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[发明专利]用于集成III-氮化物器件的模块配置-CN202180042514.1在审
发明人：大卫·迈克尔·罗兹;吴毅锋;芮成海;普里米特·帕里克 -专利权人：创世舫科技有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种用于半桥电路的电子模块包括具有在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层的基底衬底。穿过第一金属层形成的沟槽将第一金属层的第一部分、第二部分和第三部分彼此电隔离。高侧开关包括增强型晶体管和耗尽型晶体管。耗尽型晶体管包括导电衬底上的III‑N材料结构。耗尽型晶体管的漏电极连接到第一部分，增强型晶体管的源电极连接到第二部分，增强型晶体管的漏电极连接到耗尽型晶体管的源电极，耗尽型晶体管的栅电极连接到导电衬底，并且导电衬底连接到第二部分。
用于集成 iii 氮化物器件模块配置

[发明专利]半导体模块及其形成方法-CN201280068875.4有效
发明人：吴毅锋;芮成海 -专利权人：创世舫电子有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：描述了电子模块以及形成和操作该模块的方法。模块包括电容器、第一开关器件和第二开关器件。电子模块进一步包括诸如DBC基板的基板，其包括在第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，并且可以包括彼此堆叠的多层DBC基板。第一金属层包括通过贯穿在两个部分之间的第一金属层形成的沟槽而彼此隔开的第一部分和第二部分。第一和第二开关器件在第一金属层上方，并且电容器的第一端子电连接到第一金属层的第一部分，并且电容器的第二端子电连接到第一金属层的第二部分，并且电容器在沟槽上延伸。
半导体模块及其形成方法