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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低压降二极管及其制造方法-CN202311051317.3有效
发明人：张超;黎重林;庄翔;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供了一种低压降二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，在N+型掺杂类型的衬底上，光刻出注入孔内疏外密且内小外大的注入图形，并注入第二设定浓度的掺杂离子，进行去胶和清洗，在去胶和清洗结束后，外延生长N型漂移区，随后进行高温扩散，以使注入的掺杂离子在N型漂移区的底部四周形成N型补偿区，并在N型漂移区上形成主结和场限环，以制造出低压降二极管，使二极管的N型漂移区的底部四周存在越靠近边缘浓度越高的N型补偿区，从而使主结的耗尽层刚好截止在N型补偿区边界，不影响击穿电压，并提高N型漂移区四周及场限环下方的载流子浓度，以降低N型漂移区的电阻，进而极大地减小二极管的导通压降。
低压二极管及其制造方法

[实用新型]一种半导体器件-CN202223603192.4有效
发明人：王志杰;张超;胡潘婷;欧阳潇;丁海燕 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括第一掺杂类型衬底；位于衬底表面的二氧化硅层；位于二氧化硅层远离衬底的一侧的光刻胶层；其中，光刻胶层与二氧化硅层上设置有露出有衬底的沟槽；位于沟槽内的第二掺杂类型源。本申请提供的半导体器件具有成本更低、耗时更短的优点。
一种半导体器件

[实用新型]一种电泳工装夹具与电泳系统-CN202222023862.9有效
发明人：沈怡东;徐冠东;张超;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种电泳工装夹具与电泳系统，该电泳工装夹具包括承片台、主体以及至少一个电极板，承片台安装于主体，至少一个电极板与主体可拆卸连接，承片台用于连接第一极性的电源，电极板用于连接第二极性的电源，且第一极性与玻璃粉的带电极性相同，第二极性与玻璃粉的带电极性相反；承片台包括台体与固定件，台体与固定件连接；其中，台体用于承载晶圆，固定件用于与晶圆的侧边抵持。本申请提供的电泳工装夹具与电泳系统具有稳定性更强的优点。
一种电泳工装夹具系统

[实用新型]一种单向TVS器件及其封装结构-CN202121811791.8有效
发明人：朱明;张超;王志杰;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请提供了一种单向TVS器件及其封装结构，涉及TVS芯片技术领域。该单向TVS器件包括至少两个TVS芯片，至少两个TVS芯片依次串联，且至少两个TVS芯片中包括目标TVS芯片；其中，目标TVS芯片的电压大于阈值，且目标TVS芯片包括TVS结构与三极管，TVS结构与三极管并联。本申请提供的单向TVS器件及其封装结构具有提升了器件性能的优点。
一种单向 tvs 器件及其封装结构

[实用新型]一种半导体器件、封装结构及电子设备-CN202121813063.0有效
发明人：朱明;张超;王志杰;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件、封装结构及电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括单向TSS芯片与TVS芯片组，单向TSS芯片与TVS芯片组反向串联，TVS芯片组包括至少一个单向TVS芯片，且当单向TVS芯片的数量大于一个时，单向TVS芯片间串联；其中，至少一个单向TVS芯片中至少包括低残压芯片，低残压芯片的电压大于预设值且低残压芯片包括单向TVS结构与三极管，单向TVS结构与三极管并联。本申请提供的半导体器件、封装结构及电子设备具有结构简单、成本低且器件残压低的优点。
一种半导体器件封装结构电子设备

[发明专利]一种钝化层制作方法-CN202110565421.9在审
发明人：王志超;徐琦;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种钝化层制作方法，涉及半导体工艺技术领域。首先对半导体器件的表面刮涂玻璃糊，其中，半导体器件的表面包括沟槽表面与台面；然后对刮涂玻璃糊后的半导体器件进行低温烘片；再对低温烘片后的半导体器件进行高温烧结，以在半导体器件的表面形成钝化层；最后将位于半导体器件台面中间区域的钝化层去除，以保留位于沟槽表面与台面边缘的钝化层。本申请提供的钝化层制作方法具有有效的缩短了钝化层制作的时间的优点。
一种钝化制作方法

[实用新型]一种集成化单向低容GPP工艺的TVS器件-CN201922279901.X有效
发明人：王志超;胡潘婷;朱明 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成化单向低容GPP工艺的TVS器件，包括GPP二极管侧金属层、GPP二极管有源区、N‑硅衬底材料、N+外延层、TVS有源区、TVS侧金属层，GPP二极管有源区侧面设有延伸至N‑硅衬底材料顶部的GPP玻璃钝化保护层，TVS有源区设于N+外延层底部内，TVS侧金属层覆盖设于TVS有源区，边缘延伸出TVS有源区，与N+外延层之间设有TVS芯片表面钝化层，TVS芯片表面钝化层延伸出TVS侧金属层边缘外，覆盖于N+外延层底面，本实用新型生产工艺流程简单，且将GPP二极管与TVS集成在一颗芯片上，具有成本低、可靠性高的优势，也让客户端PCB板的尺寸有优化的空间。
一种集成化单向 gpp 工艺 tvs 器件

[实用新型]高效干法刻蚀托举装置-CN201920325940.6有效
发明人：王志超;薛治祥;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效干法刻蚀托举装置，其包括框架等，四个第一延伸架、四个支撑柱、四个第五延伸架都分别位于框架的内侧四周，第一延伸架、第五延伸架分别位于支撑柱的两侧，第一延伸架、第二延伸架、第三延伸架、第四延伸架、第五延伸架上都设有一个凸起，多个定位孔位于框架的四周上，第二延伸架、第三延伸架、第四延伸架分别位于支撑柱的三侧，横向气缸与第一伸缩杆的一端连接。本实用新型提高作业效率，结构简单，成本低。
延伸架支撑柱本实用新型干法刻蚀托举装置横向气缸一端连接作业效率定位孔伸缩杆凸起

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