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[实用新型]一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构-CN202020514691.8有效
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/056 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构。它包括电池片，其特征在于：所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜。现有生产工艺得到的硅片背膜结构一般只有氧化铝层和氮化硅层，相比现有产品，本实用新型的背面结构新增了氧化硅膜和氮氧化硅膜，由氧化铝膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜组成的复合膜层结构是很好的背反射器。高折射率的氮氧化硅膜可以很好的增加电池背面对长波段太阳光的反射，使长波光再次进入硅片体内，增加长波光的吸收，从而提升电池开压和电流最终实现转换效率的提升。
一种提升单面 perc 电池转换效率膜结构

[实用新型]一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构-CN202020516784.4有效
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构。它包括电池片，所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折射率氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括下层氮化硅膜、中层氮化硅膜、上层氮化硅膜，其中，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚；各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。本实用新型通过改进正面膜层结构以及优化镀膜工艺，优化太阳光的陷光效果，使所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑背板组件的难题。
一种用于制备组件太阳能电池膜结构

[实用新型]一种提升P型双面电池双面率的背膜结构-CN201922368456.4有效
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过本实用新型改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC电池的背面转换效率，P型双面SE PERC电池的双面率由72.9%提至74.14%，显著提高了产品的质量。
一种提升双面电池膜结构

[发明专利]一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法-CN202010273771.3在审
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法。它包括电池片前处理、正面制备高折氮氧化硅膜、正面制备三层氮化硅膜、正面制备低折氮氧化硅膜和正面制备氧化硅膜。通过本发明制备的电池片正面形成有包含高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜的复合膜层结构，每层介质膜的膜厚和折射率进行匹配性设计，很好的增加太阳光的吸收，达到理想的陷光效果，而且底层的氮氧化硅膜折射率较大，具有优异的钝化作用，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。
一种用于制备组件太阳能电池方法

[发明专利]一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法-CN202010274186.5在审
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法。它包括制备氧化铝膜、背面制备氧化硅膜、背面制备氮氧化硅膜、背面制备双层氮化硅膜。现有生产工艺得到的硅片背膜结构一般只有氧化铝层和氮化硅层，本发明提供的方法使背膜增加了高致密性氮氧化硅膜和氧化硅膜层。高折射率的氮氧化硅膜可以很好的增加电池背面对长波段太阳光的反射，使长波光再次进入硅片体内，增加长波光的吸收，从而提升电池开压和电流最终实现转换效率的提升，同时背面增加的高折射率氮氧化硅膜和氧化硅膜可以很好的阻挡水汽、金属离子进入电池片内部造成的效率衰减，提高产品的品质。
一种提升单面 perc 电池转换效率制备方法

[发明专利]一种石墨舟饱和的工艺方法-CN201911372652.7在审
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨舟饱和的工艺方法，包括如下步骤：1）将石墨舟送进炉管；2）抽真空，通入氮气15slm，温度升至420℃；3）抽真空，通入氮气15slm，时间300秒，再抽真空，重复三次后恢复真空；4）通入氨气5slm，温度控制在450 460℃，预沉积300秒；5）抽真空，通入硅烷和甲烷，持续放电5000‑11000秒；6）抽真空，通入硅烷和氨气，持续放电200秒；7）停止通气，抽真空，至压力达到30mTorr时，通入氮气15slm，再抽真空，重复两次后恢复；8）卸舟。采用本发明的方法，石墨舟镀碳化硅和氮化硅的叠加层，石墨舟舟片更加致密平整具有优良的导热性能和电场的均匀性，使得工艺过程中的电池片膜色更加均匀一致，对电池片返工率和良率提升有明显增益。
一种石墨饱和工艺方法

[发明专利]一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法-CN201911359230.6在审
发明人： 胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过本发明改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC电池的背面转换效率，P型双面SE PERC电池的双面率由72.9%提至74.14%，显著提高了产品的质量。
一种提升双面电池及其制备方法

[发明专利]一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法-CN201710585624.8有效
发明人： 胡茂界;夏利鹏;秦崇德;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，包括步骤；1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层；2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；3)用HF‑HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，制备纳米级的绒面；5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。抛光片经过该加工方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终抛光片的转换效率基本达到正常电池片的水平，而且电池片的外观和正常电池片无异，达到了抛光片返工的目的。经过本发明的加工方法，电池抛光片由原来的报废处理，现可以作为返工片使用，合格率达到95％。
一种太阳能电池抛光加工方法

[发明专利]一种改善PERC电池背面界面态的方法及其电池-CN201711206890.1有效
发明人：葛建波;林政德;胡茂界 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种改善PERC电池背面界面态的方法及其电池，涉及太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：1)对硅片进行前期的制绒、扩散、刻蚀和退火工艺；2)在硅片背面使用管式PEVCD的等离子体清洗杂质，并依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层。本发明通过在PERC电池的背面Si层上依次沉积Al₂O₃层和SiN_x层，既可以降低电池片背面界面态，提高钝化效果，又可以改善背面制程过程中吸附杂质导致的EL问题，提高电池片的EL良率，从而制备出高效高良率PERC电池。
界面态电池电池背面良率沉积背面太阳能电池技术等离子体清洗电池片背面钝化效果硅片背面退火工艺电池片硅片管式刻蚀吸附制程制绒制备扩散

[实用新型]一种太阳能电池制程外观检验用照明装置-CN201721758929.6有效
发明人： 胡茂界;雷耀凡;方结彬;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种太阳能电池制程外观检验用照明装置，属于太阳能电池技术领域，包括电池制程设备，电池制程设备上安装有磁铁二，还包括可安装在电池制程设备上的底座、与底座相连的连接杆、安装在连接杆端部的灯头、及与灯头相接的电源线；底座中内嵌有与磁铁二配合的磁铁一，连接杆采用软铝制成，灯头包括灯头罩、灯泡、导光板和玻璃板，电源线的一端外接电源，另一端穿过灯头罩与灯泡电连接。该照明装置采用可自由弯曲的连接杆，并依靠磁铁一与磁铁二配合连接，可在电池片工艺各个工序随意安装，其角度易于调节，照射面积大，使得电池片外观检验工作更容易实现，更高效；同时，通过调节人眼睛视线与照明装置照射方向相同，更能保护使用者视力。
磁铁照明装置制程设备灯头连接杆底座太阳能电池外观检验电池灯头罩电源线制程灯泡玻璃板太阳能电池技术本实用新型电池片外观连接杆端部使用者视力配合连接外接电源眼睛视线照射方向自由弯曲导光板电池片电连接可安装内嵌软铝照射穿过检验配合

[实用新型]一种适用于RIE刻蚀的载板装置-CN201721181829.1有效
发明人： 胡茂界;夏利鹏;秦崇德;方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种适用于RIE刻蚀的载板装置，属于太阳能电池技术领域，包括用于传输硅片的铝载体，还包括设置在铝载体内的若干用于放置硅片的硅片位、用于分隔硅片位的定位点、及设置在铝载体四周边缘上的若干陪片位；所述铝载体呈方形，所述硅片位具有四十个，硅片位均匀分布在所述铝载体上，通过所述定位点相互隔开；所述陪片位具有二十八个，陪片位通过定位点与所述硅片位隔开。本实用新型可实现陪片牢固的固定在载板上，不会在生产过程中发生陪片缺失，避免影响RIE刻蚀效果，有效保证工艺的稳定性，使硅片表面形成一层均匀纳米级凹坑。
一种适用于 rie 刻蚀装置

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