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[发明专利]一种快速更换气瓶的正压空气呼吸器-CN202310010597.7在审
发明人： 胡海啸;陶然 -专利权人：南京简大安全科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A62B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种快速更换气瓶的正压空气呼吸器，涉及呼吸器领域。该快速更换气瓶的正压空气呼吸器，包括背板，其特征在于：所述背板的右侧搭接有气瓶，所述背板的右侧固定连接有托板，所述托板通过支撑槽与气瓶的表面搭接，所述气瓶的表面卡接有卡箍，所述气瓶的右侧固定连接有固定块。该快速更换气瓶的正压空气呼吸器，通过托板、支撑槽、竖杆、压板、固定块、卡槽、卡块、卡箍、插槽、组合槽、插销、卡杆、拉板、第二弹簧、收缩槽、插孔、凹槽和第一弹簧之间的相互组合，达到可以快速的进行气瓶更换，同时气瓶也更加牢固，解决了当前的正压空气呼吸器在气瓶氧气使用完毕后不易进行更换，从而容易因长时间更换工作造成人身安全隐患的问题。
一种快速换气正压空气呼吸器

[发明专利]一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法-CN202210931301.0有效
发明人： 胡海啸;张保国;邵永亮;吴拥中;郝霄鹏 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过设置温度梯度制备自支撑氮化镓体块单晶的方法，将籽晶固定在HVPE生长系统的衬底并置于高温生长区，籽晶与NH3出气口距离为5~20cm，控制籽晶与氨气出气口的温度梯度；升温至所需温度，通入氯化氢与Ga反应生成氯化镓，运输至高温生长区，与氨气反应外延生长GaN，温度梯度为‑2~2℃，反应1~2h后停止通氯化氢，调整温度梯度为‑3~3℃/cm，高温退火，继续通氯化氢，GaN继续外延生长1‑2 h，调整温度梯度为‑3‑3℃/cm，保温1~2h，再次通氯化氢，GaN外延生长2~48h，关闭氯化氢，系统降至室温。本发明通过多温区控温形成不同温度梯度生长的方法，改变高温生长区的温度梯度，改变了生长GaN单晶的表面形貌及晶体质量，节省时间和生产成本，获得了自支撑GaN体块单晶。
一种通过设置温度梯度制备支撑氮化镓体块单晶方法

[实用新型]一种丁二烯卸料安全自动连锁装置-CN202220007873.5有效
发明人： 胡海啸;于善飞;马岚;胡海鹏 -专利权人：山东省阳信汇昌化工有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B65G47/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及丁二烯技术领域，且公开了一种丁二烯卸料安全自动连锁装置，包括底座，所述底座右侧固定连接有传送机构，所述底座顶部固定连接有支撑板，所述支撑板内侧固定连接有升降机构，所述支撑板顶部固定连接有顶板，所述升降机构包括电机，所述电机固定连接于底座顶部，所述电机右侧转动连接有转动杆。该丁二烯卸料安全自动连锁装置，通过设置的升降机构，首先人工从运输车上将丁二烯储料罐搬到固定箱内部，随后缩回伸缩杆一关闭移动门，即可启动电机使其稳定下降，通过设置的传送机构，在其下降到最低处时可以拔出螺栓，伸出伸缩杆二再伸出伸缩杆三使其被拉到传送带顶部的传送座上，使其随传送带传送到所需要的位置。
一种丁二烯卸料安全自动连锁装置

[发明专利]一种氮化镓生长衬底的制作方法-CN202010201435.8有效
发明人：石恒业;邵永亮;张保国;胡海啸;李仕蛟 -专利权人：山东科恒晶体材料科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓生长衬底制作方法，属于晶体材料生长技术领域。所述生长衬底的制作方法是通过MOCVD在衬底晶体材料上先沉积一层硅，再通过蒸镀的方式在硅层上蒸镀一层金属镓，之后通入氧气气氛高温环境下使硅层和镓层氧化，之后使用氢氟酸对氧化层进行刻蚀形成氮化镓生长缓冲层，通过本发明设计的制作方法制作的氮化镓生长衬底材料的重复性好，其用于氮化镓生长具有位错密度低、生长晶体残余应力小的优点。
一种氮化生长衬底制作方法

[实用新型]一种噻吩气体报警器-CN202220137614.4有效
发明人：张贤振;马岚;胡海啸;于善飞 -专利权人：山东省阳信汇昌化工有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G08B21/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及噻吩气体设备技术领域，且公开了一种噻吩气体报警器，包括设备筒，设备筒顶部固定连接有保护机构，保护机构包括支撑板，支撑板固定连接于设备筒顶部，支撑板顶部两端固定连接有缓冲滑槽，缓冲滑槽中间滑动连接有缓冲滑块，缓冲滑块顶部固定连接有缓冲弹簧，缓冲弹簧顶部固定连接有保护罩，保护罩内壁两侧底部分别固定连接有限位滑槽，限位滑槽内部滑动连接有限位滑条。该噻吩气体报警器，通过设置的保护机构,当左右受到碰撞时，利用缓冲滑块在缓冲滑槽内运动进行缓冲，上下碰撞时，滑筒在导体棒内上下移动，利用缓冲弹簧进行保护，以便探头在探测到噻吩气体中，可以保护好设备。
一种噻吩气体报警器

[实用新型]一种可调式园林喷灌装置-CN202123408477.8有效
发明人：戴蓓蓓;胡海啸;李燕敏 -专利权人：戴蓓蓓
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： A01G25/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及园林喷灌技术领域，具体为一种可调式园林喷灌装置，包括卡接在底板上表面的水箱、通过螺栓连接在水箱上表面的支架和插接在连接板内壁可左右移动的竖柱，底板的上表面靠近水箱的一侧固定连接有用于限位的支柱，支架的内壁卡接有可转动的旋转柱，旋转柱的表面缠绕有用于输水的输水管。该可调式园林喷灌装置，通过水箱、竖柱、旋转柱、输水管、水泵和喷头的设置，施工人员为了方便对园林绿化进行喷灌，可以向水箱内部加水，有利于对水进行储存提高了施工人员对园林植物的灌溉效率，竖柱的位置可以进行左右移动，施工人员打开水泵，水泵将水箱内部的水传送到输水管内部从喷头处喷出，卡块可以调节喷头的角度。
一种调式园林喷灌装置

[实用新型]一种新型园林绿化养护智能装置-CN202123408559.2有效
发明人： 胡海啸;李燕敏;戴蓓蓓 -专利权人： 胡海啸
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及绿化养护装置技术领域，具体为一种新型园林绿化养护智能装置，包括通过转轴连接在半框一侧用于卡接树木的连接框和固定安装在底板上表面的水泵，所述连接框的一侧插接有可沿连接框内壁活动的弧形杆，所述弧形杆的一侧固定连接有复位的拉伸弹簧，所述半框与所述连接框的一侧均固定安装有可喷出杀虫石灰水的喷水板，所述喷水板的一侧连通设置有用于连接水泵的连接管。该新型园林绿化养护智能装置，通过水泵、喷水板、连接管承接桶和圆管之间的配合设置，能够通过水泵将承接桶内部承接用于杀菌杀虫的石灰水从喷水板喷出，从而达到便于喷洒石灰水的目的，避免工作人员一边一边涂刷，减少工作人员的工作时间，加快工作时间。
一种新型园林绿化养护智能装置

[实用新型]一种噻吩自动罐装装置-CN202123240577.4有效
发明人：于善飞;马岚;商荣涛;胡海啸 -专利权人：山东省阳信汇昌化工有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B67C3/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及噻吩罐装技术领域，且公开了一种噻吩自动罐装装置，包括机台,机台顶部左侧固定连接有罐装机构,罐装机构包括转动电机，转动电机固定连接于机台顶部左侧，机台顶部靠近转动电机一侧固定连接有固定杆，转动电机一端固定连接有转动轴，固定杆表面转动连接有传动轴，转动轴与传动轴中间均固定连接有皮带轮，皮带轮外圈传动连接有皮带，机台靠近固定杆右侧开设有凹槽，凹槽底部左侧固定连接有固定轴，固定轴表面滑动连接有压缩弹簧。该噻吩自动罐装装置，通过设置的罐装机构，利用半齿轮与锯齿条之前的啮合与脱离状态进行持续性的往复作用，实现了对噻吩的自动罐装效果，避免人员长期处于噻吩装置工作环境中对人体带来的伤害。
一种噻吩自动罐装装置

[发明专利]一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法-CN202110701740.8有效
发明人：张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。
一种连续调控直接生长剥离氮化方法

[发明专利]阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法-CN202110701742.7有效
发明人：邵永亮;张保国;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。
阻碍极性氮化生长制备剥离晶体方法

[发明专利]高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法-CN202111128254.8在审
发明人：张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法，包括如下步骤：制备浓度适宜的二维材料纳米片溶液；对二维材料纳米片溶液进行粘度调控，制备前驱体溶液；使用旋涂仪将前驱体溶液均匀涂覆在衬底上；将二维材料涂覆的衬底放入气氛炉中在惰性气体气氛下进行高温热处理；将制备的高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底装入生长炉中进行晶体生长；生长结束后降温得到低应力、自剥离的GaN单晶；二维材料先转移到衬底上形成了涂覆掩模，之后在没有二维涂覆层材料的区域优先成核，并依靠横向外延扩展至整个区域；在晶体持续的生长过程，二维涂覆层材料有效阻断了位错在晶体中的延伸，进而提高晶体质量。
高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶方法

[实用新型]一种氮化镓生产尾气处理用快接管线-CN202021415237.3有效
发明人：石恒业;邵永亮;张保国;胡海啸;李仕蛟 -专利权人：山东科恒晶体材料科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： F16L21/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓生产尾气处理用快接管线，属于氮化镓生产技术领域。快接管线包括过滤器和真空泵，过滤器的进气端通过硬质管线连接氮化镓生长炉的出气管，真空泵的进气端连接有第一三通管，第一三通管的进气端通过第一波纹管与所述过滤器的出气端连接，第一三通管连接真空泵，并设置有第一电动开关阀，第一三通管连接第二波纹管并设有第二电动开关阀，第二波纹管的另一端通过第二三通管连接尾气回收装置，真空泵的出气端通过第三电动开关阀连接第二三通管，各管口对接处分别通过快接件进行紧固连接。通过设置真空泵、两段三通管及三个电动开关阀使快接管线既构成尾气排出管线，同时又具备对生长炉的抽真空功能，实用方便。
一种氮化生产尾气处理接管

[实用新型]一种氮化镓生产用氮气供气管线-CN202021415255.1有效
发明人：石恒业;邵永亮;张保国;胡海啸;李仕蛟 -专利权人：山东科恒晶体材料科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓生产用氮气供气管线，属于氮化镓生产技术领域。所述氮气供气管线包括第一供气管线和第二供气管线，第一供气管线和第二供气管线通过共用管连接，末端通过三通连接共同的出气管线，所述供气管线通过带穿孔的固定件固定在墙壁上。本实用新型设计的供气管线通过多个开关阀可以使第一供气管线和第二供气管线随意切换共用，使用灵活方便。
一种氮化生产氮气供气管线

[实用新型]一种氮化镓生产用气瓶固定架-CN202021416527.X有效
发明人：石恒业;邵永亮;张保国;胡海啸;李仕蛟 -专利权人：山东科恒晶体材料科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： F17C13/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓生产用气瓶固定架，属于氮化镓生产技术领域。所述气瓶固定架包括支撑架，所述支撑架的两侧为架腿，所述架腿的下部为三角形支撑脚，所述支撑架的中部为固定架，所述固定架的顶部和底部分别设有一道横梁，两道横梁之间设置有竖梁，所述竖梁的前侧面设有C型滑槽，所述竖梁的C型滑槽上设有呈梯形弯折的固定板，固定板的中部通过紧固件滑动连接在C型滑槽中，所述固定板的一端通过销轴铰接有固定链，所述固定板的另一端设有挂钩。本实用新型专利设计的气瓶固定架的固定板可移动，定位灵活，固定链通过挂钩固定，长度可调使用方便。
一种氮化生产用气瓶固定

[发明专利]一种卧式氮化镓生长炉-CN202010201471.4有效
发明人：石恒业;邵永亮;张保国;胡海啸;李仕蛟 -专利权人：山东科恒晶体材料科技有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种卧式氮化镓生长炉，属于晶体新材料生产技术领域。所述氮化镓生长炉包括卧式炉体、进气系统、生长杆和生长杆固定装置，所述炉体外侧设有分级加热系统，所述卧式炉体的两端分别设有第一连接法兰和第二连接法兰，所述进气系统和生长杆固定装置分别连接于所述卧式炉体的两端。本发明设计的卧式氮化镓生长炉可用于氮化镓晶体材料生产，生产效率高，晶体生长稳定。
一种卧式氮化生长

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