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- [发明专利]一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片-CN202310755535.9在审
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姚若河;陈志彤;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬
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华南理工大学
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2023-06-25
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2023-09-29
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G05F1/567
- 本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片，属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括：μnT2电流产生电路，用于产生一个与μnVTH2成正比的电流I1；基准电压输出电路，包括镜像单元和基准单元，所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1，产生电流I2作用于基准单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管，其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线，PMOS管的VSG呈现凸曲线，将VGS和VSG两者进行叠加，得到一个低温度系数基准电压VREF。本发明利用沟道调制效应使NMOS的VGS呈现凹曲线，利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的VSG呈现凸曲线，将两者叠加进行二次温度补偿，得到一个低温度系数CMOS基准电压VREF，显著地降低了电压基准的温度系数。
- 一种温度系数cmos基准电压芯片
- [发明专利]一种摩擦纳米发电机及其制备方法-CN202110284828.4有效
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耿魁伟;曹清波;刘玉荣;姚若河
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华南理工大学
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2021-03-17
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2022-10-25
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H02N1/04
- 本发明公开了一种摩擦纳米发电机及其制备方法。本发明的摩擦纳米发电机的组成包括第一芳纶纤维层、第一银纳米线层、第二芳纶纤维层和第二银纳米线层；所述第一芳纶纤维层与第一银纳米线层贴合；所述第一银纳米线层和第二芳纶纤维层之间设置有间隙；所述第二芳纶纤维层与第二银纳米线层贴合。本发明的摩擦纳米发电机的制备方法包括以下步骤：1)制备芳纶纤维纸；2)制备芳纶纤维‑银纳米线复合纸；3)将2张芳纶纤维‑银纳米线复合纸组装成摩擦纳米发电机。本发明的摩擦纳米发电机具有质量轻、柔韧性好、耐高温性好、耐老化性好、稳定性高等特点，且制造成本低、制备工艺简单，适合进行大规模工业化生产。
- 一种摩擦纳米发电机及其制备方法
- [发明专利]一种NO2-CN202210388046.X在审
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耿魁伟;颜志伟;姚若河;刘玉荣
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华南理工大学
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2022-04-14
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2022-08-19
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G01N27/12
- 本发明公开了一种NO2气敏传感器及其制备方法。一种NO2气敏传感器，包含：衬底；ZnO/金属氧化物纳米异质结构，ZnO/金属氧化物纳米异质结构设置在衬底表面；ZnO/金属氧化物纳米异质结构包括ZnO纳米阵列及其表面的非ZnO的金属氧化物；金属电极，金属电极设置在ZnO/金属氧化物纳米异质结构表面。本发明的气敏传感器与单一ZnO材料制备的传感器相比，对NO2气体的响应度有了极大的提高，气敏性能有极大改善；本发明的气敏传感器具有良好的选择性和抗干扰能力，此外，还具有稳定性好、重复性好、响应和恢复时间短、工作温度范围较广等优点，可适用于不同场景的NO2气体检测。
- 一种nobasesub
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