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[发明专利]一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管-CN201810525728.4有效
发明人： 胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源端进行p型高浓度的硼掺杂，对沟道进行轻n掺杂，对漏端进行n型高浓度的磷掺杂。这种场效应管以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p‑i‑n结。仿真软件仿真表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的设计基础。
一种性能椭圆栅隧穿场效应晶体管

[实用新型]PTC加工中的片料布料装置-CN202222661463.5有效
发明人：魏兵;胡光喜 -专利权人：宜都市博通电子有限责任公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B65G37/00 文献下载
摘要：一种PTC加工中的片料布料装置，包括布料盘，所述的布料盘为圆盘结构，布料盘的侧壁上穿设有进料皮带，布料盘的圆心位置处设有一根转轴，转轴上设有套筒，套筒外壁上等夹角设有多根转杆，多根转杆同一侧上设有料槽；布料盘底面上设有下料条孔，下料条孔下方设有出料皮带，出料皮带的输出端设有第一推缸，第一推缸上设有推料杆，推料杆设置在出料皮带的上带面上，出料皮带的输入端设有料盒座，料盒座底部设有第二推缸。本新型采用上述结构，采用自动布料的方式代替现有人工布料，一方面提升布料的效率，另一方面避免了人手接触导致片料破损的情况发生。
ptc 加工中的布料装置

[实用新型]PTC热敏电阻加工中的原料球磨装置-CN202222660072.1有效
发明人：魏兵;胡光喜 -专利权人：宜都市博通电子有限责任公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B02C17/10 文献下载
摘要：一种PTC热敏电阻加工中的原料球磨装置，包括外壳体和旋转筒，所述的旋转筒设置于外壳体内，外壳体底部设有下料口，旋转筒内壁上设有多道半圆槽，旋转筒内设有球体，半圆槽的槽底均布设有多个下料孔；旋转筒端部穿设有送料筒，送料筒穿设至外壳体外部，位于旋转筒内的送料筒底面上均布设有布料孔。本新型采用上述结构，能够实现高效均匀破碎目的，提高白料质量，并解决物料粘附问题。
ptc 热敏电阻加工中的原料装置

[实用新型]PTC浆料脱铁处理装置-CN202222660076.X有效
发明人：魏兵;胡光喜 -专利权人：宜都市博通电子有限责任公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B03C1/12 文献下载
摘要：一种PTC浆料脱铁处理装置，包括主箱体，主箱体顶部设有进浆管，主箱体底部设有出浆管，所述的主箱体内靠近顶部的位置上设有滤板，滤板下方设有布料斗，布料斗下方设有多个位于同一水平高度上的磁力辊，磁力辊下方设有刮渣板，刮渣板下方设有接屑盒，出浆管位于接屑盒下方。本新型采用上述结构，能够提高PTC白料中铁屑杂质的除铁效率及质量，保证排出的PTC白料的质量。
ptc 浆料处理装置

[发明专利]一种部分耗尽型SOI MOSFET体区电阻的计算方法-CN202211168809.6在审
发明人： 胡光喜;陆叶;于天晔 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种部分耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管体区电阻的计算方法。本发明根据H型栅MOSFET结构特点，利用电容感应电荷原理，求解正面栅压和背面栅压在器件体硅内产生的耗尽电荷量。然后根据源极pn结、漏极pn结模型，得到体硅中pn结的耗尽电荷。在此基础上，建立一个基本的体区多子电荷模型，并得到体区内所有剩余多子电荷电量。然后根据电荷移动规律，建立体硅的电阻模型，以便快速准确得到体区电阻。模型结果与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为提取SOI MOSFET的关键参数提供了一种有效的计算办法。
一种部分耗尽 soi mosfet 电阻计算方法

[发明专利]氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法-CN201810133628.7有效
发明人： 胡光喜;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂的AlGaN与GaN之间隔一层很薄的本征AlGaN，以减少施主原子对电子的散射；此器件可用于大功率电子。本发明通过求出这种器件的沟道电势和二维电子气电荷密度，考虑电子的漂移和扩散，得到沟道任意处的电流与该处电势之间关系式；忽略复合和产生电流，不同沟道点的电流相等，得到沟道电势以及源漏电流的解析表达式。该解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究大功率HEMT器件时提供了快速的电路仿真工具。
氮化大功率电子迁移率晶体管沟道电流计算方法

[发明专利]石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法-CN201811177495.X有效
发明人： 胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+‑i‑n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
石墨烯隧穿场效应量子系数电流确定方法

[发明专利]医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法-CN202010975640.X有效
发明人： 胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02J50/10 文献下载
摘要：本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法。本发明通过理论分析和基于三维仿真软件HFSS仿真，得到提高互感系数M的优化设计方法，包括利用HFSS仿真和/或理论计算，找到发射和接收线圈正对准情况下WPT系统的各个参数，如线圈间距、发射线圈的线圈匝数、内外半径、匝间距等对M的影响，通过实验对仿真结果进行验证；并对接收线圈接收角度翻转或因为接收线圈和发射线圈中心水平距离偏移导致的M减小进行优化改善，为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。利用本发明方法，可以方便、快捷得到发送和接收线圈的关键参数值，使互感系数最大化。
医疗植入器件无线能量传输系统互感系数优化设计方法

[发明专利]电磁感应无线能量传输系统中能量传输效率的优化方法-CN202111125141.2在审
发明人：谢子斌;鲍佳睿;胡淑彦;胡光喜;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-09-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种用于心脏起搏器的电磁感应无线能量传输系统中能量传输效率的优化方法。本发明的电磁感应无线能量传输系统中，发射线圈采用平面螺旋线圈结构，接收线圈采用螺旋管结构，接收线圈缠绕在心脏起搏器侧面；本发明通过系统中能量传输效率的理论计算和基于三维仿真软件HFSS仿真，找到发射线圈和接收线圈正对准情况下无线能量传输系统的各个参数：发射线圈的几何形状、发射线圈和人体组织表面距离，分析这些参数对能量传输效率的影响，并通过实验对仿真结果进行验证；本发明方法可以方便、快捷得到发射和接收线圈的关键参数值，使能量传输效率最大化；可为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。
电磁感应无线能量传输系统效率优化方法

[实用新型]一种环境土壤检测用取土机构-CN201921152897.4有效
发明人： 胡光喜 -专利权人：森茂检测科技无锡有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种环境土壤检测用取土机构，属于环境检测技术领域，包括：手柄、推杆和取土槽，手柄下方固定焊接有推杆，推杆底端固定焊接有取土槽，取土槽内部开口设有活动槽，活动槽内活动设有滑块，滑块顶端设有复位弹簧，滑块下方活动设有取土容器，取土容器下方与取土槽螺纹连接有密封盖，该种环境土壤检测用取土机构，其能够在取样器取土后，将样土快速与取样器分离，并且提高取样器的清洁度，该结构设计合理，实用性强。
一种环境土壤检测用取土机构

[实用新型]一种土壤检测用快速烘干筛分装置-CN201921152906.X有效
发明人： 胡光喜 -专利权人：森茂检测科技无锡有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种土壤检测用快速烘干筛分装置，属于土壤检测技术领域，包括进风筒、套筒、筛选筒、底盖、电池壳、微型马达、转轴、扇叶、加热管、对接块、对接环、网筛板、顶杆、干电池和开关按钮，进风筒的底部嵌套焊接有套筒，套筒的底部螺纹套接有筛选筒，筛选筒的底部螺纹套接有底盖。本实用新型中的转轴带动扇叶转动产生气流，加热管加热气流对网筛板上的土壤进行烘干，同时转轴带动对接块、对接环和网筛板一起转动，不断的抖动土壤，使土壤快速的完成烘干和筛选工作，气流吹向土壤也能够搅动土壤，进而进一步的增加土壤的烘干和筛选速率，既能够提高烘干和筛选的效率，又能够提高烘干和筛选的效果。
一种土壤检测快速烘干筛分装置

[发明专利]一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法-CN201510220301.X有效
发明人： 胡光喜;向平;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。
一种 finfet 电势阈值提取方法

[发明专利]一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件击穿电压的方法-CN201710297916.1在审
发明人： 胡光喜;钱海生;田朋飞;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-04-29 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件（HEMT）击穿电压的方法。本发明方法，是利用在HEMT器件的GaN缓冲层中进行p型掺杂，以及在漏端欧姆接触区域中使用双掺杂漏（DDD）掺杂技术，调制器件沟道电场的分布，减小器件流过GaN缓冲层的电流，降低器件漏端发生击穿的概率，以尽量利用器件的耗尽区承担漏极所加的高电压，从而提高器件的击穿电压。
一种提高 algan gan 电子迁移率场效应器件击穿电压方法

[发明专利]一种快速提取无源漏三栅结构场效应管阈值电压的方法-CN201510775618.X在审
发明人： 胡光喜;冯建华;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义，沟道内平均电势等于准费米势减去2倍热电势时，所加栅压为阈值电压。据此可以得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在获取新型无源漏三栅场效应器件阈值电压时，提供了一种快速精确的提取工具。
一种快速提取无源漏三栅结构场效应阈值电压方法

[发明专利]一种围栅结构MOSFET源漏电流解析模型-CN201110297299.8无效
发明人： 胡光喜;顾经纶;梅光辉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种围栅结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）源漏电流解析模型。本发明针对围栅结构MOSFET的不同沟道长度，根据McKelvey的通量理论，得到这种器件的电流电压模型。只要调整其中的参数，即可得到沟道很短时（约30纳米）量子线晶体管的弹道输运模型结果，也可得到沟道较长时（约100纳米）的载流子扩散模型。该模型物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型围栅器件的电路模拟提供了一种有效的方法。
一种结构 mosfet 漏电解析模型

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