专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]器件中悬空膜层的原位力学测试方法-CN202110210269.2在审
  • 李晓旻;刘兵海;华佑南;乔明胜;傅超;张兮 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-08-30 - G01N3/00
  • 本发明涉及材料样品检测技术领域,尤其涉及器件中悬空膜层的原位力学测试方法,包括以下步骤:(a)准备待测样品;(b)FIB或plasma‑FIB对待测悬空膜层中心的上方膜层图案化开口,得到测试窗口;(c)从所述测试窗口插入测试探头对待测悬空膜层进行力学性能测试;(d)观察所述待测悬空膜层在测试过程中的动态应变和微观结构的变化,得到检测结果。本发明提出的基于聚焦离子束(FIB)样品制备的一整套图案化测试技术方法,可以实现对器件内部悬空膜层的力学性能量测,如硬度、弹性模量、弹性/塑性形变、断裂强度等,为纳米/微米级别的力学测试提供新的解决方案。
  • 器件悬空原位力学测试方法
  • [发明专利]一种原位力学性能测试装置及其设备-CN202110210683.3在审
  • 李晓旻;刘兵海;傅超;陈汉杰;张兮;华佑南;乔明胜 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-08-30 - G01N3/00
  • 本发明涉及材料力学性能测试设备技术领域,尤其涉及一种原位力学性能测试装置及其设备。原位力学性能测试装置包括底座、连接杆、测试探头、控制系统以及压力测试系统;底座用于与商业化的材料分析测试设备封连接;连接杆包括依次连接的第一连接杆和第二连接杆,第一连接杆的自由端与底座连接,第二连接杆的自由端与测试探头连接;控制系统控制连接杆的运动;压力测试系统用于控制和量测测试探头的施加应力。本发明提供的原位力学性能测试装置和现有商业化的商业化的材料分析测试设备相匹配,其方式可以是通过SEM、FIB上现有的接口直接插入,然后进行真空密封实现系统集成;在不使用的时候可以抽出,不会对SEM和FIB正常使用造成影响。
  • 一种原位力学性能测试装置及其设备
  • [发明专利]一种多功能原位力学测试装置及其设备-CN202110211062.7在审
  • 李晓旻;刘兵海;傅超;张兮;华佑南;乔明胜 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-08-30 - G01N3/00
  • 本发明涉及材料力学性能测试设备技术领域,尤其涉及一种多功能原位力学测试装置及其设备。多功能原位力学测试装置包括底座、至少两个连接杆、测试探头、控制系统以及压力测试系统;底座用于与材料分析测试设备密封连接;连接杆之间相互连接,得到连接体,连接体的一端与底座连接,另一端与测试探头连接;控制系统控制不同连接杆的运动;压力测试系统用于监测和控制测试探头的施加应力。本发明提供的多功能原位力学测试装置,通过SEM、FIB上现有的接口直接插入,可以利用扫描电镜的高分辨率成像,实现纳米材料和结构的原位测试和观测的实验分析目的,观察材料在测试和失效过程中的动态应变和微观结构的变化,实现纳米级精确定位和观测分析。
  • 一种多功能原位力学测试装置及其设备
  • [实用新型]一种原位力学性能测试装置及其设备-CN202120415065.8有效
  • 李晓旻;刘兵海;傅超;陈汉杰;张兮;华佑南;乔明胜 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-01-11 - G01N3/00
  • 本实用新型涉及材料力学性能测试设备技术领域,尤其涉及一种原位力学性能测试装置及其设备。原位力学性能测试装置包括底座、连接杆、测试探头、控制系统以及压力测试系统;底座用于与商业化的材料分析测试设备封连接;连接杆包括依次连接的第一连接杆和第二连接杆,第一连接杆的自由端与底座连接,第二连接杆的自由端与测试探头连接;控制系统控制连接杆的运动;压力测试系统用于控制和量测测试探头的施加应力。本实用新型提供的原位力学性能测试装置和现有商业化的商业化的材料分析测试设备相匹配,其方式可以是通过SEM、FIB上现有的接口直接插入,然后进行真空密封实现系统集成;在不使用的时候可以抽出,不会对SEM和FIB正常使用造成影响。
  • 一种原位力学性能测试装置及其设备
  • [发明专利]用于金属丝二次质谱深度分析的方法-CN202011598459.8有效
  • 朱雷;华佑南;李晓旻 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-04-16 - G01N27/64
  • 本发明涉及材料样品检测技术领域,尤其涉及用于金属丝二次质谱深度分析的方法,包括以下步骤:准备基板,所述基板沿其长度刻蚀有与所述金属丝相适的凹槽;沿所述凹槽的长度将所述金属丝放入所述凹槽内,并将所述金属丝在所述凹槽内固定;所述基板放置在二次离子质谱仪样品台进行测试;所述金属丝的直径为微米级。本发明通过在基板上设置凹槽,以便辅助金属丝和质谱仪探头之间形成类平面结构,这样再进行二次离子质谱仪检测,得到的图谱中主元素层清晰分出,也同时最大减低界面混合效应。
  • 用于金属丝二次深度分析方法
  • [发明专利]半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法-CN202010140862.X在审
  • 华佑南;李晓旻 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2020-03-03 - 2020-06-26 - H01L21/66
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法,对晶圆的铝焊盘进行以下方面检测:光学显微镜观察铝焊盘的缺陷和变色情况;扫描电子显微镜分析铝焊盘的缺陷;俄歇电子能谱分析铝焊盘上的污染水平;透射电子显微镜分析铝焊盘上的氧化铝厚度;若全部合格,则铝焊盘质量合格。本发明提供的半导体晶圆制造中铝焊盘质量的表征方法,联合应用光学显微镜、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱和透射电子显微镜来对半导体晶圆上铝焊盘的质量进行检测,若所有的检测结果满足预定的标准,则晶圆上的铝焊盘质量是合格的,为后续铝焊盘的功能发挥提供良好的技术支持。
  • 半导体制造中铝焊盘质量表征方法
  • [发明专利]硅衬底上硅外延层厚度的测量方法-CN202010140304.3在审
  • 华佑南;李晓旻 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2020-03-03 - 2020-06-19 - H01L21/66
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及硅衬底上硅外延层厚度的测量方法,制备晶片样品的横截面和利用染色技术对硅衬底染色来区分硅衬底本体和硅外延层;所述染色技术应用的染色溶液由质量浓度为69%的硝酸与质量浓度为49%的氢氟酸按体积比为20:1配置而成和染色的时间为3‑5秒。本发明提供的硅衬底上硅外延层厚度的测量方法,为了在晶片样品的横截面上把硅外延层和硅衬底本体明显区分,使用本发明提供的化学染色技术对样品进行染色,达到了检测硅外延层厚度的目的。
  • 衬底外延厚度测量方法
  • [发明专利]一种硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法-CN202010040789.9在审
  • 华佑南;李晓旻 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2020-01-15 - 2020-06-02 - G01N23/2202
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法,包括以下步骤:(a)对硅衬底样品进行切割、研磨和抛光,清洗和干燥后得到硅衬底横截面样品;(b)所述硅衬底横截面样品采用蚀刻液刻蚀60‑100秒;(c)经清洗和干燥后,应用扫描电子显微镜检测硅衬底内部是否有硅晶体缺陷。本发明提供的硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法,不需要将硅衬底样品表面的各层材料去除,只需要将其切割,然后经研磨和抛光,清洗和干燥后用蚀刻液短时刻蚀,再经清洗和干燥后检测即可观察到硅衬底样品中硅晶体缺陷的深度纵向分布。
  • 一种衬底内部晶体缺陷检测方法
  • [发明专利]一种在有机材料表面制备金属膜层的方法-CN202010054944.2在审
  • 李晓旻;张南;谢家伦;华佑南 - 胜科纳米(苏州)有限公司
  • 2020-01-17 - 2020-05-19 - C23C16/06
  • 本发明涉及工艺品制作技术领域,尤其涉及一种在有机材料表面制备金属膜层的方法,预处理后的有机材料进行原子层沉积,制得所述有机材料表面的第一金属膜层。本发明采用原子层沉积的方式在有机材料上镀第一金属膜层,可以在复杂形状的表面各处形成厚度均匀的膜层,并且可以精确控制所形成的膜层厚度。本发明独特的采用原子层沉积的方式在有机材料上镀第一金属膜层,可以在复杂形状的表面各处形成厚度均匀的膜层,并且可以精确控制所形成的膜层厚度。本发明提供的在有机材料表面制备金属膜层的方法,使有机材料表面镀金属的工艺品的质量显著提高。
  • 一种有机材料表面制备金属膜方法

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