|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 8个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]垂直HEMT和生产垂直HEMT的方法-CN202180038445.7在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2021-05-27
-
2023-02-03
-
H01L29/778
- 提供了一种垂直高电子迁移率晶体管HEMT(100)，该垂直HEMT包括：漏极接触件(410)，纳米线层(500)，该纳米线层布置在该漏极接触件(410)上并且包括至少一根垂直纳米线(510)以及支撑材料(520)，该支撑材料横向包围该至少一根垂直纳米线(510)，异质结构(600)，该异质结构布置在该纳米线层上并且包括一起形成异质结的AlGaN层(610)和GaN层(620)，与该异质结构(600)接触的至少一个源极接触件(420a，420b)，以及与该异质结构(600)接触的栅极接触件(430)，该栅极接触件布置在该至少一根垂直纳米线(510)上方，其中，该至少一根垂直纳米线(510)在该漏极接触件与该异质结构之间形成电子传输通道。还提供了一种用于生产垂直HEMT(100)的方法。
- 垂直hemt生产方法
- [发明专利]感应电机-CN202180031475.5在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2021-05-05
-
2022-12-23
-
H02P1/26
- 提供了一种感应电机(100)，包括：转子(120)；定子(140)；以及相移振荡器(160)。该定子包括：第一绕组(141)；以及第二绕组(142)，该第二绕组相对于所述第一绕组以第一角度(101)布置。该相移振荡器包括：晶体管(170)，该晶体管(170)为高电子迁移率晶体管HEMT；以及相移网络(180)。该第一绕组连接到该相移网络的第一节点(181)，并且其中，该第二绕组连接到该相移网络的第二节点(182)，其中，该相移振荡器被配置为在该第一节点处提供第一相位电信号以及在该第二节点处提供第二相位电信号，其中，该第一相位与该第二相位之间的差对应于该第一角度。还提供了一种其包括该感应电机的电动飞行器推进系统。
- 感应电机
- [发明专利]现场可编程门阵列器件-CN202180018902.6在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2021-03-10
-
2022-11-11
-
H03K19/17724
- 提供了一种现场可编程门阵列FPGA器件(100)，该FPGA器件包括可配置逻辑块CLB(110)，该CLB包括逻辑反相器(120)，该逻辑反相器包括高电子迁移率晶体管HEMT(130)，其中，该HEMT包括：Si衬底(384)；AlyGay‑1N层结构(380)，其中，0y≤1；GaN层结构(382)；以及晶体过渡层结构(386)，该晶体过渡层结构布置在该Si衬底上。该晶体过渡层包括：多个垂直布置在Si衬底上的竖直纳米线结构(388)以及AlxGax‑1N层结构(389)，其中，0≤x1，其中，该AlxGax‑1N层结构被布置为竖直和侧向包围竖直纳米线结构。还提供了一种包括所述FPGA器件(100)的AI处理系统。
- 现场可编程门阵列器件
- [发明专利]固态电池层结构及其生产方法-CN202180010054.4在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2021-01-22
-
2022-09-16
-
H01M4/04
- 提供了一种固态电池层结构(100)，包括：阳极集电体金属层(110)；布置在该阳极集电体金属层上的阳极层(120)；横向地布置在该阳极层上的固体电解质层(140)；布置在该固体电解质层上的阴极层(150)；以及阴极集电体金属层(160)，以及包括硅和/或氮化镓的多个纳米线结构(130)，其中，所述纳米线结构(130)布置在该阳极层(120)上，并且其中，所述纳米线结构(130)被该固体电解质层(140)横向地和竖直地包围，其中，该阳极层包括硅和将该多个纳米线结构与该阳极集电体金属层(110)连接的多个金属过孔(224)。还提供了用于生产固态电池层结构的方法。
- 固态电池结构及其生产方法
- [发明专利]单片微波集成电路前端模块-CN202180013397.6在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2021-02-11
-
2022-09-13
-
H01L21/8258
- 提供了一种单片微波集成电路MMIC前端模块(100)，该MMIC前端模块包括：由硅衬底(120)支撑的氮化镓结构(110)；具有发射模式和接收模式的硅基发射/接收开关(130)；发射放大器(112)，该发射放大器被配置为对要由所述MMIC前端模块发射的传出信号进行放大，其中，所述发射放大器电连接(132)到所述发射/接收开关，其中，所述发射放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓高电子迁移率晶体管HEMT(114)；以及接收放大器(113)，该接收放大器被配置为对由所述MMIC前端模块接收的传入信号进行放大，其中，所述接收放大器电连接(133)到所述发射/接收开关，其中，所述接收放大器包括形成在所述氮化镓结构中的氮化镓HEMT(115)。
- 单片微波集成电路前端模块
- [发明专利]半导体层结构-CN202080083021.8在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2020-12-08
-
2022-07-22
-
H01L29/778
- 提供了一种半导体层结构(100)，该半导体层结构包括：Si衬底(102)，该Si衬底具有上表面(104)；第一半导体层(110)，该第一半导体层布置在所述衬底上，该第一半导体层包括垂直于所述衬底的所述上表面布置的多个竖直纳米线结构(112)，该第一半导体层包括AlN；第二半导体层(120)，该第二半导体层布置在所述第一半导体层上、横向和竖直地包围所述纳米线结构，该第二半导体层包括AlxGa1‑xN，其中，0≤x≤0.95；第三半导体层(130)，该第三半导体层布置在所述第二半导体层上，该第三半导体层包括AlyGa1‑yN，其中，0≤y≤0.95；以及第四半导体层(140)，该第四半导体层布置在所述第三半导体层上，该第四半导体层包括GaN。还提供了一种高电子迁移率晶体管器件以及生产这样的结构和器件的方法。
- 半导体结构
- [发明专利]AC-DC转换器电路-CN202080076996.8在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2020-10-22
-
2022-06-24
-
H02M3/158
- 提供了一种用于电池的高功率充电的AC‑DC转换器电路(100)。该电路包括输入整流器，该输入整流器包括第一节点和第二节点。该输入整流器(110)被配置为在该第一节点(112)处接收AC电压并且在该第二节点(114)处提供整流电压。该电路进一步包括第一晶体管(120)，该第一晶体管包括第一栅极节点(122)、第一源极节点(124)和第一漏极节点(126)。该第一漏极节点连接到该输入整流器的第二节点。该第一栅极节点连接到接地节点(170)。该电路进一步包括第二晶体管(130)，该第二晶体管包括第二栅极节点(132)、第二源极节点(134)和第二漏极节点(136)。该第二漏极节点连接到该第一源极节点。该第二晶体管在材料上对应于该第一晶体管。该电路进一步包括占空比控制单元(140)，该占空比控制单元连接到该第二栅极节点以为该第二晶体管提供开关波形。该电路进一步包括输出整流器(150)，该输出整流器连接到该第二源极节点或该第一源极节点。该电路进一步包括输出电子滤波器(160)，该输出电子滤波器连接到该第二源极节点或该输出整流器的输出节点(151)。还提供了一种AC‑DC转换器设备、一种用于为电池充电的方法以及一种再生制动系统。
- acdc转换器电路
- [发明专利]增强型薄膜器件-CN201980027308.6在审
-
马丁·安德烈亚斯·奥尔松
-
艾普诺瓦泰克公司
-
2019-04-23
-
2020-12-01
-
H01L21/20
- 一种增强型薄膜器件(100，200，500)，包括：衬底(101)，该衬底具有用于支撑外延层的顶表面；掩模层(103)，该掩模层被图形化有多个纳米级空腔(102，102’)，这些纳米级空腔设置在所述衬底(101)上，以形成针垫；设置在所述掩模层(103)上的晶格失配半导体的薄膜(105)，其中，所述薄膜(105)包括所述晶格失配半导体的嵌入所述薄膜(105)中的多个平行间隔的半导体针(104，204)，其中，所述多个半导体针(104，204)沿轴向方向朝所述衬底(101)基本上竖直地设置在所述掩模层(103)的所述多个纳米级空腔(102，102’)中，并且其中，所述薄膜上设置有其支撑的晶格失配半导体外延层(106)。
- 增强薄膜器件
|
