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[发明专利]发光器件和发光器件的制备方法-CN202210409824.9在审
发明人：张丽旸 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光器件和发光器件的制备方法，解决了现有发光器件尺寸大、成本高、寿命短、可靠性差的问题。本申请的发光器件能够通过外延生长工序形成。另外，本申请的发光器件包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，通过控制凸起的顶壁、凸起的侧壁和凸起之间的凹陷区域对应的发光层组分不同来实现第一区域、第二区域与第三区域的发光波长不同，从而实现发光器件能够发出不同波长的光，不需要利用荧光粉或量子点做波长转换，延长了发光器件的寿命、提高了发光器件的可靠性。
发光器件制备方法

[发明专利]半导体发光器件及其制备方法-CN202180089877.0在审
发明人：程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件，具有红光子像素区、绿光子像素区以及蓝光子像素区，包括：衬底在衬底上外延生长的蓝光外延层、以及在蓝光外延层上的绿光子像素区和红光子像素区继续生长的绿光外延层和红光外延层，所述的绿光外延层和所述红光外延层间隔地分布在所述蓝光外延层上。半导体发光器件将相互独立的发光区结构，通过外延生长叠合在一个衬底上，蓝光外延层发射的蓝光，不仅从蓝光子像素区发出，而且投射到上层的红光外延层和绿光外延层，因此上层的红光外延层和绿光外延层不仅可以电致发光而且可以接受下层投射来的蓝光进行光致发光，大大增加了发光效率和亮度。
半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202180094221.8在审
发明人：程凯;刘凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种共振隧穿二极管及其制作方法，共振隧穿二极管包括：第一势垒层，第二势垒层以及位于第一势垒层与第二势垒层之间的势阱层，第一势垒层、第二势垒层以及势阱层的材料为Ⅲ族氮化物，势阱层的材料包含Ga元素；第一势垒层与势阱层之间设置有第一隔离层，和/或第二势垒层与势阱层之间设置有第二隔离层。利用第一隔离层与第二隔离层，阻挡势阱层中的Ga原子向第一势垒层与第二势垒层扩散，保证第一势垒层与第二势垒层的组分均一、防止有效厚度变薄，从而改善器件稳定性及峰谷电流比。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]感光单元及其GaN基图像传感器、显示装置-CN202180091815.3在审
发明人：程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种感光单元及其GaN基图像传感器、显示装置，感光单元包括：红光感光子单元、绿光感光子单元以及蓝光感光子单元；红光感光子单元的红光感光层、绿光感光子单元的绿光感光层以及蓝光感光子单元的蓝光感光层的材料都为含In的GaN基材料；红光感光层、绿光感光层以及蓝光感光层的材料中In的组分大小不同，以根据接收到的光的波长不同使对应的红光感光子单元、绿光感光子单元以及蓝光感光子单元产生或不产生感光电信号。在GaN基材料生长过程中，通过控制不同区域的In组分大小不同，即可同时制作红光、绿光以及蓝光感光子单元，提高了感光单元的集成度，也提高了包含该感光单元的GaN基图像传感器以及显示装置的集成度、有利于实现小型化。
感光单元及其 gan 图像传感器显示装置

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN201910143592.5有效
发明人：程凯;刘凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，在衬底层之上的缓冲层进行过渡金属和杂质共掺杂使半导体器件实现泄漏电流的降低、提升夹断特性、避免器件电流崩塌，此外通过控制缓冲层中过渡金属和杂质的浓度范围来保证器件在动态特性时漏电流的平衡。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202180094220.3在审
发明人：程凯;刘凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种共振隧穿二极管及其制作方法，共振隧穿二极管包括：第一势垒层，第二势垒层以及位于第一势垒层与第二势垒层之间的势阱层，第一势垒层的材料为AlxInyN1‑x‑y，1x0，1y0，和/或第二势垒层的材料为AlmInnN1‑m‑n，1m0，1n0；势阱层的材料包含Ga元素。采用含In的AlN材料作为第一势垒层和/或第二势垒层，对应降低第一势垒层、第二势垒层的生长温度，从而避免高温制程。避免高温制程可避免高温引起势阱层中的Ga原子向第一势垒层与第二势垒层扩散，保证第一势垒层与第二势垒层的组分均一、防止有效厚度变薄，从而改善器件稳定性及峰谷电流比。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201880096930.8有效
发明人：程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的制造工艺复杂以及稳定性和可靠性差的问题。其中的半导体结构包括：依次叠加的沟道层(23)以及势垒层(24)，其中，所述势垒层(24)的上方定义有栅极区域；以及形成于所述栅极区域的p型半导体材料(3)，其中所述p型半导体材料(3)包括至少一种成分变化元素，所述成分变化元素的成分在外延方向上变化。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]LED结构及LED结构的制备方法-CN202210278784.9在审
发明人：程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种LED结构及LED结构的制备方法。LED结构包括：LED发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；第一应力层，围绕所述LED发光单元，且覆盖所述第一半导体层的侧壁、所述发光层的侧壁以及所述第二半导体层的侧壁。本公开中第一应力层对LED发光单元侧壁施加应力，调节LED结构波长，改善LED结构波长均匀性，另外，由于LED结构的侧壁收到挤压，有效提高了LED结构的发光效率。
led 结构制备方法

[发明专利]LED结构及LED结构的制备方法-CN202210281749.2在审
发明人：程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种LED结构及LED结构的制备方法。该LED结构包括：LED发光单元，包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层；应力调整结构，围绕所述LED发光单元，且对LED发光单元侧壁施加应力，应力调整结构的材料的晶格常数大于LED发光单元中的材料的晶格常数，调节LED结构波长，改善LED结构波长均匀性，另外，由于LED结构的侧壁收到挤压，有效提高了LED结构的发光效率。
led 结构制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法-CN201910797254.3有效
发明人：王亮;程凯;于洪宇 -专利权人：南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
一种薄膜声波谐振器结构及其制备方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201910796365.2有效
发明人：王亮;程凯;于洪宇 -专利权人：南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
一种薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]晶片承载盘与晶片外延装置-CN201980098309.X有效
发明人：刘凯;程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片承载盘与晶片外延装置，涉及化学沉积装置技术领域，该晶片承载盘包括盘体和设置于盘体上的凹槽；盘体上，在凹槽的气体入口位置设有导流槽，导流槽位于凹槽与盘体侧壁之间并与凹槽贯通。该晶片承载盘缓解了晶片边缘处外延层沉积不均匀的技术问题，有效提高晶片边缘外延沉积质量。
晶片承载外延装置

[发明专利]晶片承载盘与晶片外延设备-CN201980098322.5有效
发明人：刘凯;程凯 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶片承载盘与晶片外延设备，涉及化学沉积装置技术领域，该晶片承载盘包括盘体和凹槽；在凹槽的槽口边沿处设有导流面；其中导流面相对于晶片倾斜设置，且自凹槽的槽口向槽底方向延伸。该晶片承载盘缓解了晶片边缘处外延层沉积质量差的技术问题，达到了提高晶片边缘外延沉积质量的目的。
晶片承载外延设备

[发明专利]衬底及其制作方法-CN202080106938.5在审
发明人：程凯;向鹏 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种衬底及其制作方法，衬底包括：硅衬底(10)以及保护层(11)，其中，硅衬底(10)包括中间部分(101)与边缘部分(102)，中间部分(101)的厚度大于边缘部分(102)的厚度；中间部分(101)具有待生长面(10a)，待生长面(10a)与边缘部分(102)的表面的晶向不同；保护层(11)覆盖于边缘部分(102)，用于防止高温制程中边缘部分(102)的缺陷向中间部分(101)延伸。一方面，保护层(11)可防止III‑Ⅴ族化合物材料外延生长的金属源和硅衬底(10)的边缘部分(102)发生反应，使得硅衬底边缘部分(102)的III‑Ⅴ族化合物材料缺陷减少；另一方面，保护层(11)可防止高温制程中硅衬底边缘部分(102)的缺陷向硅衬底中间部分(101)延伸，从而不会引发边缘区域的III‑Ⅴ族化合物材料的缺陷向中间区域的III‑Ⅴ族化合物材料延伸，实现减少III‑Ⅴ族化合物材料的缺陷，尤其是边缘区域的缺陷的目的。
衬底及其制作方法

[外观设计]石墨件盖件-CN202330104413.4有效
发明人：刘超;向鹏 -专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：石墨件盖件。2.本外观设计产品的用途：密封加工晶圆的反应腔室，并能吸附杂质，改善晶圆良率。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计1左视图与设计1主视图相同，省略设计1左视图;设计1右视图与设计1主视图相同，省略设计1右视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计2左视图与设计2主视图相同，省略设计2左视图;设计2右视图与设计2主视图相同，省略设计2右视图。6.指定设计1为基本设计。
石墨件盖件

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