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[发明专利]用于在图案化结构形成期间减轻底层损伤的方法和系统-CN202210350945.0在审
发明人： 芝英一郎;高山智美;C.C.徐 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：公开了形成适用于多重图案化过程的结构的方法。示例性方法包括通过以下来形成覆盖衬底的材料：在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，在反应物脉冲周期内向反应室提供氮反应物和氧反应物中的一种或多种，在惰性气体脉冲周期内向反应室提供惰性气体，以及在等离子体脉冲周期内提供等离子体功率以在反应室内形成等离子体。可以在等离子体周期期间提供惰性气体和/或可以脉冲等离子体功率以减轻对底层的任何损伤，同时提供材料层的期望特性。
用于图案结构形成期间减轻底层损伤方法系统

[发明专利]用于形成包括氮化硅的图案化结构的方法和系统-CN202210354424.2在审
发明人： 芝英一郎 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：公开了形成适用于多重图案化过程的图案化结构的方法。示例性方法包括通过在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，向反应室提供氮反应物，向反应室提供氢反应物，以及在等离子体脉冲周期内提供等离子体功率以在反应室内形成等离子体，从而形成覆盖衬底的氮化硅层。可以通过控制提供给反应室的氢气量和/或使用其他过程参数来控制衬底上牺牲特征的蚀刻轮廓。
用于形成包括氮化图案结构方法系统

[发明专利]在阶梯结构上沉积材料的方法-CN202111180869.5在审
发明人：小岛健太郎;桑野健;芝英一郎 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：公开了一种用于沉积材料的方法。一种示例性方法包括：将设置有包括顶表面、底表面和侧壁的阶梯结构的衬底定位在反应室中；将反应室的压力控制至过程压力；提供前体；提供反应物；以及向等离子体提供RF等离子体功率，其中，通过同时地提供前体、反应物和等离子体，同时将过程压力控制至小于或等于200Pa，并将RF等离子体功率控制至大于或等于0.21W/cm2，将材料沉积在阶梯结构的顶表面、底表面和侧壁上。
阶梯结构沉积材料方法

[发明专利]用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法-CN202110230866.1在审
发明人： 芝英一郎;太田吉则;R.H.J.弗韦特;小林伸好;小林明子 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种用于在具有侧面和侧向面的台阶中制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法，其包括工艺：(a)在第一沉积条件下在基板的预选定区域上沉积介电层，其中所述介电层具有其在第一干法蚀刻条件下对氟和/或氯自由基的耐受性被调节的部分；和(b)在第一干法蚀刻条件下将工艺(a)中获得的介电层暴露于氟和/或氯自由基，从而去除介电层的部分的至少一部分，从而在基板上形成具有目标拓扑轮廓的层结构。
用于制造具有目标拓扑轮廓结构方法

[发明专利]用于稳定反应室压力的系统和方法-CN202110040269.2在审
发明人： 芝英一郎 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种反应器系统，可以包括：第一气体源；第二气体源；以及反应室，该反应室流体联接到第一气体源和第二气体源，其中第一气体和第二气体可以分别从第一气体源和第二气体源供应到反应室，以实现反应室压力的稳定性。所述反应器系统还可以包括：排气管线，该排气管线流体联接至反应室并位于反应室下游；通风管线，该通风管线流体联接到第一和/或第二气体源，并且流体联接到排气管线，其中通风管线旁路反应室；联接到通风管线的压力监测器，该压力监测器配置成监测通风管线内的通风管线压力；和/或通风管线传导控制阀，该通风管线传导控制阀联接到通风管线并配置成响应于来自压力监测器的反馈而进行调节。
用于稳定反应压力系统方法

[发明专利]用于在沟槽的侧壁或平坦表面上选择性地形成氮化硅膜的方法-CN201810447158.1在审
发明人：石川大;深泽笃毅;芝英一郎;上田真也;胡谷大志;S·全;Y·刘;Y·闵;S·金;J·崔 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在沟槽中制造层结构的方法包括：同时在所述沟槽的上表面、以及底部表面和侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中形成于所述上表面和所述底部表面上的所述膜的顶部/底部部分以及形成于所述侧壁上的所述膜的侧壁部分借助通过在两个电极之间施加电压被激发的等离子体的轰击而被赋予不同的耐化学品特性，衬底平行于所述两个电极放置在所述电极之间；以及通过湿法蚀刻基本上去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的任一个，但不是两者，所述湿法蚀刻根据所述不同的耐化学品特性相比于另一个更主要地去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的一个。
侧壁电极底部表面耐化学品湿法蚀刻上表面去除等离子体氮化硅膜平坦表面施加电压介电膜制造层衬底轰击平行激发赋予

[发明专利]通过PEALD形成氮化铝基膜的方法-CN201610715876.3在审
发明人： 芝英一郎 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于通过等离子体增强的原子层沉积(PEALD)在基材上形成氮化铝基膜的方法，所述方法包括：(a)形成至少一层氮化铝(AlN)单层和(b)形成至少一层氧化铝(AlO)单层，其中步骤(a)和(b)连续交替进行以形成层叠体。步骤(a)和(b)在层叠体的总厚度超过10nm，优选5nm前停止。
通过 peald 形成氮化铝基膜方法