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[发明专利]基于开关管电激发光的电路自适应零电压开关控制方法、电激发光的检测电路及其模组结构-CN202310746315.X在审
发明人： 胡博容;龙腾;姜云磊 -专利权人：南京能利芯科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于开关管电激发光的电路自适应零电压开关控制方法、电激发光的检测电路及其模组结构。自适应零电压开关控制方法使用电激发光效应来检测开关状态并自主控制器件的栅极开关，该方法在稳态和瞬态负载条件下都有效地实现了自适应零电压开关运行。检测电路以差分模式使用两个信号接收放大组件，以提高具有超高放大增益的电激发光检测电路的信噪比。第一信号接收放大组件的第一硅光电倍增管靠近嵌入式印刷电路板功率模块中的待检测开关管裸片放置，用于感测开关管裸片的电激发光；第二信号接收放大组件的第二硅光电倍增管位于电激发光传输区域之外，以消除由环境光和电磁干扰引起的潜在噪声。
基于开关激发电路自适应电压控制方法检测及其模组结构

[发明专利]基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法-CN201610139323.8有效
发明人：曾正;邵伟华;胡博容;廖兴林;李辉;冉立 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流在内的不平衡电流进行抑制，从而保证并联SiC MOSFET的各支路的电流均衡性，并且有效降低各SiC MOSFET器件的开通和关断损耗差异，有效避免不均衡应力的出现，对各SiC MOSFET器件进行有效地保护，延长使用寿命，提升并联器件的电气性能和耐用性。
不平衡电流支路电感线圈均流控制耦合电感并联延长使用寿命动态不平衡并联器件电气性能关断损耗耦合不均衡均衡性耐用性有效地磁芯串联开通保证

[实用新型]半导体功率模块3D封装构造-CN201621381082.X有效
发明人：陈昊;曾正;汪小莞;邵伟华;胡博容;冉立 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意串并联结构，元胞式结构组合而成的单元同样也可以实现串并联，极大的降低了模块设计的难度；芯片不需要焊接以及键合线，使用金属卡子作为电流的传导介质，可以有效降低回路的寄生参数；3D立体布局可以有效降低模块的体积，提高功率密度；元胞式结构的单元化设计可以避免多芯片串并联发热集中，散热难的问题，立体布局有利于模块的散热。
半导体功率模块封装构造

[发明专利]动静态均流的多芯片并联的功率模块-CN201610407686.5在审
发明人：曾正;邵伟华;冉立;胡博容 -专利权人：重庆大学
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气参数的对称，通过最优化的布局设计确保多芯片并联的功率模块每个支路寄生参数的最小化并且分布基本一致，有助于解决多芯片并联模块的电流分布不均问题。本发明提及的多芯片模块设计方法能够更好的实现功率模块的动态均流和静态均流，提升功率模块的容量利用率，并且通过减小寄生电感的副作用，适应快速开关过程和高频电力电子变换器。
静态芯片并联功率模块