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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装-CN202110031446.0在审
  • 吕添裕;胡楚威;萧欣欣 - 联发科技股份有限公司
  • 2021-01-11 - 2021-07-20 - H01L23/31
  • 本发明公开一种半导体封装，包括：第一基板；第二基板；导电部件，设置在该第一基板和该第二基板之间，其中，该第一基板和该第二基板彼此隔开间隔；电子部件，设置在该间隔内；以及无源部件，设置在该间隔内。采用这种方式，电子部件与无源部件之间的导电路径较短，可以缩短两者的连接路径，信号的传递更快。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体器件-CN201710112627.X有效
  • 胡楚威;林振华 - 联发科技股份有限公司
  • 2017-02-28 - 2021-06-01 - H01L29/78
  • 本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高电压工作。其中该半导体器件包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且与该第一掺杂区分开，同时具有该第二导电类型；以及于该第一和第二掺杂区之间形成的第一、第二和第三栅极结构；其中该第一栅极结构相邻于该第一掺杂区；该第二栅极结构与该第一栅极结构的一部分以及该第一阱掺杂区的一部分重叠；该第三栅极结构位于该第二栅极结构旁；其中，避免有任何栅极结构和硅化物形成于该第一阱掺杂区的顶面中位于该第二和第三栅极结构之间的部分上。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 5 条
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