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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示设备-CN201410343144.7有效
发明人：冈本知广;荒井康行;川俣郁子;宫口厚;守屋芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：显示设备包括：柔性显示面板(4311)，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。
显示设备

[发明专利]半导体装置-CN201811483289.1在审
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
氧化物半导体层半导体装置漏电极源电极绝缘层栅电极氧化物半导体微型化栅极绝缘层方式设置侧表面上表面

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN201410116654.0有效
发明人： 荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种显示设备包括：形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线；形成于第一布线之上的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层；以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中，第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的，并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的，使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。
显示设备及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510993428.5有效
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
半导体装置

[发明专利]显示设备-CN201510085232.6有效
发明人：冈本知广;荒井康行;川俣郁子;宫口厚;守屋芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示设备。该显示设备包括柔性显示面板，其包括显示部分(4301)，其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分(4308)，用于支撑柔性显示面板(4311)的端部；信号线驱动电路(4323)，用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路(4321a，4321b)，用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。
显示设备

[发明专利]电子书-CN201410124306.8有效
发明人：山崎舜平;小山润;荒井康行;川俣郁子;宫口厚;守屋芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G09F9/35 文献下载
摘要：本发明涉及在操纵柔性面板时破坏驱动电路的风险小的并且具有简化的结构的电子器件（例如电子书阅读器）。该电子器件包括多个柔性显示面板（4311、4322），每个显示面板均包括显示部分（4301、4307）和扫描线驱动电路（4321a、4321b、4322a、4322b）；信号线驱动电路（4323）；以及被配置为固定该多个柔性显示面板的结合部分（4308），其中信号线驱动电路被设置于结合部分之内。
电子书

[发明专利]显示设备-CN201310314979.5有效
发明人：冈本知广;荒井康行;川俣郁子;宫口厚;守屋芳隆 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：显示设备包括：柔性显示面板（4311），其包括显示部分（4301），其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分（4308），用于支撑柔性显示面板（4311）的端部；信号线驱动电路（4323），用于向为支撑部分（4308）提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路（4321a，4321b），用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分（4308）的方向为显示面板（4311）的柔性表面提供的扫描线输出信号。
显示设备

[发明专利]半导体器件及RFID-CN201310349668.2有效
发明人：磯部敦生;高野圭恵;荒井康行;寺澤郁子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。
半导体器件 rfid

[发明专利]无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备-CN201010241495.9有效
发明人：铃木幸恵;荒井康行;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备。本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。
无线芯片以及具有电子设备

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201210459210.8有效
发明人：山崎舜平;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换装置及其制造方法。在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210162478.5有效
发明人：山崎舜平;铃木幸惠;荒井康行;守屋芳隆;池田佳寿子;棚田好文;高桥修平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110430281.0有效
发明人：野田由美子;荒井康行;渡边康子;守屋芳隆;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201180005276.3有效
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
半导体装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201110320098.5有效
发明人：中村理;樋口美由纪;渡边康子;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
发光装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201080025840.3有效
发明人：山崎舜平;铃木幸惠;西和夫;荒井康行 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。所述光电转换装置包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；将第一单元及第二单元牢固接合的包括纤维体的结构体。其结果，pin结与其中使纤维体浸渍有机树脂的结构体即所谓的预浸料贴合，所以可以在抑制制造成本的同时实现提高机械强度的光电转换装置。
光电转换装置及其制造方法

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