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[发明专利]一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法-CN202310198085.8在审
发明人：解意洋;解佳洋;邓军;徐晨;胡良臣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法，包括：获取衬底，并利用第一生长技术在衬底表面生长牺牲层和微米级薄层；对微米级薄层进行外延，得到微米级薄层的外延结构；利用第二生长技术在外延结构的表面成长应力层，得到应力层‑微米级薄层‑牺牲层‑衬底的结构；腐蚀牺牲层，得到应力层‑微米级薄层‑衬底的结构；利用应力层产生的应力将微米级薄层与衬底分离，得到应力层‑微米级薄层结构和衬底；去除应力层，得到微米级薄层和衬底；对微米级薄层进行处理，得到超薄超构表面。本发明解决了现有技术中集成式超构表面有着灵活性差、加工成本高、加工后不可分离、不可重复利用的问题。
一种转移复用性超薄光学表面制备方法

[发明专利]基于卷积循环神经网络的脑网络特征提取方法及系统-CN202310114619.4在审
发明人：接标;张星宇;王健晖;王正东;杨杨;胡良臣;卞维新;李汪根;罗永龙 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明提供一种基于卷积循环神经网络的脑网络特征提取方法及系统，其中方法包括采用滑动窗口将每个脑区的整个时间序列划分为多个时间窗口；计算每个时间窗口内成对脑区时间序列的Pearson相关系数，以作为成对脑区在目标时间窗口内的连通性强度；构建动态功能连接网络；沿一个时间维度和两个空间维度进行三层卷积操作，得到高层次网络特征；将高层次网络特征转换为一个有序序列，根据循环神经网络利用序列间的相互作用，得到各脑区的时序变化特征；再根据两个全连接层及一个softmax进行脑疾病分类。本发明利用动态FCN的时间信息和使用不同尺度卷积核可获得的脑网络多样性特征表示，提高脑疾病的诊断性能。
基于卷积循环神经网络网络特征提取方法系统

[发明专利]一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法-CN202211691923.7在审
发明人：解意洋;姜文慧;徐晨;胡良臣;常鹏鹰;包蕾 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆盖parylene提升传感芯片灵敏度及重复利用的方法，采用nacl溶液进行实验测试，通过生长parylene前后分别测试两次，通过比较两次数据可以得到生长parylene对传感芯片的影响，并且，在生长parylene后的VCSEL传感芯片上，通过测试去除parylene前后的数据对比可以得到parylene是否完全去除，同理，在生长parylene的传感芯片上测试其他生物试剂，也可以通过去除parylene达到重复利用。该方法操作简单，成本低，有很大的应用潜力。
一种覆盖 parylene 提升传感芯片灵敏度重复利用方法

[发明专利]应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器-CN202211690835.5在审
发明人：徐晨;胡良臣;解意洋;邓军;钱峰松 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、半导体材料、介质层、相变材料薄膜、石墨烯薄膜、上金属电极。采用相变材料催化生长石墨烯的方法避免了后续的光刻、腐蚀等工艺对石墨烯造成的沾污与破损。由于相变材料在低温下的绝缘性，不需要去除催化牺牲层且图形化精细度高，器件制备效率高，具有重要的应用价值，适合于未来石墨烯肖特基结探测器的大规模产业化制备。
应用相变材料直接生长石墨肖特基结探测器

[发明专利]一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法-CN202211086366.6在审
发明人：马啸尘;杨芳伟;徐晨;钱峰松;胡良臣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层，使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯，对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻，并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺，依次实现石墨烯膜层固定，石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除，通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备，有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。
一种原位大面积制备图形化石工艺方法

[发明专利]一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法-CN201911136443.2有效
发明人：徐晨;董毅博;解意洋;孙捷;胡良臣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
一种石墨辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列工艺方法

[发明专利]一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法-CN202210173104.7在审
发明人：徐晨;解意洋;钱峰松;邓军;胡良臣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在集成电路芯片上作为催化生长石墨烯的基材；通过光刻和腐蚀工序对铜箔进行图形化处理；将芯片置于三温区热CVD系统中生长石墨烯，石墨烯只生长在铜箔覆盖的区域从而达到在集成电路芯片上直接图形化生长石墨烯的目的。该方法为石墨烯基集成电路的开发提供了新的思路，有利于加快石墨烯的商业化应用进程。
一种集成电路芯片直接生长图形化石工艺方法

[发明专利]一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法-CN202210173105.1在审
发明人：徐晨;邓军;钱峰松;解意洋;胡良臣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
一种绝缘衬底低温生长质量石墨工艺方法

[发明专利]基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法-CN201910879303.8有效
发明人：解意洋;胡良臣;王秋华;庞伟;董毅博;徐晨 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维材料的多层金属纳米结构的制备方法，属于新型纳米结构加工领域。其制备过程主要分为三步：第一步:将超薄AAO模板转移到亲水处理后的衬底上。第二步:利用溅射的方法将金属均匀沉积到AAO模板孔洞中。第三步:用胶带粘掉衬底上的AAO模板并在上面转移一层h‑BN，在h‑BN上再次转移一层超薄AAO模板。第四步:将衬底放入溅射设备中再次沉积一层金属，并去除掉AAO模板，重复第三、四步工艺进行下一层纳米颗粒沉积。本发明工艺简单、成本较低；工艺重复性强，工艺参数好控制。可以大面积制备具有周期性的多层金属纳米结构阵列。
基于二维材料多层金属纳米结构制备方法

[发明专利]一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片-CN201910774171.2有效
发明人：徐晨;赵壮壮;解意洋;潘冠中;胡良臣;庞伟;杨满坡 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种基于VCSEL耦合阵列的光学相位差的液体检测芯片系统，属于半导体激光器技术、生化检测技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入或腔诱导反波导或光子晶体等技术，实现VCSEL耦合阵列的制备。通过PECVD、光刻、溅射、反应离子刻蚀、湿法腐蚀和键合等工艺在VCSEL耦合阵列表面集成微流控结构。在VCSEL耦合阵列上表面利用微流控技术，将待测液体通入VCSEL耦合阵列单元上方，引起VCSEL单元间光束耦合相位差改变，使得激光光束发生偏转，通过对激光光束偏转角度测量，可以计算出液体的折射率，实现液体折射率检测。
一种基于 vcsel 耦合阵列光学相位差液体检测芯片

[实用新型]一种水利工程用挡土墙-CN201820319763.6有效
发明人：李家宝;王明忠;胡良臣 -专利权人：江西诺宇建设工程有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： E02B3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水利工程用挡土墙，包括墙趾板，所述墙趾板中间设有排水沟槽，且墙趾板底部固定连接有桩基，所述墙趾板右侧固定连接有墙踵板，且墙踵板顶部固定连接有墙板主体，所述墙板主体左侧连接有迎水墙板，且迎水墙板右侧连接有防水板，所述墙板主体中间固定连接有锚筋，且锚筋中间连接有套筒，所述锚筋包括插杆和固定头，且插杆右端连接有固定头，所述墙板主体右侧底部连接有拉板，且墙板主体顶部连接有压顶。该水利工程用挡土墙采用迎水墙板的结构，能够极大地减小水浪对墙板主体的冲刷，且利用锚筋、套筒和桩基的结构，分别增加了墙板主体与右侧土地和底部土地之间连接的牢固度，从而使得该挡土墙更加安全稳定。
墙板主体挡土墙墙趾板锚筋墙板水利工程固定头墙踵板插杆套筒桩基本实用新型安全稳定底部连接排水沟槽中间连接防水板牢固度冲刷减小拉板水浪压顶土地

[发明专利]可转移键合PDMS基纳米结构制备方法-CN201810808254.4在审
发明人：解意洋;吴俊;胡良臣;徐晨;王秋华;赵壮壮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-07-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了可转移键合PDMS基纳米结构制备方法，首先在刚性基底上旋涂一种可被有机溶剂如丙酮等溶解的牺牲层；然后在所制作的牺牲层表面旋涂一层PDMS，固化后在PDMS上面通过干涉光刻的方法制作出周期性纳米图形；再将制作好的图形进行刻蚀，得到图形化了的PDMS。将刻蚀好的PDMS放入丙酮等有机溶剂中，将牺牲层溶解，最终得到具有纳米图形的可转移可键合的PDMS薄膜。本发明使用干涉光刻的方法制备周期性纳米图形，极大的提高了效率。相较于现有的几种制备柔性材料微纳结构的方法，干涉光刻具有速度快，成本低，面积大，易于调节周期及占空比的优点。大大降低了制作过程中薄膜释放的操作难度，提高了薄膜制作的成功率，社会效益及经济效益十分显著。
制备干涉光刻可转移牺牲层键合周期性纳米图形纳米结构有机溶剂丙酮刻蚀溶解制作薄膜制作纳米图形柔性材料微纳结构制作过程图形化占空比放入基底上旋旋涂薄膜固化成功率释放

[实用新型]一种具有高效处理的水利排污装置-CN201721026779.X有效
发明人：段作剑;李家宝;王明忠;胡良臣 -专利权人：李家宝;王明忠
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： E02F3/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高效处理的水利排污装置，包括箱体，所述箱体的一侧底部活动连接有旋转轮，并且旋转轮的表面传动连接有履带，所述履带的内壁两侧均传动连接有滑轮，滑轮的数量为四个，可以将履带撑起，更好的在污泥地里移动，所述箱体的底部固定连接有电机箱，并且电机箱的内壁底部固定连接有电机，本实用新型涉及水利排污技术领域。该具有高效处理的水利排污装置，通过箱体的底部两侧均贯穿有外壳，并且外壳的内部贯穿有搅拌棒，外壳的底部固定连接有支架，为工作人员的清淤工作提供了便利，使用十分方便与快捷，通过箱体的内壁之间固定连接有杂物挡板，并且吸污泵的底部固定连接有吸污斗，防止了杂物堵塞清淤管道。
高效处理排污装置履带本实用新型水利传动连接电机箱旋转轮滑轮内壁清淤底部活动内壁两侧排污技术杂物挡板杂物堵塞搅拌棒吸污泵贯穿撑起污泥吸污支架电机便利移动

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