“胡广达”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于艉滑道回收的柔性辅助装置-CN202110312562.X在审
发明人： 胡广达;范灏;高瀚林;刘琦;陶文灿 -专利权人：中国舰船研究设计中心
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B63B23/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于艉滑道回收的柔性辅助装置，包括柔性充气系统和控制系统，柔性充气系统包括均能通过气阀实现快速充气泄气的支撑垫、防撞垫和阻拦垫，控制系统用于通过气阀控制柔性充气系统的充气泄气；支撑垫铺设在艉滑道上且外伸出艉滑道，充气后用于支撑和保护小艇或潜器底部；防撞垫铺设在艉门口的两侧且外伸出艉门口，充气后能向艉门口外两边扩开形成喇叭口，用于稳定和保护小艇或潜器侧面；阻拦垫布设在艉滑道两侧的船体结构上，充气后用于保护船体结构和防止高速晃动冲击。该装置提高了复杂海况下的小艇、潜器的回收效率，降低了故障率和维修成本，保证了船用设备以及作业人员的安全。
用于滑道回收柔性辅助装置

[发明专利]一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法-CN201610343918.5有效
发明人： 胡广达;闫静;蒋晓妹 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法，该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极，或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极，对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理的电极上生长铁电薄膜；所述铁电薄膜的电极在气体保护、300‑480℃下进行预处理。本发明首次提出通过电极的选择提高铁电薄膜抗击穿能力的思路，并提供了可行的电极。所得铁电薄膜具有很强的抗击穿能力，漏电流很低，能测到薄膜的真实铁电性能，在未来铁电薄膜的制备过程和器件应用中都具有良好的前景。
一种提高薄膜抗击能力方法

[发明专利]一种制备Bi₅Ti₃Fe_0.5Co_0.5O₁₅多铁性薄膜的方法-CN201410393881.8有效
发明人：杨锋;张福威;董翠芳;杨长红;胡广达;宗志豪 -专利权人：济南大学
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
一种制备 bi sub ti fe 0.5 co 15 多铁性薄膜方法

[发明专利]一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜-CN201410156268.4无效
发明人：杨长红;隋慧婷;吴海涛;杨锋;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na_0.5Bi_0.5(Ti_1-xZr_x)O₃表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。
一种等价离子掺杂钛酸铋钠薄膜

[发明专利]一种择优取向生长的Bi₅Ti₃FeO₁₅多铁性薄膜的制备方法-CN201410309940.9有效
发明人：杨锋;刘芬;杨长红;胡广达;宗志豪 -专利权人：济南大学
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种择优取向生长的Bi₅Ti₃FeO₁₅多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO₂/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe₂O₄薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi₅Ti₃FeO₁₅薄膜，所得Bi₅Ti₃FeO₁₅薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO₂/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi₅Ti₃FeO₁₅多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
一种择优取向生长 bi sub ti feo 15 多铁性薄膜制备方法

[发明专利]一种低温烧结金红石结构NiTiNb₂O₈微波介质陶瓷新方法-CN201310217203.1无效
发明人：吴海涛;杨长红;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元金红石结构NiTiNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Ni离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元NiTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。
一种低温烧结金红石结构 nitinb sub 微波介质陶瓷新方法

[发明专利]利用溶胶凝胶法精细合成三元锰钽矿结构ZnTiTa2O8微波介质陶瓷方法-CN201310195331.0无效
发明人：吴海涛;杨长红;胡广达;岳云龙 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Ta离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（<50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。
利用溶胶凝胶精细合成三元锰钽矿结构 zntita2o8 微波介质陶瓷方法

[发明专利]一种利用水溶性溶胶凝胶工艺精细合成钛铁矿结构ZnTiO₃纳米粉体-CN201310232921.6无效
发明人：吴海涛;杨长红;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti的柠檬酸水溶液；3）ZnTiO3微波介质陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度（约30nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。
一种利用水溶性溶胶凝胶工艺精细合成钛铁矿结构 zntio sub 纳米

[发明专利]利用化学工艺精细制备锰钽矿结构MgTiNb₂O₈微波介质陶瓷新方法-CN201310195294.3无效
发明人：吴海涛;杨长红;黄三喜;胡广达;岳云龙 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元MgO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Mg离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元MgTiNb2O8微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约50nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。
利用化学工艺精细制备锰钽矿结构 mgtinb sub 微波介质陶瓷新方法

[发明专利]一种利用水溶性溶胶凝胶工艺精细合成Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃介质陶瓷纳米粉体-CN201310262118.7无效
发明人：吴海涛;杨长红;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1)配制Zn、Ba离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb的柠檬酸水溶液；3)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度(低于100nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。
一种利用水溶性溶胶凝胶工艺精细合成 ba zn sub nb 介质陶瓷纳米

[发明专利]一种低温烧结制备具有单斜结构ZnZrNb₂O₈微波介质陶瓷新方法-CN201310448813.2无效
发明人：吴海涛;杨长红;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元单斜结构ZnZrNb2O8微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元单斜结构ZnZrNb2O8微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1)配制Zn与Zr离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb离子的柠檬酸水溶液；3)三元ZnZrNb2O8纳米前驱体的合成及介质陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（约30nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，较传统固相法能显著降低烧结温度100-200℃，实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，有望满足LTCC应用需求。
一种低温烧结制备具有单斜结构 znzrnb sub 微波介质陶瓷新方法

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]铁电隧道结器件-CN201310254038.7有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中，第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。
隧道器件

[发明专利]利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb₂O₅-TiO₂体系微波介质陶瓷方法-CN201210290899.6有效
发明人：吴海涛;杨长红;武卫兵;胡广达;杨锋;岳云龙 -专利权人：济南大学
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。
利用化学精细合成三元 zno nb sub tio 体系微波介质陶瓷方法

[发明专利]一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法-CN201110381115.6有效
发明人：武卫兵;陈晓东;刘宽菲;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2011-11-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C25D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上，并通过对沉积出的CdTe薄膜退火处理来提高薄膜的结晶质量。采用高的阴极电位避免了低阴极电位下形成的非晶态CdTe在后期热晶化处理时薄膜缩聚所导致的开裂问题；采用弱碱性溶液，减少了电解质溶液对沉积基底的腐蚀；弱碱性溶液中H+离子浓度低，电沉积过程中生成的H2气较少，解决了沉积过程中氢气生成引起的针状气孔问题，薄膜致密度和光电性能大大改善。
一种碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜方法

1
2
下一页»
尾页
共 25 条