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[发明专利]一种谷胱甘肽的检测方法及相关检测试剂盒-CN202011624437.4有效
发明人：郑成;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明涉及化学分析领域，特别是涉及一种谷胱甘肽的检测方法及相关检测试剂盒。本发明提供一种谷胱甘肽的检测方法，包括：将Fe3O4@C纳米粒子与待测样品共孵育，以提供第一纳米粒子；将第一纳米粒子分散于包括过氧化物和显色剂的反应体系中，以提供第二纳米粒子和液相物；获取液相物的吸光度；根据液相物的吸光度，提供待测样品中GSH的含量。本发明所提供的检测方法及相关检测试剂盒，涉及根据GSH对Fe3O4@C纳米粒子催化活性的抑制，基于Fe3O4@C纳米粒子与过氧化物酶相似的催化活性，可将与其特异性结合的目标物的定性和/或定量检测转换成过氧化物的定性和/或定量测定，具有检测限低、检测范围广、特异性高等特点。
一种谷胱甘肽检测方法相关试剂盒

[发明专利]红外热电堆封装结构及方法-CN202011588262.6有效
发明人：郑成;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N10/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外热电堆封装结构及方法，封装结构包括：管座；热电堆参考单元和热电堆敏感单元，其设于所述管座上；盖板，其连接并覆盖所述热电堆参考单元，以屏蔽电磁波信号。本发明通过在热电堆参考单元上设置具有屏蔽电磁波信号作用的盖板，消除了外部电磁波信号对于热电堆参考单元的干扰，提升了温度检测精度。此外，盖板通过封装工艺直接连接并覆盖热电堆参考单元，不但具有更好的电磁波屏蔽性能，也能有效提升封装效率。
红外热电封装结构方法

[发明专利]SON结构及其制备方法-CN202011592417.3有效
发明人：张洋;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底中制备牺牲柱；外延第二半导体衬底且牺牲柱在外延过程中去除形成空腔结构。本发明在第一半导体衬底中预制牺牲柱结构，基于外延过程中牺牲柱的变化形成悬空的上层第二半导体衬底，在牺牲柱的位置对应形成空腔结构，制备得到SON结构，本发明不需要键合工艺即可形成硅悬浮结构，外延层晶向与衬底晶向相同，悬浮层的厚度可以精确控制，并且外延过程中可以精确控制掺杂浓度调整悬浮膜层的电阻率。
son 结构及其制备方法

[发明专利]气室及气体传感器-CN202110988580.X在审
发明人：陈凯;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供一种气室及基于该气室的气体传感器。气室包括上盖和底座，底座上表面为镜面，设置有发射孔和接收孔，上盖上设置有凹槽，凹槽的内壁是镜面，包括有反射弧面和聚光弧面，且反射弧面和聚光弧面不在同一平面上，上盖上还设置有透气孔，使用时，发射灯固定于发射孔中，接收管固定于接收孔中，上盖以凹槽开口朝向底座的方式覆盖于底座上，以和底座共同构成检测腔体，待检测气体经透气孔扩散进入检测腔体，其中，接收管位于聚光弧面的焦点上，发射灯发出的光经反射弧面反射到聚光弧面，经聚光弧面汇聚后被接收管接收。本发明有助于提高气体检测精度，降低器件成本。
气体传感器

[实用新型]热电堆像素、阵列及系统-CN202222085727.7有效
发明人：李琛;荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种热电堆像素、阵列及系统，其中热电堆像素包括：2*N个串联的热电偶，串联热电偶的首端和尾端作为热电堆像素的差分输出端，第N个热电偶和第(N+1)个热电偶的连接节点作为热电堆像素的共模电压端；其中，前N个热电偶具有正温度系数，后N个热电偶具有负温度系数，且N为大于等于1的正数。通过本实用新型提供的热电堆像素，解决了现有热电堆传感器应用时，通过电阻在读出电路输入端接入共模电平所带来的诸多问题。
热电像素阵列系统

[实用新型]一种基准电路-CN202222087949.2有效
发明人：李琛;荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基准电路，包括：电压产生模块，用于根据正、负温度系数电压产生基准电压，及根据偏置电压调控正、负温度系数电压；斩波调制模块，连接电压产生模块的正、负电压端，用于根据斩波频率对正、负温度系数电压进行斩波调制；放大解调模块，连接斩波调制模块的两个输出端，用于对经过斩波调制的正、负温度系数电压进行运放处理后再根据斩波频率进行斩波解调并产生偏置电压，及根据斩波频率对放大解调模块中的放大器噪声进行斩波调制；陷波滤波模块，连接放大解调模块的输出端，用于在斩波频率点对放大器噪声进行陷波处理。通过本实用新型提供的基准电路，解决了现有基准电路存在基准噪声性能差的问题。
一种基准电路

[发明专利]一种基准电路-CN202210950871.4在审
发明人：李琛;荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电路，包括：电压产生模块，用于根据正、负温度系数电压产生基准电压，及根据偏置电压调控正、负温度系数电压；斩波调制模块，连接电压产生模块的正、负电压端，用于根据斩波频率对正、负温度系数电压进行斩波调制；放大解调模块，连接斩波调制模块的两个输出端，用于对经过斩波调制的正、负温度系数电压进行运放处理后再根据斩波频率进行斩波解调并产生偏置电压，及根据斩波频率对放大解调模块中的放大器噪声进行斩波调制；陷波滤波模块，连接放大解调模块的输出端，用于在斩波频率点对放大器噪声进行陷波处理。通过本发明提供的基准电路，解决了现有基准电路存在基准噪声性能差的问题。
一种基准电路

[发明专利]热电堆像素、阵列及系统-CN202210950873.3在审
发明人：李琛;荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种热电堆像素，包括：2*N个串联的热电偶，串联热电偶的首端和尾端作为热电堆像素的差分输出端，第N个热电偶和第(N+1)个热电偶的连接节点作为热电堆像素的共模电压端；其中，前N个热电偶具有正温度系数，后N个热电偶具有负温度系数，且N为大于等于1的正数。通过本发明提供的热电堆像素，解决了现有热电堆传感器应用时，通过电阻在读出电路输入端接入共模电平所带来的诸多问题。
热电像素阵列系统

[发明专利]红外热电堆阵列及其制备方法-CN202011357595.8在审
发明人： 荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种红外热电堆阵列及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有呈阵列分布的红外热电偶衬底；于衬底背面形成具有外缘介质层及内部介质层的图形化的介质层及释放槽刻蚀窗口；于外缘介质层上形成光刻胶层；藉由释放槽刻蚀窗口采用深反应离子刻蚀刻蚀第一预设深度的衬底；去除内部介质层；采用深反应离子刻蚀刻蚀外缘介质层内部裸露出的衬底，形成呈阵列分布的凸台。采用本方法制备的红外热电堆阵列，降低红外热电堆的热导及破膜风险；另外，凸台可迅速导热，使冷结区温度与环境温度保持一致，同时，在刻蚀形成该凸台时，只需要考虑剩余衬底的侧腐蚀，大大降低侧腐蚀对凸台的影响，从而大大减小凸台的尺寸，利于阵列集成度的提高。
红外热电阵列及其制备方法

[发明专利]SON结构及其制备方法-CN202011589458.7有效
发明人：张洋;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底上形成中间氧化层；在中间氧化层中制备包括第一沟槽、第二沟槽和呈环形的第三沟槽的沟槽组合结构，第二沟槽与第一沟槽连通且包括延伸至中间氧化层端部的单元行；在第二半导体衬底中形成缺陷层；将第二半导体衬底与中间氧化层键合；自缺陷层处剥离第二半导体衬底。本发明提供一种非真空制备SON的方法，在氧化工艺形成的中间氧化层中制备沟槽组合结构，通过第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽的组合，相当于空腔结构中窗口图形通过条状沟槽与圆环沟槽相连，并且有一定数量的条状沟槽延伸到硅片边缘，使其与外部空气联通，保证内外压强一致，同时解决了空洞内的气体受热膨胀和真空导致机械强度问题。
son 结构及其制备方法

[发明专利]红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法-CN202011059854.9在审
发明人： 荆二荣;徐德辉 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种红外热电堆芯片的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该结构包括：具有焊垫的红外热电堆芯片；透红外光的第一基底，红外热电堆芯片粘合于第一基底的凹槽中；与第一基底键合的透红外光的第二基底；贯穿第二基底的金属连接柱，并与焊垫连接；形成于第二基底上的重新布线层，与金属连接柱电连接，且重新布线层具有开口区，开口区正对红外热电堆芯片的感光区；形成于重新布线层上的金属凸块。通过将多个红外热电堆芯片同时粘合于同一基底然后封装形成为扇出型晶圆级封装，大大减小了封装尺寸，节约封装成本；另外，第一基底及第二基底均采用可透红外光的材料，可实现封装体的双面透光，提高封装体的应用范围以及应用灵活性。
红外热电芯片扇出型晶圆级封装结构方法

[发明专利]可变增益放大器及其增益调节方法-CN202111623882.3在审
发明人：李琛;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明提供一种可变增益放大器及其增益调节方法，所述可变增益放大器包括：放大器，第一输入端接入输入电压，第二输入端通过等效输入电阻接入参考电压，输出端产生输出电压并通过等效反馈电阻连接第二输入端；等效输入电阻和/或等效反馈电阻采用MOS开关阵列实现，MOS开关阵列包括：N个选择开关及N个MOS管单元，MOS管单元包括M个MOS管，M个MOS管串联以形成M个栅端及2个连接端，选择开关的第一端彼此相连并接入栅端电压，选择开关的第二端连接对应MOS管单元的栅端，各MOS管单元通过2个连接端并联。通过本发明提供的可变增益放大器及其增益调节方法，解决了现有前置放大器存在芯片面积大和难以精确控制增益的问题。
可变增益放大器及其调节方法

[发明专利]基于摩擦发电的超低速水流能量采集装置及采集方法-CN202011561945.2有效
发明人：郑成;徐德辉;荆二荣 -专利权人：厦门烨映电子科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于摩擦发电的超低速水流能量采集装置，包括水流动能转换模块及超低频能量采集模块，水流动能转换模块包括固定支架、水车车轮、中心轴及转动拨片，中心轴与固定支架相连接，水车车轮穿设在中心轴上，转动拨片与水车车轮的周向边缘相连接；超低频能量采集模块包括支撑架、弹性拨片及摩擦纳米发电机，摩擦纳米发电机位于支撑架上，摩擦纳米发电机包括上摩擦层及下摩擦层，上摩擦层及下摩擦层与输出导线电连接；弹性拨片一端与支撑架相连接，另一端在初始状态下与摩擦纳米发电机表面接触。相较于现有技术，本发明具有制作材料价格低廉且易获取、结构设计简单、能源转换效率高以及输出电能稳定不受水波频率影响等优势。
基于摩擦发电低速水流能量采集装置方法

[发明专利]固液蒸发摩擦的能量采集装置及制备方法、能量采集方法-CN202011561990.8有效
发明人：郑成;徐德辉;荆二荣 -专利权人：厦门烨映电子科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种固液蒸发摩擦的能量采集装置及制备方法，以及一种固液蒸发摩擦的能量采集方法。能量采集装置包括多孔基底、有机膜层、第一电极及第二电极，所述有机膜层、第一电极及第二电极均位于所述多孔基底的表面，所述第一电极及第二电极位于所述有机膜层的相对两端；所述多孔基底的表面为亲水性表面。本发明提供的固液蒸发膜层的能量采集装置结构巧妙，利用液体在向上移动和蒸发之间达成动态平衡并产生持续的直流电能，相较于传统的能量采集装置采集液体动能及波动能存在间歇性的缺陷，本发明可以使能量采集过程更加简单方便，可以有效满足电子设备的持续直流供电要求，有着更加广阔的适用范围。
蒸发摩擦能量采集装置制备方法

[发明专利]微针结构及其制备方法-CN202110105440.3在审
发明人：郑成;徐德辉;荆二荣 -专利权人：上海烨映微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微针结构及其制备方法，其中，微针结构包括硅衬底、实心针体及亲水性薄膜，通过在实心针体表面形成亲水性薄膜，可将硅材质的实心针体表面由疏水性转变成亲水性，实现微针结构的表面亲水化修饰，从而能够在挤压药液时，将药液有效的导入到渗透通道内，以大幅提高药液的导入效率。本发明制备工艺简单，成本低廉，适合大批量制造，在微纳加工、生物医学领域等具有应用前景。
结构及其制备方法

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