装于衬底或者封装上并且用树脂密封的耐高压半导体芯片上施加了高反向电压时，也能够抑制漏电流的增大和获得设计值那样的电绝缘耐久性。
树脂覆盖高压半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200580029917.3无效
发明人： 菅原良孝;东海林义和 -专利权人：关西电力株式会社;株式会社艾迪科
申请日： 2005-09-06 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：用含有1种以上具有由硅氧烷(Si－O－Si键合体)形成的交联结构的含硅聚合物的合成高分子化合物包覆宽能隙半导体元件的外面。所述合成高分子化合物是例如具有选自Si－R¹、Si－O－R²和Si－R³－OCOC(R⁴)＝CH₂中一种或两种以上的反应基团(A’)、具有一处以上由Si－O－Si键形成的交联结构、重均分子量1000以下的成分为20重量％以下的含硅聚合物。
半导体装置

[发明专利]双极型半导体装置及其制造方法-CN200580009661.X无效
发明人：中山浩二;菅原良孝;土田秀一;镰田功穗;三柳俊之;中村智宣 -专利权人：关西电力株式会社;财团法人电力中央研究所
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种双极型半导体装置，通电时电子和空穴再结合区域的至少一部分，是由碳化硅基片表面生长的碳化硅外延层形成。在制造双极型半导体装置时，用氢腐蚀处理碳化硅基片的表面后，从该处理面上使碳化硅外延生长而形成上述的外延层。通过用化学机械研磨处理碳化硅基片的表面，然后用氢腐蚀处理，可进一步减少向外延层的基面位错的传播。
双极型半导体装置及其制造方法

[发明专利]含硅固化性组合物以及使该组合物热固化而得到的固化物-CN200580007961.4无效
发明人：末吉孝;日渡谦一郎;谢名堂正;东海林义和;菅原良孝 -专利权人：株式会社艾迪科;关西电力株式会社
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明提供一种包含下述(A)、(B)、(C)中的任一种或多种和(D)的固化性组合物，其中当不含(C)时，包含(A)和(B)两者，(A)：具有反应基A’和一个或多个Si－O－Si键、且重均分子量为1000或以下的成分占20重量％或以下的含硅聚合物；(B)：具有Si－H基和一个或多个Si－O－Si键、且重均分子量为1000或以下的成分占20重量％或以下的含硅聚合物；(C)：具有反应基A’、Si－H基以及一个或多个Si－O－Si键、且重均分子量为1000或以下的成分占20重量％或以下的含硅聚合物，(D)：作为铂系催化剂的固化反应催化剂；其中，反应基A’为Si－R¹、Si－O－R²、Si－R³－OCOC(R⁴)＝CH₂中的任一个，R¹、R²为链烯基、R³为亚烷基和/或亚芳基，R⁴为氢或甲基。
固化组合以及得到

[发明专利]碳化硅半导体元件及其制造方法-CN200480040292.6无效
发明人：中山浩二;菅原良孝;浅野胜则;土田秀一;鎌田功穗;三柳俊之;中村智宣 -专利权人：关西电力株式会社;财团法人电力中央研究所
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极半导体元件及其制作方法。为了防止使用有碳化硅半导体的双极半导体元件的时效变化造成的顺向电压的增大，以相对碳化硅半导体的结晶的(000－1)碳面的偏斜角θ为8度的面为结晶成长面，在该成长面上将缓冲层、漂移层及其它p型及n型半导体层以膜厚每小时h的增加速度大于或等于现有的3倍、即10μm/h的成膜速度成膜。为提高成膜速度，大幅度增加原料气体的硅烷、丙烷及掺杂剂气体的流量。
碳化硅半导体元件及其制造方法

[发明专利]高电压电源单元-CN200480038357.3无效
发明人：羽田野伸彦;菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：应用于光电图像形成设备和氖光广告牌上的高电压电源单元需要减小尺寸和降低成本。所述高电压电源至少包括高电压变压器和用于驱动高电压变压器的驱动电路，并将电能提供给与高电压变压器的次级侧相连的负载。所述高电压电源还包括：高电压切换电路，用于切换在高电压变压器的次级侧产生的DC输出电压的极性；以及控制电路，用于根据通过施加DC电流输出电压引起流动的负载电流，控制高电压切换电路的切换。
电压电源单元

[发明专利]高耐热半导体装置-CN200480022160.0无效
发明人： 菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：在150℃以上的高温中使用的SiC等宽禁带半导体装置中，为了改善半导体元件的绝缘性，得到高耐电压的宽禁带半导体装置，而采用合成高分子化合物来覆盖宽禁带半导体元件的外表面，这种合成高分子化合物通过附加反应生成的共价键使有机硅聚合物C彼此之间连接，形成三维立体结构，其中，所述有机硅聚合物C通过硅氧烷键连接了具有硅氧烷(Si－O－Si结合键)的交联结构的1种以上的有机硅聚合物A、以及具有硅氧烷的线状连接结构的1种以上的有机硅聚合物B而形成。
耐热半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造方法、使用该半导体装置的电力变换装置-CN200480001111.9无效
发明人： 菅原良孝 -专利权人：关西电力株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。
半导体装置制造方法使用电力变换

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