专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有凸块结构的芯片-CN200510126191.7无效
  • 何明龙;胡钧屏;蔡建文 - 义隆电子股份有限公司
  • 2005-11-30 - 2007-06-13 - H01L23/482
  • 本发明公开了一种具有凸块结构的芯片,包括芯片、数个焊垫以及数个凸块。该芯片为集成电路技术构成的微电路。该些焊垫分别为该芯片上的金属化部分,用以作为电气连接。该些凸块为该芯片的焊垫上所形成的金属突起物,用以提供作芯片的焊垫与它端组件端点区进行电气连接的接口,其中该些凸块沿着一横向排列方向排列,且各个凸块分别包括第一区块以及第二区块,该第一区块与第二区块在纵向方向上相互电气连接,该第一区块与该芯片的焊垫电气接触,该第二区块沿着横向排列方向的尺寸大于第一区块,且该第二区块用以提供作芯片与它端组件端点区进行电气连接,该些相邻凸块中的第一区块与第二区块形成相错排列的状态。
  • 具有结构芯片
  • [实用新型]具有凸块结构的芯片-CN200520130039.1无效
  • 何明龙;胡钧屏;蔡建文 - 义隆电子股份有限公司
  • 2005-10-31 - 2007-02-21 - H01L23/485
  • 本实用新型公开了一种具有凸块结构的芯片,包括芯片、数个焊垫以及数个凸块。该芯片为集成电路技术构成的微电路。该些焊垫分别为该芯片上的金属化部份,用以作为电气连接。该些凸块为该芯片的焊垫上所形成的金属突起物,用以提供作芯片的焊垫与它端组件端点区进行电气连接的接口,其中该些凸块沿着一横向排列方向排列,且各个凸块分别包括第一区块以及第二区块,该第一区块与第二区块在纵向方向上相互电气连接,该第一区块与该芯片的焊垫电气接触,该第二区块沿着横向排列方向的尺寸大于第一区块,且该第二区块用以提供作芯片与它端组件端点区进行电气连接,该些相邻凸块中的第一区块与第二区块形成相错排列的状态。
  • 具有结构芯片
  • [发明专利]凸块制作工艺及结构-CN200510069102.X无效
  • 胡钧屏;陈正中;蔡建文;李育青 - 义隆电子股份有限公司
  • 2005-05-10 - 2006-11-15 - H01L21/28
  • 一种凸块制作工艺及结构,包括形成一具有一平坦化表面的护层覆盖在一基板的一接合垫上,形成一开口穿过该护层暴露该接合垫的一接触面,以及形成一凸块在该接触面及该平坦化表面上。由于该护层具有该平坦化表面的缘故,该接合垫可以缩小,该护层在该接合垫边缘区域的机械强度增加,在压合时,该凸块具有较大的有效区域,异方性导电膜的选择空间较大,凸块间隙内的短路及漏电机率降低,该凸块的压合良率及导电品质提高。
  • 制作工艺结构
  • [发明专利]深次微米MOS装置及其制造方法-CN02107868.8有效
  • 胡钧屏 - 华邦电子股份有限公司
  • 2002-03-25 - 2003-10-08 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种深次微米MOS装置及其制造方法,其制作方法是包括有形成在硅基底与第一介电层中多个主动区,随后又在所述硅基底全面性地沉积第二及第三介电层。所述第三介电层是可异向性及选择性地进行蚀刻形成多个侧壁,这些侧壁是为光罩以供在第二介电层的基部形成多个穿孔,所述穿孔再由一填充介电层填满,而后再回蚀刻形成数个介电纵行,之后在移除所述第一及第二介电层后,这些介电纵行即为光罩,以形成多个导电栅极。前述制作方法使制成的栅极较一般使用制作技术制造更具较佳精密尺寸。
  • 微米mos装置及其制造方法
  • [发明专利]增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法-CN01110317.5有效
  • 胡钧屏 - 华邦电子股份有限公司
  • 2001-04-03 - 2002-11-13 - H01L27/115
  • 一种通过增加电容面积以增加控制栅对浮栅的偶合比的存储装置以及制造的方法,是由增加控制栅与浮栅的重叠区来达到的。一种增加偶合比的非挥发性存储装置包括一具有复数隔离区的一基底,一第一导电层形成在基底与隔离区上,第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在每一个隔离区上,此垂直的侧壁是通过一已蚀刻出具有垂直边的介电层罩幕而形成。一第二导电层形成在第一导电层上,第二导电层以界面隔离第一导电层以增加表面积,进而增加偶合比,一内导电介电层形成在第一与第二导电层中间,内导电介电层最好包括第一层与第二层的二氧化硅层,以及位于中间的一层氮化硅层。
  • 增加偶合挥发性存储装置及其制造方法

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